氧化鋅奈米桿陣列之製備及其在氣體感測上之應用

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告

氧化鋅奈米桿陣列之製備及其在氣體感測上之應用 研究成果報告(精簡版)

計 畫 類 別 ： 個別型

計 畫 編 號 ： NSC 98-2221-E-011-083-

執 行 期 間 ： 98 年 08 月 01 日至 99 年 07 月 31 日 執 行 單 位 ： 國立臺灣科技大學化學工程系

計 畫 主 持 人 ： 劉進興

計畫參與人員： 碩士班研究生-兼任助理人員：黃俞齊 碩士班研究生-兼任助理人員：許雅涵 碩士班研究生-兼任助理人員：林揚智

報 告 附 件 ： 出席國際會議研究心得報告及發表論文

處 理 方 式 ： 本計畫可公開查詢

中 華 民 國 99 年 10 月 07 日

氧化鋅奈米桿之缺陷控制及其氣體感測性質之研究

Studies on the defect control and the gas sensing properties of ZnO-nanorods NSC-98-2221-E-011-083

黃俞齊,劉進興 國立台灣科技大學化工所 中文摘要

本研究主要分為兩部分，第一部分為利 用噴霧裂解法成長氧化鋅種晶層，再藉由水 熱法製備氧化鋅奈米桿，將其做為氣體感測 元件，應用於檢測乙醇氣體。第二部分主要 藉由材料的改質以提升感測效能。本研究著 重於氧化鋅晶格中的缺陷組成，對於感測特 性的影響。

在此實驗中我們利用退火處理及電漿改 質來改變材料中的缺陷組成，並以 PL 及 XPS 觀察氧化鋅中缺陷的變化，以期改善氧化鋅 奈米桿的感測靈敏度。

氧化鋅奈米桿在螢光光譜的分析下擁有 兩個較明顯的波峰，分別為~380 nm(UV 放光) 以及 450~700 nm(缺陷放光)，其中缺陷放光的 強度越強，表示奈米桿缺陷濃度越高，而這 些缺陷經熱處理後皆有明顯的下降，但是經 由氬氣退火後的奈米桿缺陷濃度提高，而且 會隨著退火溫度的不同而有波鋒 shift 的現 象，並且存在一最佳退火溫度 450^OC，有效的 提升氧化鋅奈米桿表面缺陷濃度，並提高感 測的靈敏度。本研究也利用氧氣電漿處理的 方式，提高表面吸附的氧離子以及相關的缺 陷濃度，成功的提升了氧化鋅奈米桿的感測 靈敏度。

關鍵字：氧化鋅奈米桿、缺陷、氣體感測。

Abstract

This research project consists of two parts.

In the first part, we deposited a ZnO thin film by spray pyrolysis, and then grew ZnO nanorods on the seed film by hydrothermal method. The resultant samples were then studied for ethanol gas sensing. In the second part, the ZnO nanorods were plasma-treated to modify the surfaces in order to improve the gas sensitivity.

Our study focuses on the effect of defect composition on the gas sensing property.

For ethanol gas sensing, the ethanol molecule reacts with the surface oxide ion, and the formation of oxide ions can be correlated to the oxygen defects in ZnO. The defect composition can be varied by the thermal annealing as well as the plasma treatment. The changes in defect composition can be monitored by X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Photoluminescence (PL) spectroscopy.

There are two peaks appeared in the PL spectrum, which are located at ~380 nm (UV emission) and 450~700 nm (defect emission), respectively. A large defect emission peak indicates a high defect concentration in the ZnO nanorod. In general, the defect concentration can be suppressed by thermal annealing in various atmospheres. However, annealing in Ar will increase the defect concentration and also cause a shift in the defect emission peak to an amount depending on the annealing temperature. An optimum temperature of 450^OC was found for annealing in Ar to achieve the best ethanol gas sensitivity. We also can employ the oxygen plasma treatment to raise the concentration of surface adsorbed oxide ions, and to enhance the gas sensitivity of ZnO nanorods

Keywords: ZnO nanorod, defect, gas sensor 一、前言

氧化鋅近幾十年來因半導體產業的快速 研究發展，加上材料奈米化的相繼應用，其 相關基礎與理論被大量發表，又因其屬於 (II-VI 族）半導體能隙較寬，發光特性多在 可見光位置，因此常被應用在光電產業的研 究 方 面 ， 如 感 測 器 (sensor) 、 太 陽 能 電 池 (solar cell)等。然而在眾多奈米結構氧化 鋅的製備方法中，以水熱法擁有低成本、低

2/3

汙染等多項優點。

二、材料及方法

氧化鋅奈米桿的製備乃利用噴霧裂解法 (spray pyrolysis)在氧化鋁基板上成長一層種 晶層(seed layer)，控制溫度在 350^oC。前驅物 為醋酸鋅(Zinc acetate dihydrate, 98% ACROS) 以及 HMTA(Hexamethylenete- tramine, 99%

ACROS)，以水熱罐經 90℃成長 3 小時後取 出，即為氧化鋅奈米桿，試片經超純水清洗 烘乾一天，接上金電極即可做為感測器使用。

在感測還原性氣體時，由於通入乙醇氣 體後，乙醇氣體會與吸附在氧化鋅表面的氧 離子發生反應，使得電流上升、電阻下降，

其靈敏度我們定義為 S=Ra-Rg/Rg,其中 Rg 為 在待測氣體中的電阻值，Ra 為在空氣下的電 阻值。

Fig.1 乙醇氣體感測系統 熱處理

將製備好的元件置入通以 N₂、O₂ 及 Ar 氣體之管式高溫爐中，控制加溫速率為 3

℃/min，流量為 300 sccm，以不同的加熱溫度 及時間做處理，觀察不同氣體環境對於氧化 鋅奈米桿晶相、缺陷及放光特性之影響。

電漿改質

本實驗室使用的為非熱平衡電漿，又稱 冷電漿，一般解離率不超過 0.1%^[1]。而其最 大特色是利用「高能電子」去撞擊並分解氣 體分子，溫度一般小於 1 千度，甚至較室溫 略高一點，非熱電漿技術可在不用全部加熱 氣體的狀況下生成具高能量的電子^[2]。操作條 件如下：

功率：20 W；反應氣體：N₂、O₂及 Ar；氣體 流量：10 sccm，

三、結果及討論

3 .1 操作溫度對感測乙醇氣體的影響

操作溫度會影響奈米桿之感測性質，

Fig.2.顯示在不同工作溫度下氧化鋅奈米桿對 乙醇之感測曲線，感測靈敏度隨溫度提高而 提升，當溫度到達 280^oC 時靈敏度開始下降，

對於乙醇感測在操作溫度上存在 280^oC 為一 最佳值，並以此為我日後的感測溫度。

Fig.2.不同操作溫度下氧化鋅之應答曲線 3.2 奈米桿長度對感測乙醇氣體的影響 i. SEM 分析

在固定水熱濃度 0.02M 下，氧化鋅奈米 桿其長度隨水熱溫度提高而增長，直徑改變 不大，體表面積也因此增加。奈米桿長度 90^oC 約為 900nm；100^oC 約為 1300nm；110^oC 約 為 1800 nm，由 Fig.2.可知，然而在各溫度下 直徑大都分布在 35nm 左右，由此可知水熱溫 度主要影響奈米桿的長度，對於奈米桿直徑 影響不大。

Fig.2. 水熱濃度 0.02 M，成長時間為 3hr，溫 度 (a) 90℃(b) 100℃及(c) 110℃下所生成不 同長度的氧化鋅奈米桿

ii. PL&XRD 分析

Fig.3.顯示不同水熱溫度下之 PL 分析 圖，水熱法的實驗中之氧化鋅奈米桿主要有 兩個波峰，UV emission 其主要放光機制形成 原 因 為 自 由 激 子 複 合 (free exciton recombination) ， 而 另 外 一 個 波 峰 為 visible emission 來自於激發光學粒子從深能階跳至 價帶的躍遷。隨著水熱溫度的提高，雖使得

反應面積的增加，但因為氧化鋅在較為高溫 的環境下成長，其結晶性較佳，由 Fig.4.XRD 得知，其缺陷濃度較低，感測靈敏度也相對 降低。

Fig. 3.不同水熱溫度下之氧化鋅 PL 圖(3hr)

Fig. 4.不同水熱溫度下之氧化鋅 XRD 圖(3hr) iii. Ethanol vapor 感測

由 Fig.5.乙醇感測結果得知，感測靈敏度 隨奈米桿長度上升而下降，足見影響感測靈 敏度並非僅有表面積的因素。當氧化鋅接觸 到空氣中的氧時，其表面很容易與氧分子反 應形成化學吸附，氧分子會和氧化鋅的傳導 帶電子結合，而在表面形 O^—離子，如 eq(1) 所示，而吸附在表面的氧含量與表面的缺陷 濃度有關^[3]。

O2 + 2 e^—→ 2O^— eq(1)

氧化鋅表面上含有大量的氧離子，當氧 化鋅接觸到還原性氣體(Ethanol gas)時，會與 表面形成的氧離子發生反應，原先所抓取的 電子重新回到氧化鋅導帶所產生的能量足以 讓電子越牽到氧化鋅的導電帶，使導電性提 升，如 eq(2)^[4]

CH3CH2OHads + 6O^▔ads → 2CO2 + 3H2O + 6e^▔ eq(2)

本實驗利用氧化鋅奈米桿在溫度 280^oC 下感測濃度 250ppm，透過不同熱處理環境的 影響下，藉由 PL 來觀察其缺陷濃度的變化。

並 進 一 步 確 認 與 感 測 效 率 的 關 係 ， 以 defect/UV emission 比值計算，當比值越高，

感測靈敏度越高。顯示感測靈敏度與缺陷濃 度擁有正向的關係，由 Fig.6.所示，

Fig.5. 280^oC 下，不同長度奈米桿之感測曲線

Fig. 6.不同水熱溫度下成長之氧化鋅奈米桿 defect/UV emission 對靈敏度的關係曲線 3.3 退火處理對感測乙醇氣體的影響 i. PL 分析

Fig.7.顯示不同環境下退火的 PL 圖，條 件設定在退火溫度 450^oC，持續 1hr 下。可知 經氬氣環境下退火的 ZnO nanorods 能夠提升 氧化鋅中氧空缺(Oxygen vacancy，Vo)的含量

[6]，而在這環境下所造成缺陷濃度的提高可能 來自於氧化鋅在熱處理過程中，氧空缺的游 離化，並將電子還回氧化鋅。可由式 eq(4-11) 與 eq(4-12)表示^[6,7]

ZnO

←→

←→

Y. Zhang 等 人^{[ 6 ]}提到，在氧環境下缺陷 濃度的改變可能是由於在熱處理的過程當中

4/3

環境中的氧擴散進入到氧空缺形成晶格中的 氧原子( Oxygen on the lattice place，O_o )，因 此造成缺陷濃度的下降。可由下式表示：

Vo + (1/2)O2

←→

Fig.7.經不同環境熱處理 450^oC 下，持續 1 小 時後的氧化鋅奈米桿 PL 圖

ii. Ethanol vapor 感測

透過不同退火環境(N₂、O₂、Ar)改變氧化 鋅的缺陷濃度與組成，觀察對乙醇感測的影 響。在 280^oC 下感測濃度 250ppm，由 Fig.8.

感測圖顯示，經氬氣退火處理的氧化鋅奈米 桿，因缺陷濃度增加造成靈敏度相對提高。

由 Fig.9.觀察得知，Sensitivity 隨著 defect/ UV emission 的比值越高 Sensitivity 而相對提高，

靈敏度與缺陷濃度之間擁有正向的關係。

Fig.8.氧化鋅經不同退火環境 450^oC 下的乙醇 氣體(250ppm)感測應答曲線

Fig.9.Sensitivity 對應 defect/UV emission 作圖 3.4 氬氣退火處理對缺陷濃度的影響

3.4.1 不同退火溫度下 i. PL 分析

以 PL 放光範圍可分為三大部分：

(1)波長範圍(490nm ~ 530nm) 有氧空位(V_o) (~490nm) 、 氧 錯 位 (OZn)(~520nm)^[9,10]及 singly ionized oxygen vacancy (Vo+

) (~510nm)。^[11-13]

(2)大約在 560nm 附近的有 V_o²⁺(~564nm)、

VoZni(~570nm)^[14]

(3)波長範圍(610nm~640nm)是由於結晶內的 氧空隙 (Oi)所產生的缺陷所造成^[15][16]。

由 Fig.10.可知，在 450^oC 下其波峰沒有 發生位移的現象(~560nm)，與未處理前比較起 來放光強度有提高的趨勢，有學者指出^[17]， 在 560nm 的波峰源自於電子從導帶躍遷至雙 離 子 化 氧 空 位 (doubly ionized oxygen vacancy,V_o²⁺)的缺陷能階，由 eq(3) 及 eq(4)，

推論在此環境溫度下所造成缺陷濃度的提高 可能來自於在退火過程中，氧空缺的游離化 所造成。而在 500~700^oC 下其波峰位置皆藍 位移至(~500nm)，造成的原因可能是在高溫下 進行氬氣退火處理，會造成 Zn_i 藉昇華而擴 散，表面缺陷減少，而氧空位(V_o)依然存在為 此 放 光 範 圍 的 主 要 缺 陷 ^[18][19] 。

Fig.10 不同 Ar 退火溫度下，持續 1hr 後 PL 圖

由於不同種類的缺陷對感測也會有不同 的影響，為避免這方面複雜性，以未處理的 缺陷位置當作缺陷濃度的基準，並以 450^oC 所做的不同退火時間處理下，比較缺陷濃度 對感測的影響。

3.4.2 不同退火時間下 i. PL 分析

由 Fig.11. PL 圖譜顯示，隨著退火時間增 加，缺陷濃度相對提高，時間為 2 小時，缺 陷濃度最高，當時間拉長至 3 小時，缺陷濃 度開始降低。推測由於退火時間的過長會造 成還原反應的不穩，使得氧原子再與氧空缺 結合形成晶格氧，進而降低缺陷濃度。

Fig.11.Ar 環境下,450^oC 不同退火時間的氧化 鋅奈米桿 PL 圖

ii. Ethanol vapor 感測

由 Fig.12.可知，其感測靈敏度隨退火時 間增加而提高，退火時間為兩小時，感測靈 敏度最高，當時間拉長至三小時，因缺陷濃 度減少，感測靈敏度開始下降。由 Fig.4.13.

所示，感測靈敏度與 Defect/UV intensity ratio 成一正向的相關性，隨著 PL 強度比值的減 少，其感測靈敏度相對降低，其中氬氣 450^oC 下退火兩小時的條件下，PL 強度比值最大，

其感測靈敏度最高。

Fig.12.氧化鋅奈米桿在 Ar 環境下,450^oC 不 同退火時間的乙醇氣體(250ppm)感測應答圖

1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0

38 40 42 44 46 48 50 52 54 56

2hr

1hr 3hr

Sensitivity

defect/UV emission as grown

Fig.13. 奈米桿在 Ar 環境,450^oC 下不同退火 時間的 Defect/UV intensity ratio 對應感測值關 係曲線

3.5 電漿處理對感測乙醇氣體的影響 3.5.1 不同電漿環境下

i. PL 分析

固定操作條件下，電壓 20w、處理時間 300s、氣體流量 10sccm，透過不同濺鍍環境 下對氧化鋅進行電漿改質，

由 Fig.14.得知，氧氣電漿在改質過程中 所 產 生 的 氧 離 子 O⁺ 、 O₂⁺ 及 氧 激 子 O*(radicals) ，會擷取導電帶的電子在氧化鋅 表面形成 O^-、O₂⁺ 和 OH^-[20]，提高缺陷濃度。

而在氮氣電漿改質上，改變了氧化鋅表面的 化學型態，使活性位(active sites)較為減少。

其原因可能是在氮氣電漿處理下會產生些微 的 N 原子參雜。使得表面減少了透過電子捕 捉氧分子形成的氧離子，使其缺陷濃度降低

[21]。氬氣電漿則是由於產生強大的離子撞 擊，使原本吸附在氧化鋅表面相關的氧離子 缺陷進行脫附，造成相關的缺陷放光降低。

Fig.14.經不同氣體電漿改質下的氧化鋅 PL 圖 ii. Ethanol vapor 感測

經不同氣體電漿改質後的氧化鋅奈米 桿，其感測條件固定在操作 280^oC ； 濃 度 250ppm。由 Fig.15.觀察得知，透過氧氣電漿 改質能增加氧化鋅中的缺陷濃度以及表面的

6/3

活性位，提高表面氧離子的濃度，改善感測 靈敏度。而氮氣電漿改質改變了表面的化學 型態，導致表面的活性位減少，降低了表面 的氧離子濃度，造成感測靈敏度的下降，氬 氣電漿改質則是因蝕刻的效果使缺陷濃度減 少，導致靈敏度下降。

0 10 20 30 40 50 60

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

Sensitivity (Ra-Rg/Rg)

Time (min)

as grown O₂plasma Ar plasma N₂ plasma

Fig.15.氧化鋅奈米桿不同電漿氣體改質下 的乙醇氣體感測應答圖

由 Fig.16.所示，感測靈敏度與 defect/UV emission 比值成正向的相關性，缺陷濃度越高 相對於感測靈敏度越大。其中以氧氣電漿改 質後的 PL 比值最大，感測靈敏度最高；而以 氬氣電漿改質後的 PL 比值最少，感測靈敏度 最低。

0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 0

20 40 60 80 100

Ar plasma

O₂ plasma

N₂ plasma

Sensitivity (Ra-Rg/Rg)

defect/UV emission as grown

Fig.4.16. 奈米桿在不同氣體電漿改質下的 defect/UV emission 對應感測值的關係曲線 3.6 氧氣電漿處理對缺陷濃度的影響

3.6.1 不同改質時間

在固定 20W 的操作功率下，改變不同改 質的時間，觀察感測靈敏度是否有進一步的 改善。

i. PL 分析

由 Fig.17.觀察得知，當改質時間接近 300s 時，因相關的氧離子和 OH 基濃度較高，使得 缺陷放光最強，當改質的時間延長至 600s 時，氧離子濃度開始下降，其缺陷放光減弱。

可能是吸附在表面的氧離子有一飽和值，因 無法繼續與表面鍵結，氧離子開始與生成的 氧離子產生碰撞，導致崩壞，使缺陷濃度降 低，讓表面的氧離子有開始減少的趨勢。

Fig.17.不同氧氣電漿改質時間下的氧化鋅奈 米桿 PL 圖

ii. Ethanol vapor 感測

不同改質時間後的氧化鋅奈米桿，其感 測值隨改質時間的增加而提高，當改質時間 超過 300s 時，感測值開始有降低的趨勢，以 氧氣電漿改質時間 300s 時最高，見 Fig.18.所 示，如先前結果相同，感測值與 defect/UV emission 比值擁有正向的關係，見 Fig.19.。

Fig.18. 奈米桿在不同氧氣電漿改質時間下的 乙醇氣體(250ppm)感測靈敏曲線

Fig.19. 奈米桿在氧氣電漿下不同改質時間 的 defect/UV emission 對應感測值作圖

4.結論

水熱法所成長的氧化鋅奈米桿在 PL 分析 下具有豐富的缺陷濃度，主要來自於成長過 程中殘留的氧分子及相關的氧缺陷。

藉由退火的方式改變氧化鋅當中缺陷的 組成，探討對其元件靈敏度的影響。其中氬 氣退火的處理，可控制溫度與時間提高相關 氧缺陷的濃度，進而提升感測靈敏度。並在 溫度 450^oC 並維持 2 小時下有較佳的感測靈敏 度。

電漿改質能有效改變氧化鋅奈米桿表面的 缺陷濃度，透過離子的碰撞以及活性位的激 發，改變氧化鋅奈米桿的表面型態。氧氣電 漿改質後的奈米桿，因激發了表面的活性位 使表面吸附大量的氧離子和 OH^—提高了相關 的缺陷濃度，增加可在表面進行反應的氧離 子群，提升感測靈敏度。

參考文獻

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第八屆亞洲化學感測器會議報告

2009.11/11-11/14 韓國大邱 台灣科技大學化工系

劉進興教授

１﹒參加會議經過

‧ 東亞化學感測器會議 (East Asian Conferences on Chemical

Sensors, EACCS) 每兩年開一次。1993 年在日本 Fukuoka，1995 年 在中國西安，1997 年在韓國漢城，1999 年在台灣新竹，2001 年在 日本 Nagasaki，2003 年因 SARS 停辦，2005 年在中國桂林，2007 年在新加坡，2009 年第八屆起改名為亞洲化學感測器會議 (Asian

Conferences on Chemical Sensors, ACCS)，在韓國大邱舉行。

‧ 第八屆會議由 ACCS 國際執委會、韓國化學感測協會合辦，參加 者包括來自 16 個國家的研究者，發表論文計 313 篇。

‧ 台灣參加者除我之外，還有台大醫工所林啟萬教授、成大張憲彰 老師等師生共 20 人，包表論文 25 篇，僅低於韓 (130)、日(58)、

中(38)。

‧ 這次 ACCS 會議的幾個主題是：(1) Gas Sensor, (2) Biosensor, (3)

Electrochemical Sensor, (4) Optical Sensor 等﹐我發表的論文題目

是：” Surface defects influence on photoluminescence and gas sensing properties of ZnO nanorod grown by hydrothermal process”。

２﹒與會心得：若干有趣的論文

‧ Italy 的 Brescia university 的 E. Comini 介紹以 vapor/solid 成長

ZnO nanowires ，若先以 sputtered ZnO 作晶種，長出來的導線會比 無晶種在基材上成長者長。另外，也可成長異質 NW，如 SnO2 與

ZnO 接枝，或 SnO2 外包 ZnO 的奈米導線，皆可比較其感測性質。

‧ Chinese Academy of science 的 He 教授發表 p-type CuO 之 porous

electrospun fiber，探討 oxygen treatment 對 CuO 導線孔洞化之影響。

‧ U.S. Case Western Reserved University 的劉炯權教授是 keynote speaker，成大張憲彰教授是 invited speaker。

３﹒ACCS 國際執委會會議

‧ 除了論文發表外，也舉行兩年一度的 ACCS 國際執委會會 議。會議決策係由委員會投票，其中日本有五席，我國有兩席 (劉 進興、周榮泉)，韓國有兩席、新加坡一席、中國兩席（但此次未 出席）。

‧ 周榮泉教授因故無法與會，此次只有我參加，並邀請台灣感測協

會理事長林啟萬教授列席，爭取 2011 年大會由台灣舉辦。

‧ 台灣的主辦權在上次在新加坡的執委會已經原則同意，但因中國 上海表達也有意爭取而稍有變數。經林啟萬教授在執委會中簡報我 國的籌備情況後，與會執委大力支持，主辦權已經確定，即 2011 年 11 月在台北劍潭舉行。

‧ 為使事權統一，我建議由林啟萬教授接替我擔任 ACCS 國際執委 會執委，也獲同意。

４﹒攜回資料

‧ Program & Abstracts of The 8

Asian Conference on Chemical Sensors.

‧ Papers by several authors.

無研發成果推廣資料

98 年度專題研究計畫研究成果彙整表

計畫主持人：劉進興 計畫編號：98-2221-E-011-083- 計畫名稱：氧化鋅奈米桿陣列之製備及其在氣體感測上之應用

量化

成果項目 ^{實際已達成}

數（被接受 或已發表）

預期總達成 數(含實際已

達成數)

本計畫實 際貢獻百

分比

單位

備 註 （ 質 化 說 明：如 數 個 計 畫 共 同 成 果、成 果 列 為 該 期 刊 之 封 面 故 事 ...

等）

期刊論文 0 1 100%

研究報告/技術報告 1 1 100%

研討會論文 1 1 100%

論文著作 篇

專書 0 0 100%

申請中件數 0 0 100%

專利 已獲得件數 0 0 100% 件

件數 0 0 100% 件

技術移轉

權利金 0 0 100% 千元

碩士生 3 3 100%

博士生 0 0 100%

博士後研究員 0 0 100%

國內

參與計畫人力

（本國籍）

專任助理 0 0 100%

人次

期刊論文 0 1 100%

研究報告/技術報告 0 0 100%

研討會論文 1 1 100%

論文著作 篇

專書 0 0 100% 章/本

申請中件數 0 0 100%

專利 已獲得件數 0 0 100% 件

件數 0 0 100% 件

技術移轉

權利金 0 0 100% 千元

碩士生 0 0 100%

博士生 0 0 100%

博士後研究員 0 0 100%

國外

參與計畫人力

（外國籍）

專任助理 0 0 100%

人次

其他成果

(

無

成果項目 量化 名稱或內容性質簡述

測驗工具(含質性與量性) 0

課程/模組 0

電腦及網路系統或工具 0

教材 0

舉辦之活動/競賽 0

研討會/工作坊 0

電子報、網站 0

科 教 處 計 畫 加 填 項

目 計畫成果推廣之參與（閱聽）人數 0

國科會補助專題研究計畫成果報告自評表

請就研究內容與原計畫相符程度、達成預期目標情況、研究成果之學術或應用價 值（簡要敘述成果所代表之意義、價值、影響或進一步發展之可能性） 、是否適 合在學術期刊發表或申請專利、主要發現或其他有關價值等，作一綜合評估。

1. 請就研究內容與原計畫相符程度、達成預期目標情況作一綜合評估

■達成目標

□未達成目標（請說明，以 100 字為限）

□實驗失敗

□因故實驗中斷

□其他原因 說明：

2. 研究成果在學術期刊發表或申請專利等情形：

論文：□已發表 □未發表之文稿 ■撰寫中 □無 專利：□已獲得 □申請中 ■無

技轉：□已技轉 □洽談中 ■無 其他：（以 100 字為限）

3. 請依學術成就、技術創新、社會影響等方面，評估研究成果之學術或應用價

值（簡要敘述成果所代表之意義、價值、影響或進一步發展之可能性）（以

500 字為限）