國 立 交 通 大 學
電 子 工 程 學 系 電 子 研 究 所
碩 士 論 文
以新穎降電場結構改善低溫多晶矽薄膜電
晶體特性之研究
Study on the Novel Drain-Relief Structures in
Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin
Film Transistors to Improve the Device
Characteristics
研 究 生：廖 大 傳
指導教授：鄭 晃 忠 教授
中華民國 九十四 年 七 月
以
以
新
新
穎
穎
降
降
電
電
場
場
結
結
構
構
改
改
善
善
低
低
溫
溫
多
多
晶
晶
矽
矽
薄
薄
膜
膜
電
電
晶
晶
體
體
特
特
性
性
之
之
研
研
究
究
Study on the Novel Drain-Relief Structures in Low-Temperature
Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors to Improve the
Device Characteristics
研 究 生 : 廖大傳 Student : Ta-Chuan Liao
指導教授 : 鄭晃忠 博士 Advisor : Dr. Huang-Chung Cheng
國立交通大學
電子工程學系 電子研究所 碩士論文
A Thesis
Submitted to Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao-Tung University
in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master in
Electronics Engineering July 2005
Hsinchu, Taiwan, Republic of China
