由第二章波源位置反算模擬中,以四個感測器量測板波波源的位 置,可以獲得唯一的全域極小值,所以研究採用四個光纖光柵構成感
3.3 Mach-Zehnder 光纖干涉儀之相位調制器
3.3.1 壓電管之相位調制器
本研究製作的第一組
MZ
光纖干涉儀以壓電陶瓷管作為相位調制器。圖
3.13
為MZ
光纖干涉儀的餘弦轉換函數,式(3.8)
中相位角ψ(λ)與MZ
光 纖干涉儀的光臂差及波長相關,相位角φ 可供調制轉換函數的起始相位點。圖
3.13
中,若φ =0,則輸入訊號不僅非線性轉換,而且振幅縮小,當相位 角調制於φ =π /2或3π/2,輸入訊號被線性轉換後輸出。MZ
干涉儀需要調 制光臂之相位,使工作範圍落在φ = m ( 2 + 1 ) π / 2
附近,此相位點稱為1/4
週 期相位點。調制的方式是將MZ
的兩條光臂分別纏繞於兩個壓電陶瓷圓管 上,壓電陶瓷圓管的極化方向朝向徑向,以直流電壓控制其中一個壓電陶瓷圓管產生徑向膨脹,使
MZ
光纖干涉儀的一個支臂發生相位改變,將輸 出相位控制於1/4
週期相位點之線性區內。MZ
光纖干涉儀的靈敏度極高,相位調制器可迴授消除外界環境振動及 溫度干擾所造成的相位飄移現象。壓電陶瓷圓管受到電壓負荷,在管壁厚 度方向產生電場,管徑會隨著電場的施加而收縮或膨脹,稱為逆壓電效應。壓電陶瓷圓管膨脹時,將造成纏繞於圓管的光臂 nL加長,產生相位差
∆ φ
, 其表示式為⎟ ⎠
⎜ ⎞
⎝
⎛ + ∆
=
∆ +
∆
=
∆
nnkL n nkL
L
nK
ε
θφ (3.9)
其中,波數k
= 2 π / λ
,ε
θ= ∆
L/
L為纏繞光纖受外力拉伸造成軸向應變,相 當於壓電圓管的周向應變,∆
n /n則為截面積變化致使光纖的折射率改變。折射率變化造成的效應較軸向應變小,此處忽略不計,故
(3.9)
可以改寫為 εθφ =nkL
∆
(3.10)
(
Nr)
N r LL
ε
θ= ∆ = ∆ 2 π = 2 π ∆ (3.11)
其中,N為
MZ
光纖纏繞於壓電管之圈數,r 為壓電管之外徑,半徑的改變 量為V d r
= ×
∆
33(3.12)
d33為壓電圓管徑向
(
即壓電材料的極化方向)
之壓電常數,V 為施加電壓。故
(
N r)
nk N(
d V)
nk d NV nk2 π 2 π
332 π
33φ = ∆ = × =
∆ (3.13)
由上式可知相位差
φ
與施加電壓、纏繞圈數成正比關係。本研究使用的壓電圓管之壓電常數d33 =365×10−12m/V ,實驗操作電壓 期望控制在大約
20
Volt。相位差調制的目標為π /2,將參數代入式(3.13)
可 以分別求得光波長為1531
mm及1551
mm時,20
Volt操作電壓所需要纏繞的 圈數。中心波長為1531
mm,N為5.71
圈;中心波長為1551
mm,N為5.79
圈,所以本實驗之壓電圓管相位調制器的圈數設定為
6
圈,圖3.14
為實驗 所製作的第一組MZ
光纖干涉儀纏繞於壓電圓管之實體圖。圖
3.15(a)
為尚未調制前,1551
nm光柵反射光落於MZ
干涉儀光譜的圖 形,反射波長的位置在MZ
餘弦轉換函數的波峰位置,並不是在1/4
週期相 位點之線性區內。圖3.15(b)
為經過相位調制器,光柵的反射波長已落在MZ
干涉儀的1/4
週期相位點。3.3.2 壓電梁之相位調制器
本研究製作的第二組
MZ
光纖干涉儀之光程差為3
mm,以壓電梁作為 相位調制器。雙晶片壓電(bimorph)
元件被廣泛應用在致動器及感測器上,壓電梁即為一種雙晶片壓電。考慮上下兩片同向偏極的壓電片,中間以銅 薄片將兩片壓電材料結合成一個壓電梁。施加電壓的方式如圖
3.15
所示,銅片部分接負極,上下兩片壓電層以
PI
公司之壓電放大器驅動。從壓電層 的本構方程式可以得知其軸向應變為z x
x d E
Y + 31
=
σ
ε
−
h<
z< −
cand
c<
z<
h(3.14)
壓電層及銅片層的楊式係數為 Y及Y0,壓電常數d31為負值。軸向應變為Yo x x
ε = σ
−
c<
z<
c(3.15)
根據尤拉梁理論,梁的軸向應變為
ε
x = −ρ
z(3.16)
其中,
ρ
為壓電梁撓曲變形的曲率半徑。上下兩片壓電梁在z
方向為同向偏 極。將(3.16)
代入(3.14)
及(3.15)
可以得到x
方向的應力表示式⎪⎪
在文檔中
光纖光柵於板波群速度量測及平面聲源定位之研究
(頁 25-29)