【11】證書號數：I400579
【45】公告日： 中華民國 102 (2013) 年 07 月 01 日
【51】Int. Cl.： G03F7/20 (2006.01)
發明 全 5 頁
【54】名 稱：應用二氧化碳雷射來形成微結構於基板的方法
【21】申請案號：098122549 【22】申請日： 中華民國 98 (2009) 年 07 月 03 日
【11】公開編號：201102758 【43】公開日期： 中華民國 100 (2011) 年 01 月 16 日
【72】發 明 人： 鍾震桂 (TW) ；林士隆 (TW)
【71】申 請 人： 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
臺南市東區大學路 1 號
【74】代 理 人： 葉大慧
【56】參考文獻：
TW 200632542A JP 2004-134446A
EP 1547719A2
US 2008/0085595A1 審查人員：李瑋倫
[57]申請專利範圍
1. 一種應用二氧化碳雷射來形成微結構於一基板的方法，係包括：將一具有孔洞之金屬光 罩緊密結合於該基板之表面；以及利用該二氧化碳雷射穿過金屬光罩之孔洞而對該基板 之表面進行掃瞄，並於取下該金屬光罩後，在該基板之表面上形成該微結構，而該微結 構係對應於該金屬光罩之孔洞，且具有為 50 至 100 微米的寬度及大於 10 微米的深度。
2. 如申請專利範圍第 1 項所述之方法，其中該金屬光罩係選自於由下列所構成之群組：不 銹鋼、鉻、金、銀、銅、鋁、白金、鎳、鉭。
3. 如申請專利範圍第 2 項所述之方法，其中該基板係為一高分子材料。
4. 如申請專利範圍第 3 項所述之方法，其中該高分子材料係選自於由下列所構成之群組：
聚甲基丙烯酸甲酯、聚對二甲基矽氧烷、塑膠材料、高分子纖維材料、橡膠。
5. 如申請專利範圍第 3 或 4 項所述之方法，其中該二氧化碳雷射係為單一雷射光束或多雷 射光束。
6. 如申請專利範圍第 5 項所述之方法，其中該二氧化碳雷射的光源掃瞄速度至少為 20mm/
sec。
7. 如申請專利範圍第 2 項所述之方法，其中該基板係為一非矽(non-silicon)脆性材料。
8. 如申請專利範圍第 7 項所述之方法，其中該非矽脆性材料係選自於由下列所構成之群 組：玻璃、矽土、藍寶石晶圓、陶瓷。
9. 如申請專利範圍第 7 或 8 項所述之方法，其中該二氧化碳雷射係為單一雷射光束或多雷 射光束。
10. 如申請專利範圍第 9 項所述之方法，其中該二氧化碳雷射的光源掃瞄速度至少為 20mm/
sec。
11. 如申請專利範圍第 10 項所述之方法，其中當該基板為玻璃時，該二氧化碳雷射係於氣冷 或水冷環境下對該基板之表面進行掃瞄。
12. 如申請專利範圍第 11 項所述之方法，其中該氣冷環境係含有惰性氣體、氮氣或空氣。
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13. 如申請專利範圍第 12 項所述之方法，其中該惰性氣體係為氦氣或氬。
圖式簡單說明
第一圖本發明應用二氧化碳雷射來形成微結構於基板的方法流程圖。
第二圖係實施例一之微結構顯微形貌圖。
第三圖係實施例一之微結構寬度及深度關係圖。
第四圖係實施例二之微結構顯微形貌圖。
第五圖係實施例二之微結構寬度及深度關係圖。
第六圖係在大氣下施行二氧化碳雷射微結構加工之微結構寬度及深度關係圖。
第七圖係在大氣下施行二氧化碳雷射微結構加工之顯微形貌圖。
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