國立臺東高級中學第二次期中考電子學

(1)

國立臺東高級中學

^{102 學年度}

第一學期

第二次期中考電子學卷別：試題卷

範圍：ch 8 至 ch 9 畫答案卡：□是■否適用班級：3 年 4 班(資技) 一、單選題：每題 2.5 分、共 75 分

1.如圖所示，

V

_DS



10V，則

V

_GS為 (A)+2.5V (B)–3.5V (C)–2.0V (D)–2.5V

k  6 G D

S V

 20

 k

 2 M 1

2.下列 JFET 的關係式何者錯誤？(A)

⁽ ¹ ⁾

²

P GS DSS

D

V

I V

I  

(B)

P GS V D V

I  0

_ (C)

I

_G



0

(D) I

_S

  I

_D

3.下圖電路的偏壓，

I

D的正確數值為多少？(A)

I

_D

 4 . 785 mA (B) I

_D

 5 . 625 mA

(C)

I

_D

 6 . 25 mA

(D)

I

_D

 6 . 95 mA

S D G

 M 1

V 2

I

D

2 k  V

 20





V 8 mA 10

)

(

 



off GS DSS

V I

4.如圖所示電路，若

V

_GS(_off)

  ⁴ ^V

，

I

_DSS



16mA，求

V

_GS



？ (A)-2V (B)-4V (C)-8V (D)-10V

 00k 1

 k 900

G D S

0V 2

 k 3

 k 1

5.若下圖的

V

_GS

 

2V且

V

_D

 12 V

，則

R

_S應為(A)1.82kΩ (B)2.5kΩ

(C)3.5kΩ (D)4.6kΩ

 k 45

 k 90

G D S

R

S

V

 12

 k 5 . 1

V

 15

(2)

6.若下圖的 MOSFET 之

I

_DSS



10mA，

V

_GS(_off)

  ⁴ ^V

，偏壓

V

_DS



？(A)3 伏特 (B)4 伏特 (C)5 伏特 (D)6 伏特

V



20

.5k  1 G

D S

7.如下圖所示電路，若

I

_DSS



4mA，

V

_GS₍_off₎

  4 V

，求 V

DS

為多少？ (A)2.5V (B)5V (C)7.5V (D)9.1V

0V 1

G S D

M

9

M 1



00 4

8.如下圖所示之電路，已知 JFET 之

I

_DSS



4mA，夾止電壓

V

_P

  4 V

，

V

_GS

 

2V，若 JEFT 工作於飽和區，則

R

S 約為何？

(A)25kΩ (B)22kΩ (C)15.56kΩ (D)12.2kΩ

R

S

R

G

D

S R

D

V



20 V



20

9.如圖所示電路，若汲極電流

I

_D

 3 mA

，則閘-源極電壓

V

GS為何？ (A)+3V (B)+1V (C)–3V (D)–1V

V

CC





k 1



k 2

R

S

D S R

D

R

G 1M



10.下列何者為增強型 N 通道 MOSFET 之符號？

(A)

_G

D

S

(B)_G

D

S

(C)_G

D

S

(D)_G

D

S

11.何種 FET 在不加閘極電壓時沒有通道產生？ (A)JFET (B)N 通道 MOSFET (C)空乏型 MOSFET (D)增強型 MOSFET

(3)

12.如圖(a)所示為增強型 MOSFET 特性測試電路，圖(b)為其輸入特性曲線。若調整

V

_GS電壓，使

V

_DS



6V，則此時之

V

_GS約為多少？ (A)2V (B)4V (C)6V (D)8V

I

D

V

DS

V

GS

D G

S 

 R

_D



k 3

V

DD

2V 1

0 ) mA

D(

I

) V

GS(

V

2

1 3 4 5 6

2 1

3

4

5 6 7 8

(a) (b)

13.下列 MOSFET 元件之電路符號，何者不是 N 通道型式？ (A)

D

S

G B (B)

D

S G

(C)

D

S

G B

(D)

D

S G

14.場效電晶體的互導

g

m為 1mA/V，若採共汲極放大器，負載電阻為 10kΩ，則放大倍數為 (A)0.5 (B)0.8 (C)0.91 (D)10

15.如圖所示電路，小信號模型的輸出電阻

r

d 可忽略，則電壓增益



i o

v

？(A)

S m

D m

R g



1

(B)

S D m

R R g



1 (C)  g

m

R

D (D)

m D

g R

 

1 v

i

v

o

R

G

V

DD

R

D

R

S

C

S

C

G

C

D

16.關於下圖的電路特性，下列敘述何者錯誤？

(A)輸入與輸出信號同相 (B)為一 CS 放大器 (C)輸入阻抗 Z

i

 R

G (D)

C

S的目的為提高交流電壓增益

V

DD

v

o

v

i

C

^C

R

D

R

S

C

_S

R

G

C

I

D

17.如圖，

g

_m為 2mA/V，

R

_D



6k



，

R

_G

 6 M 

，

R

_S

 1 . 5 k 

，則電壓增益為多少？ (A) –3 (B)–6 (C)–12 (D)–18

V

DD

v

o

v

i

R

D

R

S

C

_S

R

G

Q

1

C

o

C

i

(4)

18.如圖所示電路，若互導

g

_m

 2 mA V

，

R

_S

 2 k 

，

R

_D



5k



，則電壓增益

A

_v為多少？ (A)4 (B)10 (C)–4 (D)–10

v

i

G D S

R

D

R

S

v

o





V

^DD

C

S

C

_D

Z

o

Z

i

19.如圖電路，

r

_d

 60 k 

，

g

_m

 2 . 5 mA V

，

R

_G

 1 . 2 M 

，電路的電壓增益

A

_v為？ (A)–100 (B)–50 (C) –33 (D) –10

V

DD

v

o

v

i

R

G

 0k 3





V

^GG

C

1

C

2

i

o

i

20.如圖所示之場效電晶體電路，已知汲極電阻參數

r

_d

 

，互導參數

g

_m

 0 . 8 mA V

，

R

_S

 12 k 

，

R

_L

 6 k 

，則電壓增益

i o

v

之值為何？

(A)0.76 (B)0.83 (C)0.95 (D)1.08

V

DD

C

1





C

R

S

R

_L

R

1

R

2









v

i

v

o

21.如圖所示電路，若

g

_m

 2 mA V

，

R

_S

 2 k 

，則其輸出阻抗

Z

o為多少？

(A)400Ω (B)333Ω (C)250Ω (D)100Ω

V

DD



v

o

v

i

R

S

 50k 2

22.對一源極隨耦器而言，下列敘述哪一項是正確的？ (A)電壓增益小於 1 (B)電壓增益大於 1 (C)輸出阻抗高 (D)輸入信號與輸出信號反相

23.如圖所示電路，當輸出由

v

o取出時，若小信號模型的輸出電阻

r

_d可忽略，則電壓增益



i o

v

？(A)

S m

R g

 1

(B)

S m

R g

 

1

(C)

S m

R g



1

(D)

S m m

R g g

 

1 R

S

V

DD

v

o

R

D

v

i

R

G

C

G

C

S

(5)

24.有關下圖電路，假設

r

_d甚大，則下列敘述何者有誤？(A)電路為源極隨耦器 (B)閘極電流

I

G

^ ⁰

(C)電壓增益

S m

v

g R

R A g

  1

(D)輸出阻抗

S

m

o

R

Z  g 1 

RS

VDD

vo

RD

CS

vi

CG

RG

25.如圖所示電路，若互導

g

_m

 2 mA V

，

R

_S

 1 k 

，

R

_L



1k



，求中頻段電壓增益為多少？(A)0.5 (B)0.67 (C)0.8 (D)1

V

DD



v

o

v

i

R

S

G D

S R

G



k 1

R

L



k 1

Z

o



M 1

i

o

26.如圖所示為共源極 MOSFET 放大電路，若

g

_m



2mA V，

r

_d

 20 k 

，則其電壓增益約為 (A)–10 (B)–4 (C)10 (D)4

v

i





V

DD



R

D

2 k 



v

o



27.N 通道增強型 MOSFET 的臨限電壓（threshold voltage）為 2V，當

V

_GS

 5 V

時，MOSFET 工作於飽和區（夾止區），且

mA



3

I

D 。若

V

_GS

 8 V

，則轉移電導

g

_m為何？ (A)1mS (B)2mS (C)4mS (D)6mS

28. JFET 作為放大器使用時，必須偏壓在何區域？ (A)歐姆區

(B)定電流區 (C)崩潰區 (D)截止區

29.某一 JFET 之

I

_DSS

 10 mA

，

V

_GS₍_off₎

  4 V

，試計算在零偏壓點

V

_GS

 0

的

g

_m值為多少？(A)2.5mA/V (B)5mA/V (C)7.5mA/V (D)10mA/V

30.如下圖所示共源極放大電路，若

g

_m



2mA V，

r

_d

 20 k 

，則其電壓增益約為多少？(A)–10 (B)–4 (C)10 (D)4

V

DD

v

o

v

i

R

D

 k 2









(6)

二、非選擇題：每題 5 分、共 25 分

1.如下圖所示電路，若

g

_m



2mA V，

r

_d

 

，則電壓增益

i o

v

約為多少？-10

R

G

V

DD

R

D

v

o

R

S

v

i

 k 5



 500 M 10

C

2

C

1

C

S

2.如下圖所示之 JFET 放大電路，若

g

_m



2mA V，

r

_d

 

，共源極放大電路？-5

V

DD

v

o

v

i



k 5



500

M 1 R

i

R

o

3.如下圖所示電路，若場效電晶體

r

_d

 30 k 

，

g

_m

 2 mS

，則此電路在低頻時的電壓增益

i o

v

為多少？-15

V

DD



G D S

v

o

v

i

V

DD

 0k 1

R

D

4.如圖 FET 放大器交流等效電路，

g

_m



2mA V，求電壓增益為多少？

-3.33





v

gs

G

S

D

gs m

v



g

M

1

5 k 



 v

i



 v

o

 k 1

5.下圖所示之 FET 放大器中，

) (

t v

t A v

i o

v



為小信號之電壓增益，試問移除旁路電容

C

_B後，其

A

_v 與移除前比較有何不同？

電壓增益變大

(7)

) (t

v

_o )

(t

v

_i



k 1

V



20



k 2

C

B



k 20



k 20

(8)