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電子束與物質交互 作用所產生的訊號,如圖2-2-1 所示

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Academic year: 2021

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第二章 實驗方法與步驟

本章將針對超解析近場結構的製作過程做一簡單描述,並對其變 溫光譜與常溫光譜的儀器與實驗流程做詳細介紹

2-1 鍍膜儀器設備與超解析近場奈米結構製作流程

超解析近場奈米結構的製作,是採用日本 SHIBAURA 公司的 CFS-4ES 型三靶 RF 濺鍍機將薄膜濺鍍完成。(以下樣品鍍膜由高宗 聖學長製做)

2-1-1 濺鍍機(sputter)簡介

濺鍍機(sputter)架構示意圖,如圖 2-1-1 所示:

2-1-1 濺鍍機的架構示意圖

機 台 主 要 包 括 了 真 空 腔 體(Vacuum Chamber) , 冷 凍 幫 浦 (Cryo-pump),機械幫浦(Rotary-pump),兩個 pirani 真空計(pirani

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gauge)以及一個離子真空計(ion gauge),並且在真空腔體連接三個 氣流控制閥,控制濺鍍時所需的氬氣,濺鍍氧化銀、氮化矽所需的氧 氣及氮氣。

2-1-2 濺鍍機之週邊配件

a.靶材

(1) Ag (9.999%) Size:φ 3"x 3 mmt With Cu Backing Plate (2) Ge2Sb2Te5 (9.99%)

Size:φ 3"x 3 mmt With Cu Backing Plate (3) ZnS/SiO2 80/20 (mol%)

Size:φ 3"x 3 mmt With Cu Backing Plate b.氣體

氣體包括了氬氣 Ar(純度等級 5N 一瓶,提供濺鍍之電漿氣 體之用),氧氣 O2(純度等級 4N 一瓶與靶材(銀)共同產生氧 化銀之濺鍍薄膜),氮氣 N2 (純度等級 4N 兩瓶 5N 一瓶共 三瓶,分別提供破真空、冷凍幫浦之再生過程,以及與靶 材(矽)共同產生氮化矽之濺鍍薄膜之用)。

c.冰水機

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在濺鍍機進行超解析近場奈米結構的製作時,需通以冷卻 水進行靶材之冷卻,而冷卻水的潔淨程度將會影響靶材效 能,繼而影響濺鍍的品質,因此採用去離子水為冰水機之 內循環冷卻水。

樣品定義

我們對單層氧化銀薄膜與包夾層氧化銀薄膜結構的定義如圖 2-1-2 所示,圖 2-1-2(a)為單層氧化銀薄膜濺鍍在蓋玻片上,圖 2-1-2(b) 為包夾層氧化銀薄膜結構濺鍍在蓋玻片上。因為樣品是利用濺鍍上去 我們可是其為均勻混和的 AgO、Ag2O、Ag-rich 和 O2,依其比例不 同的混和物,所以稱為AgOx

2-1-2 (a)單層氧化銀薄膜結構 (b)包夾層氧化銀薄膜結構

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2-2 電子顯微鏡

電子顯微鏡 (Electron Microscope,EM) 的基本工作原理是利 用電磁場偏折以及聚焦電子,以入射電子與量測樣品之間的交互作用 後所產生的訊號來研究物質構造、微區域晶體結構、微細組織、化學 成份、化學鍵結和電子分佈情況的電子光學裝置。電子束與物質交互 作用所產生的訊號,如圖2-2-1 所示。

2-2-1 電子束與物質交互作用所產生的訊號[35]

2-2-1 場發射鎗掃描式電子顯微鏡

1938 年,von Ardemme 將穿透式電子顯微鏡裝上掃描線圈製 成第一部掃描穿透電子顯微鏡 (STEM);1942 年,Zworykin 等人首 先以掃描式電子顯微鏡 (SEM) 觀察厚試片,當時鑑別率只有 1µm,

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經過不斷改進如減小電子束大小、改進雜訊比等,得到 500Å 的鑑別 率;1960 年,Everhart 和 Thornley 使用閃爍器 (Scintillator),增進 了信號收集的功能,使得較弱的對比也可觀察到。自從1965 年以來,

SEM 已非常普遍地應用在許多領域上,如材料、生物、醫學、電子 等;它除了可觀察三度空間的立體影像外,亦可加裝X 光 (X-ray) 的 偵測器,如能量散佈光譜儀 (Energy Dispersive Spectrometer,EDS) 或波長散佈光譜儀 (Wavelength Dispersive Spectrometer,WDS) 等,來作化學成份的分析。

由於光與物質之間的交互作用,和物質的表面形貌與結構組成相 依,所以我們使用場發射鎗掃瞄式電子顯微鏡 (Field Emission Scanning Electron Microscope,FE-SEM),對所測試的樣品表面形 貌獲得高解析度,其附加的能量分散光譜儀 (Energy Dispersive Spectrometer,EDS),可以對樣品的元素比例進行分析,藉以猜測 組成方式及結構;對於不同樣品的元素比例,也可以做相互的比較。

2-2-2 場發射鎗掃瞄式電子顯微鏡之基本架構與原理 場發射鎗掃瞄式電子顯微鏡的成像

場發射鎗掃瞄式電子顯微鏡 (FE-SEM) 的成像,主要是以面掃 描方式 (Area Scanning)。電子束掃描樣品之表面 (XY 區),同時陰 極射線管 (Cathode Ray Tube,CRT) 會以一對一的對應方式,以點

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的明暗來顯示 XY 區的像,點的明暗程度即代表信號的強弱,如圖 2-2-2 所示。對場發射鎗掃瞄式電子顯微鏡 (FE-SEM) 而言,放大倍 率僅依靠掃描線圈的調整,放大倍率M=L/l,L 為陰極射線管 (CRT) 上的長度,l 為樣品上的長度,隨著放大倍率的增加,在試片上之掃 描長度變小。當放大倍率改變時,影像並不隨著旋轉 (此點與穿透式 電子顯微鏡 (Transmission Electron Microscope,TEM) 不同)。

我們利用日本JEOL 公司製造,型號 JSM-6700F 的場發射槍掃 瞄式電子顯微鏡 (FE-SEM)來觀察氧化銀薄膜的 SEM 影像分析氧化 銀薄膜不同厚度的結構。其樣品結構由上而下為 AgOx (15nm, 30nm, 45nm, 60nm) \ ZnS-SiO2 (130nm) \Silicon。

2-2-2 面掃瞄原理示意圖,放大倍率 M=L/l

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能量分散光譜儀

能量分散光譜儀 (Energy Dispersive Spectrometer,EDS) 的工 作原理為利用逆偏壓 (Reverse bias) 的 p-i-n 矽偵測器,偵測器內含 有鋰 (Li) 雜質,每一入射 X 光就會產生光電子,其又放出大部份能 量形成電子-電洞對 (Electron-hole pairs)。由於外加電壓使得電子及 電洞移動產生脈波,此電壓脈波以多頻道分析器 (Multi-Channel Analyzer,MCA) 計數。每一入射的光子所能產生之電荷數為 n=E/ε,

ε 為物質中電子的脫離能,E 為光子總能量。由於產生的信號強度非 常微弱,所以必須經過放大,放大信號再經多頻道分析器 (MCA) 計 數,每一個信號對應一個電壓脈波,使得可以同時計數許多不同脈 波,因此可以同時分析許多元素。

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2-3 變溫顯微聚焦光譜儀器設備與實驗

物質的組成成份和結構上的排列方式,對於不同入射光波長的穿 透性質以及其和物質間的交互作用,有很大的相依性[36-39],我們利用 LEICA MPV-SP spectral photometer 和 LinKam TMS94 加熱平台共 同操作進行變溫顯微聚焦光譜,模擬雷射光聚焦在小面積下,不同溫 度時氧化銀(AgOx)的穿透率變化,以下對其儀器與實驗流程分開敘 述:

2-3-1 LEICA MPV-SP spectral photometer

2-3-1 LEICA MPV-SP spectral photometer (a) Reflection mode (b) Transmission mode

LEICA MPV-SP spectral photometer 基本上是一台光學顯微鏡 隨著光譜儀連接各項電子設備及電腦。有兩個作為光源的燈為鹵素燈 (Halogen lamp 12V,100W),主要操作的模式有兩種方式,上方的 燈源是用於做反射模式的,下方的燈源則是用於穿透模式的。波長的 量 測 範 圍 為 400nm 到 800nm 。 如 圖 2-3-1(a) 所 示 反 射 模 式 (Reflection mode):光由上方光源射入,經過光路,經過上方物鏡

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(Objective Lens,LEICA GERMANY 566040 ∞/1.8 Qu. N PLAN H 50X N.A.=0.5)聚焦到樣品上,再經物鏡收反射光,經過光路可傳到 目鏡可以由接目鏡 (Eye piece 10X) 觀察影像,或由電荷耦合器件 (Charge Coupled Device,CCD (DC300)) 將影像在電腦螢幕上展 示 。 而 反 射 光 譜 的 資 料 可 以 由 接 著 光 譜 量 測 的 光 電 倍 增 管 (Photometer Tube) 獲 得 。 圖 2-3-1(b) 穿 透 模 式 (Transmission mode):光由上方光源射入,經過光路,以一聚焦透鏡 (Condenser

Lens,LEITZ WETZLAR GERMANY 170/- L,20X,N.A.=0.32)聚 焦到樣品上,在經由物鏡收穿透光同樣可將穿透光導到目鏡、CCD。

而穿透光譜的資料可以由接著光譜量測的光電倍增管 (Photometer Tube) 獲得。

2-3-2 LinKam TMS94 加熱平台

LinKam TMS94 加熱平台是利用內部銀製的檔板 (Silver block window) 通電加熱樣品,直徑為 1.3mm。如圖 2-3-2 所示,由下依 序在銀製擋版上放導熱玻璃(glass)、樣品、銅製墊片(spacer)、

導熱玻璃、銅製墊片和導熱玻璃,在將上方保護玻璃鎖緊,使樣品在 加熱平台內加熱。利用外接控制器一次可設定九段加熱,加熱台可由 室溫加熱至600℃,依其所需可設定初溫、末溫、每分鐘的加熱速度

(rate)和保溫時間(time)。

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圖 2-3-2 LinKam TMS94 加熱平台示意圖

2-3-3 變溫聚焦光譜實驗流程

2-3-3 變溫聚焦光譜實驗流程示意圖

如圖 2-3-3 所示,變溫聚焦光譜實驗是採取穿透模式量測穿透率

(Transmittance),先量測背景值,將準備好的背景蓋玻璃置於玻

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璃夾層內放在銀製檔板之上,以得到穩定的加溫。下方光源經由底部 光路,通過聚焦透鏡、加熱平台下方保護玻璃聚焦到背景蓋玻璃,接 著將通過樣品的穿透光以物鏡收光,收光範圍為 0.44mm×0.44mm

(Side of View=0.44mm) ,將其穿透光譜強度的資料可以由接著 光譜量測的光電倍增管獲得,將其獲得的穿透光強度訂為 I0。再將準 備好的氧化銀(AgOx)奈米薄膜取代背景蓋玻璃再量測一次,將其 獲得的穿透光強度訂為It,我們定義穿透率

I0

T = It

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2-4 平行光室溫光譜儀器設備與實驗

平 行 光 室 溫 光 譜 儀 器 實 驗 是 由 Hitachi U-3310 UV/Vis spectrophotometer 所量測,其與變溫光譜不同處在於,所量測的穿 透光譜為正向穿透、室溫與大範圍照射區域面積量測,以下就實驗儀 器與實驗流程分開描述:

2-4-1 Hitachi U-3310 UV/Vis spectrophotometer

圖2-4-1 Hitachi U-3310 UV/Visible 光譜儀設備架構圖

Hitachi光譜儀的設備裝置如圖2-4-1所示。量測的光源為平行 光,垂直通過樣品表面,波長範圍為190nm到900nm。光源為碘化鎢

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(Tungsten-iodide (WI) Lamp) 提 供 可 見 光 的 波 段 ; 氘 燈 (Deuterium (D2) Lamp) 提供紫外光的波段。光源的切換位置可在波 長為325nm到370nm之間選擇。在我們的實驗中,我們選擇燈源變換 在波長為345nm的位置。由圖2-5所示,光源由碘化鎢燈 (WI Lamp) 或是氘燈 (D2 Lamp) 出發,經鏡面 (Mirror 1) 反射、濾光器 (Filter 1,可防止由樣品反射回來的光)、光柵 (Grating 1),將來自選擇的 光源的光聚焦在多傾斜角相差修正的光柵 (Variable pitch aberration corrected diffraction grating,Grating 2),使得主要波段的單色光 (Main monochromator) 經過。接著,光聚焦在一旋轉鏡面 (Rotating mirror) 以分成通過樣品和參考的光束,一道光束通過參考比較用的 背景作為參考光束(Reference beam);另一道光束則通過樣品作 為量測光束(sample beam)。參考光束和量測光束通過背景和樣品 後,聚焦在光電倍增管 (Photo-Multiplier Tube,PMT R-928),可以 記錄波長由190nm到900nm的穿透強度。其中入射光照射區域為為 5mm×10mm。

2-4-2 平行光室溫光譜實驗流程

先將沒有鍍膜,做為參考比較用的蓋玻片 (Cover glass)放在參 考光路上,蓋玻片的厚度為0.6mm~1.2mm;將蓋玻片上鍍有不同厚 度、膜層結構的近場超解析結構氧化銀奈米薄膜樣品放在樣品光路

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上。參考光束和量測光束通過參考用蓋玻片和樣品後,聚焦在光電倍 增管 (Photo-Multiplier Tube,PMT R-928),分別得到通過參考用蓋 玻 片 的 光 強 度I0和 通 過 薄 膜 樣 品 後 的 光 強 度It, 將 穿 透 率

(Transmittance)定義為T I0

It

=

數據

圖 2-2-2  面掃瞄原理示意圖,放大倍率 M=L/l
圖 2-3-1 LEICA MPV-SP spectral photometer (a) Reflection mode (b)  Transmission mode
圖 2-3-2 LinKam TMS94 加熱平台示意圖

參考文獻

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