國科會微電子學門研究發展及推動小組
92 年度結案報告
學門召集人：李鎮宜 教授
92 年 11 月
前言：
隨著全球經濟緩步復甦之際，各國政府皆不約而同地思
考如何強化科技產業的競爭優勢，我國亦然。藉由國家
型計畫的推動與科技政策的宣導，以便能掌握到這一波
的經濟成長的動能與契機。
半導體產業是「兩兆雙星」中的政策所規劃的一兆產業，
依目前成長的趨勢，預估在 2006 年可達到兆元以上的產
值。為維持此一產業的持續成長，並符合晶片系統國家
型科技計畫的規劃目標，微電子學門所規劃的重點研究
領域包含奈米級元件及製程，高速元件，射頻電路，單
晶片系統，極低功率設計技術…等，這些重點將以整合
型計畫推動為主，藉由團隊合作的研究模式，來提昇整
體的研發能量和掌握關鍵的技術。
92 年度微電子學門專題研究計畫總共通過 337 件，總金
額為三億二仟六佰零二萬九仟一佰元整。通過的件數較
去年成長 28%，而通過的金額也較去年成長 26%。期盼
未來在大家的努力下，所產生的研發成果能轉化為國內
半導體產業持續成長的動能。
九十二年度國家科學委員會
微電子學門概況
召集人：李鎮宜
Outline
92年學門規劃重點
92年學門成果總覽
92年度會議紀錄
矽導計劃—晶片系統國家型科技計劃
92年度專題計劃成果發表會
92年微電子學門規劃重點
元件與製程 --前瞻性技術 --化合物半導體 --矽基元件與製程技術 VLSI/CAD --晶片系統模組及介面設計 --類比、 混合訊號及RF模組設計 --晶片系統之設計、驗證自動化與EDA特色研究 --極低功率設計技術計劃申請總覽
1,245,872
平均每案
607,985,680
488
總 計
132,754,079
24群
晶片系統設計研究計
劃推動專案
72,465,269
46
化合物半導體
196,549,359
210
VLSI/CAD
132,754,097
149
矽半導體材料與元件
補助金額（NT）
案數
微電子學門
計劃通過總覽
95,853,200
14群
晶片系統設計研究計
劃推動專案
967,445.4
平均每案
326,029,100
337
總 計
30,704,500
26
化合物半導體
103,606,400
130
VLSI/CAD
95,865,000
93
矽半導體材料與元件
補助金額（NT）
案數
微電子學門
各子學門計劃申請/通過狀況
1,089,239
1,180,961
796,969
1,030,807
平均每 件通過 金額 42% 57% 53% 62% 72% 62% 通過率 95,853 88 30,705 26 103,606 130 95,865 93 通過 72,465 46 196,549 210 132,754 149 申請 申請金額 (千元) 案數 申請金額 (千元) 案數 申請金額 (千元) 案數 申請金額 (千元) 案數 晶片系統設計 研究計劃推動 專案 化合物半導體 VLSI/CAD 矽半導體材料 與元件 項目近四年國科會微電子學門計畫申請與核定件數趨勢圖 381 366 431 409 488 236 220 247 273 337 61.90% 60.10% 57.30% 66.75% 69% 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 89(1)年度 89(2)年度 90年度 91年度 92年度 0.00% 10.00% 20.00% 30.00% 40.00% 50.00% 60.00% 70.00% 80.00% 申請件數 核定件數 通過比例 近四年國科會微電子學門計畫申請及核准金額趨勢圖 536,351 526,045 607,985.68 369,696 376,973 326,029 279,800 217,334 168,055 172,070 712.1 879.9 1,024.90 968 54% 53.20% 40.50% 46.50% 44.60% 782.1 0 100,000 200,000 300,000 400,000 500,000 600,000 700,000 0 200 400 600 800 1000 1200 申請經費(千元) 核定經費( 千元) 通過比例 每案平均經費(千元)
國科會微電子學門 元件與製程 vs. VLSI/CAD 之申請/通過件數比較圖 203 221 214 149 185 210 1 191 174 179 180 93 129 127 122 116 130 107 98 114 110 0 30 60 90 120 150 180 210 240 89(1)年度 89(2)年度 90年度 91年度 92年度 元件與製程申請件數 VLSI/CAD申請件數 元件與製程通過 VLSI/CAD通過件數 國科會微電子學門元件與製造 vs. VLSI 計畫申請 / 通過之金額比較圖 (千元) 228,234 234,667 260,575 259,064 151,156 137,420 175,801 196,692 97,045 103,798 103,286 71,010 70,300 98,558.20 278,682.24 196,549.36 95,685 114,252 103,606 78,928 0 50,000 100,000 150,000 200,000 250,000 300,000 89(1)年度 89(2)年度 90年度 91年度 92年度 元件與製程申請金額 VLSI/CAD申請金額 元件與製程通過金額 VLSI/CAD通過金額
近四年VLSI元件與製程件數比
1:1.04
1:1.06
116
191
111
180
91
1:1.05
1:1.16
116
214
110
185
90
1:1.30
1:1.27
127
221
98
174
89-2
1.4:1
1.4:1
93
149
130
210
92
通過
申請
通過
申請
通過
申請
VLSI：
元件與製程
元件與製程
VLSI/CAD
年度
近四年VLSI元件與製程金額比(千元)
1:1:32 1:1.31 126,703 259,065 95,709 196,69291
1:1.31 1:1.48 103,286 260,575 78,928 175,80190
1:1.48 1:1.71 103,798 234,667 70,300 137,42089-2
1.1:1 1.5:1 95,865 132,754 103,606 196,54992
通過
申請
通過
申請
通過
申請
VLSI：
元件與製程
元件與製程
VLSI/CAD
年度
計劃預核總覽
1,194,348.8 1,279,943.5 平均每案 65,956,040 84 176,632,200 138 總 計 83,198,800 68 92,952,400 75 晶片系統國家型暨目標 導向型計劃 4,945,200 4 12,971,900 8 化合物半導體 8,691,600 8 42,725,400 34 VLSI/CAD 3,489,700 4 27,982,500 21 矽半導體材料與元件 補助金額（NT) 案數 補助金額 （NT） 案數 94年度 93年度 微電子學門近五年計劃核定情形
982.1
259,282
526,047
64.5%
264
409
91
967.5
326,029
607,986
69%
337
488
92
879.9
217,334
536,351
57.3%
247
431
90
182.1
172,070
369,696
60.1%
220
366
89-2
712.1
168,055
376,973
61.9%
236
381
89-1
756.1
146,685
278,098
66.2%
194
293
88
每案平均經 費(千元) 核定經費 (千元) 申請經費 (千元) 通過比例 核定件數 申請件數 年度近六年研究人力分析
1431 1035 396 510 12 135 141 213 *92 *92年度數據基準數(回函數) X 3 1214 830 384 448 8 104 145 191 91 821 541 280 413 6 74 150 183 90 722 478 244 332 4 50 117 161 89 710 470 240 319 1 35 127 156 88 657 425 232 278 3 11 131 133 87 總人力 碩士生 博士生 總人力 其他 助理 教授級 副教授級 教授級學
生
師
資
年 度執行研究成果
153
126
189
282
492
315
69
321
*2003
*
*92年度數據基準數(回函數) X 3171
100
182
226
442
263
52
301
2002
47
99
175
480
590
466
66
346
2001
80
148
216
424
576
441
75
382
2000
38
48
111
287
336
299
26
240
1999
EI
期刊 期刊 會議 會議國外
SCI
國內
國外
已獲之專利項數
國內
已發表之論文篇數
年度
推動「矽半導體元件及製程前瞻技術」座談會
會議紀錄
會議時間： 2003 年 3 月 14 日 12：00 am ~ 1：30 pm 地 點： 新竹煙波飯店明湖園中餐廳 主 席： 國科會微電子學門召集人李鎮宜教授 出席人員： 國家奈米實驗室林鴻志副主任及趙天生副主任、工研院電子所蔡銘 進組長、欣詮科技盧志遠董事長、聯華電子盧火鐵副部長、台積電甘萬達副處長、 台大胡振國教授、交大雷添福教授 紀 錄： 周伶霞 一、 召集人綜合說明： 就整個大環境垂直分工的角度來看，不管國內最近最熱門的 IC design 產業，或最近國家 大力推行的矽島計畫，晶圓製造工業都扮演著極為重要的 fundamental 及支援的角色。也 就是說在台灣要有蓬勃發展的 IC 設計產業是必須仰賴一個具有競爭力的晶圓製造業做為 基礎。希望透過這次座談會的開始，建立一個經常性的機制(每三到四個月召開一次座談 會)，將產學業界的意見彙整之後，由微電子學門這方面來推動。期使微電子學門在制定元 件與製程方面的相關計畫及方向時，更能符合整個產業界的脈動與需求，進而強化晶圓製 造之優勢。 二、 討論決議： 1. 加強奈米領域在微電子學門裡的種要性： 在奈米國家型計畫方面 奈米科技的研究在微電子領域中是未來發展的趨勢之一。同 時，此範疇的技術與研究對於提昇國家電子產業的競爭優勢的前景也令人期待，所以 雖然國科會工程處有支援部分的經費於奈米國家型計畫中，是否除了在經費注浥外， 微電子學門可以在此項國家型計畫中扮演更積極的角色；如爭取在奈米國家型計畫中 納入微電子學門部份的重要性及正當性，或加強微電子學門成員在此一國家型計畫所 申請的專案計畫比例。 在微電子學門方面，增加奈米研究專案計畫的比例 近年來因學門增有晶片系統國家 型計畫的補助，所以在 VLSI/CAD 子學門中各項研究計畫經費的撥支比例也應有所調整。 2. 雖然學門所推動的 giga scale integration 有其執行層面上的困難， 但這項整合元件製造與設計資源的計畫，是走在業界的先端，確有其繼續推行的必要。 3. 人才培育的問題 ：近年來台灣在國外期刊所投的論文篇數有明顯的提升，但是否可維 持下去才是重點。所以人才的培養及避免師資的流失相對的就重要許多。另一方面， 業界普遍遇到 a.人力素質的降低 b.留不住人才，往往將晶圓製造業當作進入 IC design 界的跳板的問題。 人才的培養 是否應考慮放寬外國學生來台就學及研究，並鬆綁其在台就業之相關程 序及法令。 師資的流失 正視及檢討大型國家型計畫推動的同時也會造成師資結構的改變。 4. 下次開會時間正值提報 94 年度科技計畫預算編列時期，希望到時大家能提出更具體的 建議及方向，以供微電子學門在編列計畫預算時重要的參考。
SOC 北中南推動方案會議記錄
時間：92 年 7 月 17 日 地點：國家晶片系統設計中心 大會議室 紀錄：周伶霞 出席人員：李鎮宜主任、劉濱達教授、任建葳教授、陳少傑教授、蔡加春教授、吳誠文主任 討論內容： 1. 南區 SOC 推動現況報告 2.中區 SOC 推動現況報告 3.北區 SOC 推動現況報告 結論： 甲、舉辦一 project - oriented 的研討會透過此一會議加強新進老師及北中南成員對微電子學 門的認識，使下年度國科會專題研究計畫申請時，能導入更多的 SoC 成員申請本學門的 計畫，以達到成立此推動方案之初衷。由劉濱達教授主辦。 乙、因新進老師及科技大學或技術學院的老師們比較不易申請到專題研究計畫的補助，未來 還是希望由資深的老師帶領的方式，增加這些新進教師､科技大學及技術學院老師們申 請到經費的機會，也較易建立起良好的 credit。 丙、現今在推廣所遇到的共同問題是經費比例上的問題。因經費設計上的不易變動(而後已 解釋 20%流入 30%流出的規定)尤其是人事費上的不足，往往造成好不容易申請到計畫 但執行人手又不夠的窘境。 丁、於年底的成果發表會多設一議程有關 SoC 北中南成果討論會議，由各區域召集人推薦一 至兩名成員做報告，另在 post 時間也設立 SoC 北中南專區，以顯示具體成果。93 年度國科會晶片系統國家型科技計畫目標導向型整合研究專案研究領域
規劃書討論會議
時間：92 年 9 月 4 日(四) 地點：交大工程四館 424R 出席人員：交大電子系李鎮宜主任、交大電子所任建葳教授、 交大電子所溫瓌岸教授、交大電子周景揚教授 交大電子吳介琮教授、台大電機汪重光教授 清大電機系林永隆教授、成大電機系劉濱達教授、 中原資工系陳美麗教授、清大電機系吳誠文主任 中央電機周世傑教授、中正電機王進賢教授 工研院電子所徐爵民所長 記錄： 周伶霞 • 目標: 依據 ISSCC 研討會所發表之 論文，並參考 IC 設計趨勢，制訂明確技術指標，作為計畫成 果驗收之評估標準，藉以提昇學術界創新技術之能量。 • 重點: 技術指標包含極低功率設計，超高速傳輸電路，多媒體處理器以及奈米製程之實體自動化 等。每一總計畫必須包含陳述國內外現狀以及三年內所欲達成的標的，並分年陳述如何與世 界同步(或超前)進而以一前瞻系統載具驗證所研發技術之可行性。 • 時程: 分兩階段公開徵求 第一階段 9/8 公開徵求，10/8 計畫書截止。(92/11/1 – 95/7/31) : 10/31 書面及口頭 報告， 11/1 核定並執行。 第二皆段(93/8/1 – 96/7/31): 9/8 公開徵求，12/31 截止晶片系統國家型科技計畫
『目標導向型研究專案』 – 公開徵求研究計畫書
壹、前言 國科會工程處已於 91 年度開始推動晶片系統整合型研究計畫，並於 92 年度配合晶片系統國 家型科技計畫的執行，目前有十多件核准案件執行中；內容包含前瞻性系統、平台以及矽智財等 研究計畫，帶動學術界的晶片及系統研究。 為進一步呈現具體的推動成效，國科會將另推動『目標導向型研究專案』，將國際一流會議 的技術指標，作為本專案的參考標的，期望藉由技術層次的提昇，一方面培育更多相關領域的高 科技人才，另一方面，以期帶動國內產業界在國際上的競爭優勢。 貳、推動目標 以國際一流會議(如 ISSCC, DAC,ITC,…等)所發表之論文，並參考 IC 設計趨勢，制定明確技 術指標，作為計畫成果驗收之評估標準，藉以提昇學術界創新技術之研發能量。 參、推動重點 （一）極低功率設計 （二）高效能類比電路 （三）處理器 （四）奈米製程之實體設計(EDA 及 Testing) 肆、計畫內涵 每一總計畫必須包含陳述國內外現狀以及三年內所欲達成的標的及技術指標，並分年陳述如 何與世界同步(或超前)，進而以一前瞻系統載具驗證所研發技術之可能性。 伍、推動時程92/09/10 正式公告 92/10/13 計畫書截止收件 92/10/14∼92/10/24 計畫書審查 92/10/25∼92/10/31 會議審查 92/11/01∼93/07/31 計畫開始執行 陸、申請辦法 『目標導向型研究專案』申請案，請於 10 月 13 日前（以郵戳為憑），提送計畫書(含 1.一 式四份，2.計畫書電子檔案(MS Word 格式))，備函向國科會提出申請，計畫書撰寫時，請採用國 科會專題研究計畫申請書格式，惟請於申請袋上及計畫書首頁加註「晶片系統國家型科技計畫---目標導向型研究專案」字樣，並於計畫歸屬處別勾選「工程處」。 柒、專案推動工作小組 計畫規劃人： 李鎮宜教授（交通大學電子工程系主任） Tel：(03)571-2121ext.54110 E-mail：[email protected] 計畫聯絡人： 潘敏治先生（國科會工程處） Tel：(02)2737-7983 E-mail：[email protected] 林晏妃小姐（NSoC 專任助理） Tel：(02)2737-7371 E-mail：[email protected]
晶片系統國家型科技計畫--公開徵求 93 年度研究計畫書
壹、前言 國科會工程處已於 91 年度開始推動晶片系統整合型研究計畫，並於 92 年度配合晶片系統國 家型科技計畫的執行，目前有十多件核准案件執行中；內容包含前瞻性系統、平台以及矽智財等 研究計畫，藉由這些整合型計畫的推動，已促成學術界在積體電路及系統設計的活躍研究。 93 年度工程處仍將持續推動相關前瞻性技術的整合型計畫，包含一般型及目標導向型研究專 案，一方面培育更多相關領域的高科技人才，另一方面，落實並提昇技術層次，進而強化國內積 體電路及系統設計產業在國際上的競爭優勢。 貳、推動目標 以國際一流會議所發表之論文技術層次，並參考 IC 設計趨勢，制定明確技術指標，作為計 畫成果驗收之評估標準，藉以提昇學術界創新技術之研發能量。 參、推動重點 （五）極低功率設計技術 （六）高頻與高效能類比電路 （七）處理器及相關軟體技術 （八）奈米級製程之實體設計(EDA 及 Testing) 肆、計畫內涵 計畫性質分一般型及目標導向型整合研究計畫，其中目標導向型需符合上述所規劃之推動重 點。 每一總計畫必須包含陳述國內外現狀以及執行期限內所欲達成之標的和技術指標，並分年陳 述如何與世界同步(或超前)，進而以一前瞻系統載具驗證所研發技術之可能性。92/ 10/10 正式公告 92/12/31 計畫書截止收件 93/3/1∼93/4/10 計畫書審查 93/4/10∼93/4/30 會議審查(目標導向型計畫須進行口頭報告) 93/8/1 計畫開始執行 -- 依 NSC 一般作業時程 陸、申請辦法 研究計畫書請於 12 月 31 日前（以郵戳為憑），提送計畫書(含 1.一式四份，2.計畫書電子檔 案(MS Word 格式)，備函向國科會提出申請，計畫書撰寫時，請採用國科會專題研究計畫申請書 格式，若屬於目標導向型計畫，請於申請袋上及計畫書首頁加註「晶片系統國家型科技計畫---目標導向型研究專案」字樣，並於計畫歸屬處別勾選「工程處」。 柒、專案推動工作小組 計畫規劃人： 李鎮宜教授（交通大學電子工程系主任） Tel：(03)571-2121ext.54110 E-mail：[email protected] 周伶霞小姐 (微電子學門專任助理) Tel; (03)5712121 ext.54251; (03)5731849 E-mail : [email protected] 計畫聯絡人： 潘敏治先生（國科會工程處） Tel：(02)2737-7983 E-mail：[email protected] 林晏妃小姐（NSoC 專任助理） Tel：(02)2737-7371 E-mail：[email protected]
九十一年度國科會微電子學門專題計畫研究成果研討會
主 辦 單 位 : 國 科 會微電子學門
承辦單位 : 長庚大學電子系
協辦單位 : 國 科 會工 程 處 工 程 科 技 推 展 中 心
時 間 : 九十二年十一月二十九 日(六) ~ 三十日 (日)
地 點 : 台北縣深坑鄉 麗園會館教育訓練中心
會議議程簡表
會議名稱: 九十一年度國科會微電子學門專題研究計畫成果研討會 會議日期: 92 年 11 月 29 日(六)至 92 年 11 月 30 日(日) 會議地點: 麗園會館 台北縣深坑鄉北深路 3 段 265 號 日期 時間 地點 內容 註 13:30 ~ 14:30 1F Lobby 報到及 check in 14:30 ~ 14:45 B1 嘉賓廳 NSC 工程處長 微電子學門召集人 14:45 ~ 15:00 B1 嘉賓廳 論文獎頒獎 15:00 ~ 15:15 B1 嘉賓廳 NDL 業務說明 15:15 ~ 15:30 B1 嘉賓廳 CIC 業務說明 15:30 ~ 15:50 B1 嘉賓廳外 走廊 休息時間/Coffee Break 學術分組報告討論 15:50 ~ 17:30 B1 嘉賓廳/3F 翡珍廳/3F 琥 珀廳 VLSI/CAD Si/Compound 廠 商 演 講 眷 屬 旅 遊 17:40 ~ 19:00 2F 中餐廳 晚餐(中式) 重要會議參與報告 19:00 ~ 20:00 B1 嘉賓廳/3F 翡珍廳/3F 琥 珀廳 VLSI/CAD Si/Compound 廠 商 演 講 20:00 ~ 21:00 B1 嘉賓廳/3F 翡珍廳/3F 琥 珀廳 北中南 SOC 專題 成果報告 業界交流討論 會 廠 商 演 講 92 年 11 月 29 日 21:00 ~ 22:00 B1 嘉賓廳 /3F 翡珍廳 業界交流討論會 廠 商 演 講 ※ 附帶會議: 21:00 ~ 22:00 3F琥珀廳 積體電路設計學會指導委員會議日期 時間 地點 內容 註 ~7:00 晨遊 7:00 ~ 8:00 1F 西餐廳 早餐 8:00 ~ 9:00 B1 嘉賓廳/ 3F 翡珍廳/ 3F 琥珀廳 Poster 討論時間 9:10 ~10:10 B1 嘉賓廳 邀請演講(1) 10:10 ~ 10:30 B1 嘉賓廳外 走廊 休息時間/Coffee Break 10:30 ~ 11:30 B1 嘉賓廳 邀請演講(2) 11:30 ~ 12:10 B1 嘉賓廳 綜 合座談 眷 屬 旅 遊 12:20 ~ 14:00 2F 中餐廳 午餐 (自助式) 92 年 11 月 30 日 14:00 圓滿結束
VLSI/CAD 學術分組報告討論
時間: 11/29 3:50 ~ 5:30 PM 地點: B1 嘉賓廳
主持人: 清大資工 林永隆教授
A) 3:50 ~ 4:10 PM
台大電子所 陳良基教授
「多媒體通訊系統中可重組化運算技術之研究(1/3)」
B) 4:10 ~ 4:30 PM
清大資工 林永隆教授
「高性能低功率數位訊號處理核心」
C) 4:30 ~ 4:50 PM
交大電子 吳介琮教授
「高性能混合訊號式介面積體電路(1/3)」
D) 4:50 ~ 5:10 PM
中原資工 陳美麗教授
「 時序驅動之實體設計系統」
E) 5:10 ~ 5:30 PM
成大電機 郭泰豪教授
「5GHZ無線區域網路(WLAN)接收機之前端CMOS電路設計」
Si/Compounds 學術分組報告討論
時間: 11/29 3:50 ~ 5:30 PM 地點: 3F 翡珍廳
主持人: 交大電子 雷添福教授
A) 3:50 ~ 4:10 PM
成大電機 王永和教授
「液相氧化法在砷化鎵系列材料元件上的應用(1/3)」
B) 4:10 ~ 4:30 PM
中央電機 詹益仁教授
「利用感應耦合電漿蝕刻技術製作在磷化銦基板之上之毫米波積體
電路」
C) 4:30 ~ 4:50 PM
交大電子 曾俊元教授
「新世代鐵電非揮發性記憶元件(2/3)」
D) 4:50 ~ 5:10 PM
中山電機 李明逵教授
「以MOCVD成長ZnSSe自聚性量子點(2/2)」
E) 5:10 ~ 5:30 PM
交大電子 黃調元教授
「蕭特基能障SOI金氧半電晶體元件研製與分析(II)」
VLSI/CAD
參與國外重要會議報告
時間: 11/29 7:00 ~ 7:40 PM 地點: B1 嘉賓廳
主持人: 台大電子所 張耀文教授
A) 7:00 ~ 7:10 PM
CIC 邱進峰組長 報告參與 ISSCC 會議心得成果
B) 7:10 ~ 7:20 PM
CIC 王鴻猷組長 報告參與 VLSI Sym.會議心得成果
C) 7:20 ~ 7:30 PM
CIC 王仁傑組長 報告參與 ICCAD 會議心得成果
D) 7:30 ~ 7:40 PM
CIC 黃俊銘組長 報告參與 DAC 會議心得成果
Si/Compounds
參與國外重要會議報告
時間: 11/29 7:00 ~ 7:40 PM 地點: 3F 翡珍廳
主持人: 成大電機 王永和教授
A) 7:00 ~ 7:20 PM
交大電子 荊鳳德教授 報告參與 IEDM 會議心得成果
B) 7:20 ~ 7:40 PM
中央電機 詹益仁教授 報告參與 SSDM 會議心得成果
北中南SOC專題成果報告
時間: 11/29 7:40 ~ 8:40 PM 地點: B1 嘉賓廳
主持人: 台北科大 蔡加春教授
A) 7:55 ~ 8:10 PM 北區
聖約翰技術學院(原新埔技術學院) 電機系 簡忠漢 副教授
「嵌入式內核系統應用於可程式系統晶片之除錯架構研究」
B) 8:10 ~ 8:25 PM 中區
國立聯合大學 電子系 陳宏偉教授
「射頻通訊數位類比轉換器的系統設計與實作」
C) 8:25 ~ 8:40 PM 南區
義守大學 資訊工程系 金明浩副教授
「提昇高性能系統核心之速度.可靠度和私密性之 IP 研究」
Si/Compounds
專題演講及業界交流討論
時間: 11/29 7:40 ~ 10:00 PM 地點: 3F 翡珍廳
主持人: 交大電子 莊紹勳教授
A)7:40-8:10 專題演講 聯電 廖寬仰部長
Advanced Foundry Technology Challenges
B)8:10-8:40 專題演講 工研院電子所 蔡銘進組長
C)8:50-9:20 專題演講 臺積電 梁孟松協理
Advanced Gate Stack and Cu/Low-k Interconnect
Technologies
D)9:20-10:00 Panel discussio
Si/Compounds
專題演講
Advanced Foundry Technology Challenges
廖寬仰部長 聯華電子公司
中央研究發展部/先進模組暨先期技術開發
Abstract
The migration to Cu interconnects technology and manufacturing with 300 mm wafers have been successfully achieved at 0.13um technology node. While carrying the experience learned, 90nm generation would resume the pace of CMOS scaling down without any major technology difficulties insight. However, significant technological difficulties lay ahead for continuous CMOS scaling to generations beyond 65nm node. New materials/ transistor schemes are proposed to overcome these technology barriers with examples such as high k dielectrics as a solution to high gate leakage current, metal gate for work function adjustment, strain silicon to increase mobility and drive current, and ultra low k dielectrics for increased RC delay issues. In addition, advanced lithography solution remains unclear for high N.A. process beyond 193nm wavelength. All these new materials/technologies create new set of challenges and would need extensive research efforts before being implemented in mass production. This talk will describe UMC view on these challenges for advanced foundry technology.
Si/Compounds
專題演講
奈米應用技術與半導體產業-產學研合作的新契機
工業技術研究院電子工業研究所
奈米電子元件技術組
蔡銘進組長
AbstractThe progress of nano-science and nano-technology has brought great impact on practically every aspect of the industry involving modification and improvement of materials. The earnest needs to combine science and technology also serves as a good driving force for industry, academia and research groups to co-work more closely and intensively. It is especially prominent for an industry like the
semiconductor which is primarily based on the nanoelectronics technology. The allocation of the R&D resources on topics at various stages of development has to be carefully planned. In this presentation, the research topics, including Non-volatile Memory Devices (MRAM, OUM and OBD), CMOS-related processes (High K and Strained Si) and New materials/Devices (CNT/Si NW FET), conducted at ERSO/ITRI will be addressed with the latest results. New models of collaboration by newly implemented programs in ITRI with the academia (自主性前瞻計畫，學研合作計畫) and industry (奈米檢測與製程共同實驗室者聯盟，奈米電子共同實驗室使用者聯盟) will also be presented with examples and for further discussion.
Si/Compounds
專題演講
Advanced Gate Stack and Cu/Low-k Interconnect Technologies
梁孟松 協理
臺灣積體電路製造公司研究發展部
manufacturing for better economy scale also imposts new production risk and huge R&D investment. Therefore, a smooth transition to cope with all challenges is critical to maintain competitive.
Key barrier in advanced front-end process is thin gate dielectric in the range of 1nm with low leakage. Incorporation of nitrogen into thermal oxide can effectively suppress direct tunneling current. However, it introduces the unexpected device damages, such as mobility degradation and NBTI. Further scaling of gate dielectric thickness requires implementation of hi-K dielectrics due to its thicker dimension. Hf oxide has been a prime candidate for the industry so far. The integration with conventional CMOS process still requires breakthroughs in the areas of film trapped charges, interface property, & long-term reliability.
Further metal pitch scaling brings undesired interconnect RC performance degradation. The implementations of Cu and low-K dielectric are the must to alleviate the trend. Low-K materials in general are in the porous forms, and therefore have less density, and modulus. These weak chemical and mechanical properties result in the complicated integration flow. Besides, poor interface with metal film could have severe die package and reliability issues.
The presentation will be focused on front-end hi-K integration as well as back-end Cu/low-K interconnect, from device, reliability, and manufacturing aspects.
邀請演講及學門座談
邀請演講 (一)
時間: 11/30 9:10 ~ 10:10 AM 地點: B1 嘉賓廳
引言人: 台大電子所 陳良基教授
主講者:工研院 徐爵民副院長
講 題: 微電子技術的未來
邀請演講 (二)
時間: 11/30 10:30 ~ 11:30 AM 地點: B1 嘉賓廳
引言人: 長庚電子 馮武雄教授
學門綜合座談
時間: 11/30 11:30 ~ 12:10 AM 地點: B1 嘉賓廳
主持人: 交大電子 李鎮宜教授
九十一年度國科會微電子學門專題計畫研究成果研討會
住宿 : 麗園會館 台北縣深坑鄉北深路3段265號
Tel: (02)2217-5361 Fax: (02)2662-7428
會議室: B1嘉賓廳、3F翡珍廳、3F琥珀廳
用 餐: 2F中餐廳、1F西餐廳 住房: 5F ~ 17F
交通資訊
停車場說明 1. 麗園會館右側可通往麗園地下室停車場（有五十個車位）。2.
另在麗園對面的巷子（郵局旁邊）直走 50 公尺，可通往一室內停車場，其中停車場二樓（有麗園會館 （265 號） 往 麗 園 地 下 室 停 車 場 郵局 室內停車場 （請停在二樓） 7-11 便利 商店 CIA 世貿 科學園區 CIA 世貿 科學園區 深坑鄉北深路三段
