國家奈米元件實驗室南部分中心 濕式蝕刻清洗系統(Wet bench)

國家奈米元件實驗室南部分中心 濕式蝕刻清洗系統(Wet bench)

標準製程:

1. RCA Cleaning

o Caro System

移除目標物：有機污染物

組成成分：H2SO4：H2O2 = 3：1 工作溫度：120℃

標準浸泡時間：600 秒。

o DHF( Diluted HF )

移除目標物：自然生成氧化物 組成成分：HF：H2O = 1：50 工作溫度：室溫

標準浸泡時間：60 秒。

o SC I System

移除目標物：微顆粒污染物

組成成分：NH4OH：H2O2：H2O = 1：1：5 工作溫度：75℃

標準浸泡時間：600 秒。

o SC II System

移除目標物：金屬不純物

組成成分：HCl：H2O2：H2O = 1：1：6 工作溫度：75℃

標準浸泡時間：600 秒。

2. Thin Film Etching

o Nitride Film

組成成分：H3PO4 工作溫度：165℃

標準浸泡時間：視膜厚而定

蝕刻速率：對於 PECVD 沉積的 Nitride Film 約為 5000 A/min。

o Oxide Film 組成成分：BOE 工作溫度：22℃

標準浸泡時間：視膜厚而定

蝕刻速率：對於 Thermal Oxide 的蝕刻速率約為 1000 A/min。