圖2-5為Cr4+:YAG在溫度為300K之吸收譜線[12],由圖可得知 Cr4+:YAG主要有三個寬廣的吸收頻帶,分別在0.48 µm、0.64 µm、1.0 µm。其中以1.0 µm為主要激發波長,可得到較高的量子轉換效率 (quantum efficiency),電子從激發能帶轉換至亞穩態能階(metastable state)的過程中所產生的熱輻射也較少。而長波長的吸收頻帶範圍為 0.9 µm~1.1 µm,主要來源為3T2與3A2間的能階躍遷所造成,故文獻上 通常以Nd:YAG雷射來當做Cr4+:YAG的激發光源,其波長為1.064 µm。
圖2-5 Cr4+:YAG在溫度300K之吸收頻譜[12]
圖2-6為Cr4+:YAG在溫度為300K之輻射頻譜,其頻譜峰值於1.37 µm,範圍從1.1到1.7 µm之間,其主要來自3T2→3A2之能階躍遷,因此 Cr4+:YAG可歸類為一低的配位場(ligand field)系統。
圖2-6 Cr4+:YAG在溫度300K之輻射頻譜[12]
圖2-7 Cr4+:YAG的能階示意圖[24]
~1.4µm
~1.4µm
~1µm
~1µm
3T1
3T2
3A2
3A2 3E
3B2
3B1 3E
T
dD
2d圖2-7為Cr4+:YAG之能階示意圖,一般相信Cr4+離子摻雜在YAG 晶體的正四面體位置上。由於在這位置上缺乏反轉中心(center of inversion),造成在這位置能夠看到強烈的振盪強度。理想的正四面體 (Td symmetry)中,Cr4+離子的最低自由離子能階3F分裂為三個部分,
3F→3A2+3T2+3T1,其能階的能量大小為3A2<3T2<3T1,由群論預測當3A2 能階為基態時3A2→3T1之能量躍遷將能夠被電偶極所允許,同時3A2
→3T2的躍遷在所有的極化方向上,將能夠被磁偶極所允許[21]。而對 於較低的對稱D2d symmetry而言,基態能階3A2變成3B1,3T2分裂成3B2 與3E,3T1分裂為3A2與3E。
波長為640 nm與1000 nm的吸收頻帶主要是在Cr4+離子處於Td對 稱群時,分別由3A2→3T1和3A2→3T2的能階躍遷所造成 [24]。而Kück 等人解釋在波長為1000 nm的強近紅外光(NIR)吸收中心是來自於D2d 對稱時,3B1(3A2)→3E(3T2)之能階躍遷所造成 [26]。然而Eilers等人則 認為640 nm與1000 nm的兩吸收頻帶都是由於Td對稱中的3T1能階受 到D2d對稱影響而分裂形成[21],到目前為止,大多文獻較認同Kück 等人的看法。而以中心波長為1.37 µm的寬頻輻射頻譜,其輻射波長 範圍從1.1 µm~1.7 µm主要則來自於在Td對稱中的3T2→3A2能階躍 遷,更精準的解釋可以說是來自於D2d對稱中的3B2(3T2)→3B1(3A2)的能 階躍遷。
由Cr4+:YAG能階圖可以知道3B2(3T2)能階的電子會吸收激發輻射 的光子而躍遷至3A2(3T1)能階,造成激發輻射光子數的減少,稱之為 激發態吸收(excited state absorption,簡稱ESA),如此將會造成增益下 降,此激發態吸收將嚴重影響Cr4+:YAG雷射效率。
在Cr4+:YAG能階示意圖中亦可以看到波長為1.0 µm激發態吸 收,此吸收來自於3B2(3T2)能階上的電子吸收激發光光子而躍遷至更 高的3E(3T1) 能階,造成激發光子的減少,然而由於更高能階躍遷回
3B2能階的速度相當快,典型的值約為幾個ps,因此對於上能階電子 的數量影響不大 [24]。
由於Cr4+:YAG雷射特性介於準三能階與四能階系統之間,在沒有 更深入的獲得能階能量關係前,很難去判斷其能階系統。根據1993 年 S. Kück等人認定由於Cr4+離子的晶格擁有強烈的激發態耦合,Cr4+
laser為四能階雷射系統 [26],其雷射特性有可能受非自發輻射所造成 的激發態吸收與低量子轉換效率所影響。 1995年Alphan Sennaroglu 等 人 於 室 溫 獲 得Cr4+:YAG 雷 射 輸 出 [7] , 並 在 2001 年 時 以 模 擬 Cr4+:forsterite四能階雷射系統模型相同的方法來模擬Cr4+:YAG雷射 特性的輸出[[15],[27],[28],在此可以推測Cr4+:YAG雷射可能為四能階 雷射系統。
然而對Cr4+:YAG晶體而言,電子處於亞穩態3B2能階的生命週期 僅有數µs而已,並且其受溫度影響非常嚴重,其生命週期於0oC時為 5.35µs,隨著溫度的增加以0.0416 µs/oC下降,因此若使用高功率激發 光源來激發Cr4+:YAG雷射晶體,要能夠穩定的將晶體溫度維持在較低 的溫度,對於雷射的輸出是相當重要的。