半導體材料前趨物及形成有機薄膜電晶體的方法

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【51】Int. Cl.： C07C49/553 C07D317/46 C07C15/28 H01L51/30 (2006.01) (2006.01) (2006.01) (2006.01) C07D317/10 C07C15/20 C07C15/38 H01L51/05 (2006.01) (2006.01) (2006.01) (2006.01) 發明　　　　　全 9 頁　【54】名　　稱：半導體材料前趨物及形成有機薄膜電晶體的方法

ORGANIC SEMICONDUCTING MATERIAL PRECURSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING OTFT

【21】申請案號：097107460 【22】申請日：中華民國 97 (2008) 年 03 月 04 日【11】公開編號：200938523 【43】公開日期：中華民國 98 (2009) 年 09 月 16 日【72】發明人：周大新 (TW) CHOW, TAHSIN J.；吳忠幟 (TW) WU, CHUNG CHIH；莊大

賢 (TW) CHUANG, TA HSIEN；謝信弘 (TW) HSIEH, HSING HUNG；黃信華 (TW) HUANG, HSIN HUI

【71】申請人：中央研究院 ACADEMIA SINICA 臺北市南港區研究院路 2 段 128 號【74】代理人：洪澄文；顏錦順【56】參考文獻： CN 1761639A 審查人員：陳瀅安 [57]申請專利範圍 1.　一種有機半導體材料前趨物，其結構如下：其中每一 R₁各自獨立，係氫、烷基、烷氧基、氰基、芳香基、或鹵素；每一 R₂各自獨立，係氫或三甲基矽基炔基； A 環係、、或；C 環係、、

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、或；以及 E 環係、、、或；其中每一 R₃各自獨立，係氫、烷基、烷氧基、氰基、芳香基、或鹵素。 2.　一種有機半導體材料前趨物，其結構如下：其中每一 R₁各自獨立，係氫、烷基、烷氧基、氰基、芳香基、或鹵素；每一 R₂各自獨立，係氫或三甲基矽基炔基； A 環係、、或；以及 D 環係、、或；其中每一 R₃各自獨立，係氫、烷基、烷氧基、氰基、芳香基、或鹵素。 3.　一種有機半導體材料前趨物，其結構如下：

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、、或；以及 D 環係、、、或；其中每一 R₃各自獨立，係氫、烷基、烷氧基、氰基、芳香基、或鹵素。 4.　一種有機半導體材料前趨物，其結構如下：其中每一 R₁各自獨立，係氫、烷基、烷氧基、氰基、芳香基、或鹵素；每一 R₂各自獨立，係氫或三甲基矽基炔基；以及 C 環係、、或；其中每一 R₃各自獨立，係氫、烷基、烷氧基、氰基、芳香基、或鹵素。 5.　一種有機半導體材料前趨物，其結構如下：其中每一 R₁各自獨立，係氫、烷基、烷

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氧基、氰基、芳香基、或鹵素；以及 B 環係、、或；其中每一 R₃各自獨立，係氫、烷基、烷氧基、氰基、芳香基、或鹵素。 6.　一種有機半導體材料前趨物，其結構如下：其中每一 R₁各自獨立，係氫、烷基、烷氧基、氰基、芳香基、或鹵素；每一 Ar 各自獨立，係芳香基或芳基乙烯基；以及 B 環係、、或；其中每一 R₃各自獨立，係氫、烷基、烷氧基、氰基、芳香基、或鹵素。 7.　一種形成有機薄膜電晶體的方法，包括：提供一基板；將申請專利範圍第 1-6 項中任一項之半導體材料前趨物溶於一溶劑中，形成一溶液；將該溶液形成於該基板之表面；去除該溶劑形成一薄膜；提供一能量至該薄膜，使該薄膜中之該半導體材料前趨物脫去一揮發性分子，形成一有機半導體薄膜。 8.　如申請專利範圍第 7 項所述之形成有機薄膜電晶體的方法，其中將該溶液形成於該基板之表面的步驟包括旋轉塗佈法(spin coating)、噴霧塗佈法(Spray coating)、浸泡塗佈法 (dipping coating)、網板印刷法(screen printing)、或噴墨印刷法(inkjet printing)。

9.　如申請專利範圍第 7 項所述之有機薄膜電晶體的方法，其中該能量包括熱、可見光、或紫外線。 10. 如申請專利範圍第 7 項所述之有機薄膜電晶體的方法，其中該能量係一曝光光源，且提供該能量至該薄膜之步驟係藉由一光罩配合該曝光光源，直接形成一圖案化之有機半導體薄膜。 11. 如申請專利範圍第 7 項所述之有機薄膜電晶體的方法，其中該揮發性分子包括一氧化

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之熱重分析圖；第 8 圖係本發明實施例中，以化合物 13 製成之 OTFT 其 I_D與 V_DS之相對關係圖；以及第 9 圖係本發明實施例中，以化合物 13 製成之 OTFT 其電傳特性圖。

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