光吸收元件之製備方法

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(1)【19】中華民國【12】專利公報（B）【11】證書號數：I593804 【45】公告日：中華民國 106 (2017) 年 08 月 01 日【51】Int. Cl.： C21D6/00 (2006.01). G02B1/00 (2006.01) 發明全 9 頁 . 【54】名稱：光吸收元件之製備方法 LIGHT-ABSORBING DEVICE FABRICATION METHOD 【21】申請案號：105115052 【22】申請日：中華民國 105 (2016) 年 05 月 16 日【72】發明人：鄭金祥 (TW) CHENG, CHING HSIANG；吳信賢 (TW) WU, HSIN HSIEN 【71】申請人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY 臺南市東區大學路 1 號【74】代理人：邱銘峯【56】參考文獻： TW 376335 TW 200839019A JP 2012-82488A US 2011/0186131A1 審查人員：王欽彥. 【57】申請專利範圍 1. 一種光吸收元件之製備方法，包含：將一不鏽鋼基材升溫至一氧化溫度，其中該氧化溫度係介於 850℃至 1050℃之間，但該氧化溫度不包含 1020℃至 1040℃，該氧化溫度的氧化時間介於 1 分鐘至 10 小時之間且不包括 1 小時以內，藉此使該不鏽鋼基材表面生成一氧化鐵層，再以自然冷卻將溫度降至室溫以形成該光吸收元件。 2. 如申請專利範圍第 1 項所述之光吸收元件之製備方法，其中，該不鏽鋼基材為 SUB304 號不銹鋼，該氧化鐵層係為三氧化二鐵。 3. 如申請專利範圍第 2 項所述之光吸收元件之製備方法，其中，該氧化溫度係介於 900℃ 至 1000℃之間。 4. 如申請專利範圍第 2 項所述之光吸收元件之製備方法，其中，該氧化溫度係為 1000℃。 5. 如申請專利範圍第 2 項所述之光吸收元件之製備方法，其中，該氧化溫度的氧化時間為 2 小時。 6. 如申請專利範圍第 2 項所述之光吸收元件之製備方法，其中，該不鏽鋼基材係以每分鐘 10℃的升溫速度升溫至該氧化溫度。圖式簡單說明 [第一圖]係本發明實施例之流程方塊示意圖。 [第二圖]係本發明實施例熱處理溫度暨時間關係示意圖。 [第三圖]係本發明實施例之 X 光繞射圖譜。 [第四 A 圖]係本發明實施例中氧化溫度為 850℃之掃描電子顯微圖像，其倍率為 2 千倍。 [第四 B 圖]係本發明實施例中氧化溫度為 850℃之掃描電子顯微圖像，其倍率為 1 萬 5 千倍。 [第五 A 圖]係本發明實施例中氧化溫度為 900℃之掃描電子顯微圖像，其倍率為 2 千倍。 [第五 B 圖]係本發明實施例中氧化溫度為 900℃之掃描電子顯微圖像，其倍率為 1 萬 5 千倍。 - 3588 -.

(2) (2) [第六 A 圖]係本發明實施例中氧化溫度為 950℃之掃描電子顯微圖像，其倍率為 2 千倍。 [第六 B 圖]係本發明實施例中氧化溫度為 950℃之掃描電子顯微圖像，其倍率為 1 萬 5 千倍。 [第七 A 圖]係本發明實施例中氧化溫度為 1000℃之掃描電子顯微圖像，其倍率為 2 千倍。 [第七 B 圖]係本發明實施例中氧化溫度為 1000℃之掃描電子顯微圖像，其倍率為 1 萬 5 千倍。 [第八 A 圖]係本發明實施例中氧化溫度為 1050℃之掃描電子顯微圖像，其倍率為 2 千倍。 [第八 B 圖]係本發明實施例中氧化溫度為 1050℃之掃描電子顯微圖像，其倍率為 1 萬 5 千倍。 [第九圖]係本發明實施例之吸收係數暨放射率之關係示意圖。 [第十圖]係本發明實施例之反射率光譜圖。. - 3589 -.

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