高分子分散反強誘電性液晶薄膜於光定址式空間光調變元件之應用性探討(II)

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告

高分子分散反強誘電性液晶薄膜於光定址式空間光調變元 件之應用性探討(II)

計畫類別： 個別型計畫

計畫編號： NSC92-2216-E-011-013-

執行期間： 92 年 08 月 01 日至 93 年 07 月 31 日 執行單位： 國立臺灣科技大學高分子工程系

計畫主持人： 李俊毅

計畫參與人員： 呂傑夫 林家任 黃瑞銘 鄭元平

報告類型： 精簡報告

報告附件： 出席國際會議研究心得報告及發表論文 處理方式： 本計畫可公開查詢

中 華 民 國 93 年 10 月 5 日

行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告

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※ 高分子分散反強誘電性液晶薄膜 ※

※ 於光定址式空間光調變元件之應用性探討(Ⅱ) ※

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計畫類別：個別型計畫 □整合型計畫 計畫編號：NSC 92－2216－E－011－13

執行期間：92 年 08 月 01 日至 93 年 07 月 31 日

計畫主持人：李俊毅 教授 共同主持人：

本成果報告包括以下應繳交之附件：

□赴國外出差或研習心得報告一份

□赴大陸地區出差或研習心得報告一份

出席國際學術會議心得報告一份及發表之論文二份



□國際合作研究計畫國外研究報告書一份

執行單位：國立臺灣科技大學 高分子工程系

中 華 民 國 九十三 年 十 月 五 日

行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告

高分子分散反強誘電性液晶薄膜

於光定址式空間光調變元件之應用性探討(Ⅱ)

Application of Polymer Dispersed Antiferroelectric Liquid Crystal at Optically Addressed Spatial Light Modulator (Ⅱ)

計畫編號：NSC 92-2216-E-011-013

執行期限：92 年 08 月 01 日至 93 年 07 月 31 日

主持人：李俊毅 教授 國立臺灣科技大學 高分子工程系 計畫參與人員：呂傑夫 國立臺灣科技大學 高分子工程系

林家任 國立臺灣科技大學 高分子工程系 黃瑞銘 國立臺灣科技大學 高分子工程系 鄭元平 國立臺灣科技大學 高分子工程系

一、中文摘要

本 研 究 使 用 氫 化 非 晶 矽 (hydrogen amorphous silicon) 薄膜 pin 感光二極體和 高分子分散反強誘電性液晶薄膜(PDAFLC) 製成光定址式空間光調變元件(OASLM)。

我們利用 pin 感光二極體之光電轉換效率 及高分子分散反強誘電性液晶薄膜之光電 測試結果，探討光定址式空間光調變元件 在不同強度之氬離子氣體雷射激發下對元 件的閥電壓及驅動電壓之影響，並評估其 在空間光調變器之應用。

由實驗結果顯示，光生電流與寫入光 強度及 Intrinsic layer 厚度成正比，而 p-type layer 摻雜劑量在 1×10¹⁴/cm²時，具有最佳 的 光 電 轉 換 效 率 ， 但 摻 雜 劑 量 高 於 1×10¹⁵/cm²時，光電流會變小。溫度及寫入 光照射時間也會對光生電流造成影響。

高分子分散反強誘電性液晶光電特性 方面，液晶摻混比例 40%、紫外光聚合強 度 0.5mW/cm² 條件下，具有較好光電響 應。而藉由改變 OASLM 的寫入光強度，

能夠控制液晶分子的轉動狀態。另外，本 實驗之 OASLM 光調變特性不會受寫入光 波長些微變動影響，因此，我們成功的得 到具有穩定光調變效果的 OASLM 元件。

關鍵詞：氫化非晶矽、高分子分散反強誘 電性液晶、光定址式空間光調變器、pin 感 光二極體

Abstract

In this research, we used polymer dispersed antiferroelectric liquid crystal (PDAFLC) with pin photodiode of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) to fabricate optically addressed spatial light modulator (OASLM) device. We measure that electro-optical conversion efficiency of pin photodiode and the electro-optical characteristic of PDAFLC. To investigate the influence of different thickness of a-Si:H and dose of ion-implantation of boron atom of this electro-optic device, Ar+ laser are used for excitation light source and He-Ne laser was used for a probe beam. We measure the properties of the threshold voltage and the driving voltage of device to estimate the electro-optical conversion efficiency.

The results show that the photocurrent have direct ratio with writing light intensity and thickness of intrinsic layer. The dose of p-type doping in 1×10¹⁴/cm² has well electro-optical conversion efficiency. When the dose of p-type doping over 1×10¹⁵/cm², the electro-optical conversion efficiency will decreased. Different temperature and irradiating time will change the photocurrent.

In the electro-optical characteristic of polymer dispersed antiferroelectric liquid crystal, the variables of liquid crystal doping ratio in 40% and UV intensity in 0.5mW/cm² have good electro-optical effect. We could

control the rotation state of liquid crystal molecule by change writing light intensity of OASLM. In addition, even slightly change of writing light wavelength, the modulation characteristic of OASLM will not be change.

Therefore, we successful made an OASLM with stably and light modulation effect.

Keywords: Hydrogen amorphous silicon, polymer dispersed

antiferroelectric liquid crystal, optically addressed spatial light modulator

二、計畫緣由與目的

空 間 光 調 變 器 (Spatial Light Modulators; SLMs ） 是 一 種 結 合 電 - 光 (electro-optical)系統所發展的光學技術，藉 由空間光調變器能夠將光的強度、振幅 (amplitude) 、 相 位 (phase) 、 極 化 性 (polarization)等進行控制，並將訊號加載到 光波上，進而完成對訊號的傳輸、輸入、

儲存等處理[1]。因此利用光來當做資料傳 輸的媒介可以達到此要求。為了要將含有 大量資料的光訊號讀出，則必須要有一個 元件能夠將光訊號做處理、轉換的動作，

而能達成此動作的元件，我們即可稱之為 空 間 光 調 變 器 (Spatial Light Modulators;

SLMs）。因為光訊號有很大的頻寬可以同 時容許較大的平行陣列訊號，故 SLM 的使 用可大幅增進平行處理訊號的能力。SLM 可應用於光訊號的處理、影像放大、非同 調 光 （ incoherent ） 轉 換 至 同 調 光

（coherent）、波長變換等[2,3,4]。

SLM 依原理及構造可分為許多不同 類 型 ， 其 中 光 定 址 型 空 間 光 調 變 器

（ Optically Addressed Spatial Light Modulator； OASLM）在光電應用上特別 受到注意，此種 OASLM 是利用液晶材料 具有調制效果大、驅動電壓小等諸多優 點，搭配非晶矽薄膜太陽能電池的光電伏 效應(photo-voltage effect)，藉由寫入光的激 發使光傳導層動作，並產生與寫入光訊號 一致的電荷影像，經過液晶層的調節再以 讀出光將影像讀出，使 OASLM 達到光訊

號調節的作用[1,5,6]。

因此，本研究藉由液晶材料的光電特 性及半導體技術的運用，進行 PDAFLC 在 OASLM 元件的製作及應用，除了針對元件 的材料特性進行討論外，並對於光定址式 空間光調變元件的光學調變特性進行探 討。

三、實驗

3-1 實驗材料：

(1) 反 強 誘 電 型 液 晶 (Antiferroelectric Liquid Crystal) MHPOBC（Aldrich Chem.

Co.），其結構式如 Figure 1

(2) 紫外光硬化高分子 NOA65（Norland Optical Adhesive），其特性如 Table 1 所列。

3-2 實驗設備：

本實驗光學量測系統中所使用設備 有：He Ne laser (10mw)，製造商 Melles Griot 作為訊號讀出雷射之光源；以 Ar+

laser (514nm, 195mW, 型號：35LAP 431)，

製造商 Melles Griot，作為訊號寫入之光源 以及 Digital Electrometer (型號：TR8652)，

製造商 Advantest。

3-3 實驗步驟：

3-3-1 試片製作 1. PDAFLC 試片製作

將 ITO 玻璃切割為 2×3 cm 且經過洗淨 後，取兩片 ITO 玻璃進行 Nylon 6,6 配向劑 塗佈及摩擦配向處理，在兩片經配向的 ITO 玻璃中以 3μm 的間隙粒子(spacer)及框膠 製 作 成 液 晶 試 片 ， 將 反 強 誘 電 性 液 晶 MHPOBC 與紫外光硬化型高分子 NOA65 依重量百分比以 2:8、3:7、4:6、5:5 的比例 進行摻混，將配製好的 PDAFLC 利用毛細 現象及壓力作用，充填入液晶試片中，即 完成 PDAFLC 試片製作。並以 Figure 2 裝 置量測 PDAFLC 試片之穿透率。

2. pin 感光二極體試片之製作

pin 感光二極體沉積順序為 p-type、

Intrinsic、n-type，如 Figure 3 所示。其製作

方法簡述如下：

(A) p-type 之製作

將 ITO 導電玻璃利用 PECVD 系統在 溫度 250℃下沉積 500Å 之 amorphous silicon 後，委託 NDL 以中電流離子 佈植系統(Ion Implantation System)通 入 B2H6 氣體進行不同硼離子濃度之 摻雜，即完成 p-type Layer 之製作。

(B) Intrinsic Layer 之製作

將鍍有 p-type 之試片以氫氟酸溶液 (H2O:HF=100:1) 浸泡約 20 秒進行自 然氧化層的去除，再以去離子水沖洗 乾淨，並使用高純度氮氣吹乾後，在 氮氣環境下以 300℃進行 90 分鐘之 退 火 處 理 後 ， 立 即 沉 積 無 摻 雜 之 amorphous silicon ，即完成 Intrinsic Layer 之製作。

(C) n-type Layer 之製作

在 完 成 Intrinsic Layer 沉 積 後 將 sample 送至 n-type amorphous silicon chamber 中，以 PH₃氣體在溫度 250

℃ 下 進 行 含 磷 原 子 之 amorphous silicon 沉積即可得到 n-type layer ， 最後再送至氮氣環境下以 300℃進行 30 分鐘之退火處理，即完成 pin 感光 二極體之製作。

3. 光反射層之製作

我們將 pin 感光二極體試片以電漿 (plasma)濺鍍(sputter)方式沉積金薄膜來當 做光反射層。

4. OASLM 試片製作

將一片鍍有光反射層的 pin 感光二極 體與一片 ITO 玻璃進行配向處理，於鍍有 光反射層的 pin 感光二極體與 ITO 玻璃中 間 以 3 μ m 的 間 隙 粒 子 及 框 膠 製 作 成 OASLM 試片，再將 PDAFLC 以真空充填 方式灌入 OASLM 試片中，即完成 OASLM 試片製作。

3-3-2 光電特性測試 1. pin 感光二極體試片

以 Ar+雷射作為激發光源，針對光傳 導層 pin 感光二極體進行光電流測量，利用

N.D Filter 改 變 雷 射 光 強 度 ， 雷 射 光 由 p-type 側入射，以 Electrometer 讀出電流 值。光生電流測量系統簡圖如 Figure 4 所 示。

2. OASLM 試片

實驗裝置如 Figure 5 所示，使用 He-Ne 雷射(波長 632.8nm，10mW)作為讀取光 源，量測前須先進行校正，以一片沒有充 填液晶的 OASLM 試片作為參考片，進行 光 二 極 體 (photodiode)的校正，將檢光片 (Analyzer)與偏光片(Polarizer)調整為垂直 時，定義 Radiometer 為 0%，而將檢光片與 偏光片調成平行時，定義為 100%，再將檢 光片與偏光片調回垂直，如此完成儀器校 正。Ar+雷射(波長 514nm)作為寫入光源，

以光衰減片(N.D Filter)調整 Ar+雷射能量 照射於 OASLM 元件上，量測 OASLM 元 件在不同 Ar+雷射光強度照射下，閥電壓 及驅動電壓的變化情形。

四、結果與討論

4-1 pin 感光二極體薄膜特性探討

4-1-1 不同激發雷射強度下，Intrinsic Layer 厚度對光生電流之影響

Figure 6 為 p-type 摻雜劑量 1×10¹⁴/cm² 在不同激發雷射強度下，Intrinsic Layer 厚 度對光生電流的影響圖。由圖可發現，光 生電流皆隨著激發雷射強度的增加而變 大，當雷射強度愈大時，光生電流有逐漸 平緩的趨勢，而且 Intrinsic Layer 厚度大，

光生電流也會隨著變大。

4-1-2 不同激發雷射強度下，p-type 摻雜劑 量對光生電流之影響

如 Figure 7 所示，在 Intrinsic Layer 厚 度為 7000Å 時，p-type 摻雜劑量 1×10¹⁵/cm² 的光生電流幾乎與 1×10¹⁴/cm² 相當。在 p-type 摻雜劑量較低時，相對的電洞數較 少，其光生電流則較小；當 p-type 摻雜劑 量在 1×10¹⁵/cm² 時，由於摻雜劑量很高，

若 Intrinsic Layer 厚度很小時，原本的 pin 接面(pin Junction)幾乎不存在，可以視為一 pn 接面，因此雷射光照射時，受到雷射光

能量所激發的電子與電洞就很容易復合在 一 起 ， 造 成 所 得 到 的 電 流 變 小 ； 但 當 Intrinsic Layer 厚度足夠大時，又可以形成 pin 接面的結構，所以光電流會變大[7,8]。

因此，在相同雷射光強度下，Intrinsic Layer 厚 度 為 7000Å 、 摻 雜 劑 量 在 1 × 10¹⁴/cm²時，所產生的光電流最大，故本實 驗針對此條件做進一步的探討，並以此條 件來進行 OASLM 元件的製作。

4-2 高分子分散反強誘電性液晶光電特性 探討

4-2-1 高分子分散反強誘電性液晶試片液 晶摻混比例與穿透度之關係

Figure 8 為紫外光強度 0.5 mW/cm²， 比較在不同液晶摻混比例對閥電壓與驅動 電壓之影響。由結果發現，相同紫外光強 度下，液晶摻混比例愈少，閥電壓及驅動 電壓會愈高，因為當液晶摻混比例少時，

要驅動液晶分子前必須先克服高分子與液 晶的作用力，當高分子含量愈多，則所需 要的電壓就愈大；另外，當液晶摻混比例 愈多時，閥電壓及驅動電壓之間的差距愈 小，這表示此試片表現灰階的能力愈差，

相對的，液晶摻混比例愈少，閥電壓及驅 動電壓之間的差距會較大，但是由結果可 發現，液晶摻混比例少的試片之暗態穿透 率與亮態穿透率差異很小，即明暗對比度 很低，因此本實驗選擇液晶摻混比例 40%

之 PDAFLC 製作條件作為 OASLM 元件之 製作與探討。

4-2-2 高分子分散反強誘電性液晶光聚合 強度與穿透度之關係

如 Figure 9 所示，我們比較液晶摻混 比例 40%試片在紫外光強度 0.3 mW/cm²、 0.5 mW/cm²、0.9 mW/cm²聚合所得到的穿 透率變化，發現紫外光強度 0.3 mW/cm²與 0.5 mW/cm²試片的閥電壓與驅動電壓差不 多，但是紫外光強度 0.3 mW/cm²試片的暗 態穿透率較高，而紫外光強度 0.9 mW/cm² 的閥電壓與驅動電壓之間差距太小，即灰 階特性較差，因此，本實驗選擇液晶摻混 比例 40%、紫外光強度 0.5 mW/cm² 之 PDAFLC 製作條件作為 OASLM 元件之製

作與探討。

4-3 光定址式空間光調變元件光電特性探 討

我們利用前面章節實驗所得到之高分 子分散反強誘電性液晶薄膜(PDAFLC)製 作條件，在紫外光聚合強度 0.5mW/cm²、 照射時間 90 秒，使用反強誘電性液晶摻混 比例為 40%、紫外光硬化型高分子比例為 60%，進行 OASLM 之光電特性探討。

4-3-1 OASLM 之閥電壓、驅動電壓與寫入 光強度關係

我們使用 Ar+雷射作為寫入光光源，

以 He-Ne 雷射作為讀出光光源，探討高分 子分散反強誘電性液晶於 OASLM 上，元 件之閥電壓、驅動電壓與寫入光強度的關 係，實驗結果如 Figure 10 至 Figure 12 所 示，使用之 Ar+雷射波長分別為 514nm、

472nm、454nm。

由實驗結果可知，在沒有寫入光強度 時，當電壓到達 PDAFLC 的閥電壓以上 時，OASLM 的反射率會隨著電壓的增加而 逐漸變大，在超過驅動電壓後，反射率不 在增加，此時反射率達到飽和。隨著寫入 光強度的增加，反射率曲線會往左偏移，

即閥電壓及驅動電壓隨著寫入光的增加而 變小；這是因為 OASLM 經由寫入光的入 射時，pin 感光二極體所產生的電壓作用於 液晶層上，而使驅動液晶轉動所需要的電 壓變小。在 Ar+雷射波長為 514nm 的圖中，

亮態(Bright state)反射率不受寫入光強度的 影響，但在 Ar+雷射波長為 472nm 及 454nm 圖中，亮態的反射率會隨著寫入光強度的 增加而變小，而且寫入光強度愈大時，變 小的程度愈明顯，這是因為 pin 感光二極體 照光後會產生一直流電壓，此直流電壓會 加到我們所印加的方波電壓中，此方波電 壓會往上偏移，形成類似偏壓效果，導致 液晶分子感受到的電壓變小，由偵測器讀 到的反射光強度就變小。由 pin 感光二極體 光生電流量測實驗結果得知，寫入光強度 愈大時，產生的電流會愈大，印加到液晶 層的直流電壓就愈大，所形成的偏壓效果 就愈大，亮態光反射率愈小。

因此，我們可以藉由寫入光的強度的 改變，來控制液晶分子轉動的程度，再經 由讀出光將訊號讀出，如此讀出光具有與 寫入光相同訊號，進而達到光定址的效果。

4-3-2 不同寫入光波長對 OASLM 之影響 如 Figure 10，寫入光強度為 40mW/cm² 時，對 OASLM 之反射率影響最為明顯，

因此我們以寫入光強度為 40mW/cm² 為 例，比較 Ar+雷射波長在 514nm、472nm、

454nm 時對 OASLM 之影響，其結果如 Figure 11 所示。由結果發現，寫入光波長 為 514nm 的罰電壓及驅動電壓比 472nm 與 454nm 稍微大一些，但是整體看來，我們 將寫入光波長做些微的改變，對於 OASLM 反射率沒有很大的影響。

因此我們可以得知，當 OASLM 使用 於資料傳遞的過程中，若光訊號因為外在 原因而產生些微變化時，經由 OASLM 的 調節後，讀出的光訊號不會因此而產生太 大改變。

五、結論

本研究針對高分子分散反強誘電性液 晶所製成之光定址式空間光調變元件作特 性探討，進而評估光定址式空間光調變器 做性能上及應用上的可行性。在本研究中 所獲得的結論簡述如下：

1. pin 感光二極體方面

(1) pin 感光二極體薄膜製作過程中，必 須經過兩道 300℃、90 分鐘的退火過 程，以消除薄膜中應力。

(2) pin 感 光 二極體的光生電流會隨著 Ar+雷射強度的增加而增加，並且與 Intrinsic Layer 的厚度成正比關係，而 摻雜劑量在 1×10¹⁴/cm²時的光生電流 表 現 最 好 ， 但 摻 雜 劑 量 超 過 1 × 10¹⁵/cm²後，光生電流會下降。

2. PDAFLC 光電特性評估方面

(1) 液晶摻混比例愈低，PDAFLC 的閥電 壓即驅動電壓愈高，但一經摻混比例 愈高時，灰階特性差，因此以液晶摻 混比例 40%具有較低的閥電壓及驅 動電壓，同時有灰階特性的表現。

(2) 紫外光聚合強度與亮態及暗態穿透 率成反比，紫外光聚合強度對於閥電 壓及驅動電壓沒有影響。

3. OASLM 方面

(1) OASLM 元件製作過程中，pin 感光二 極 體 於 PDAFLC 於紫外光聚合過 程，不會受到紫外光照射影響。

(2) 本實驗製作之 OASLM 元件，能藉由 寫入光強度的改變，進而控制液晶分 子的排列狀態，同時使 PAFLC 的閥 電壓及驅動電壓改變，因此能夠達到 光定址的效果。

(3) OASLM 對於光訊號波長的些微改 變，對於光訊號的調節並不會有太大 的變化，因此本實驗製作之 OASLM 具有穩定的光調變效果。

六、計畫成果自評

本計畫主要探討利用 AFLC 組合高分 子，研製 OASLM 元件並評估其光電特性，

結果顯示此構想符合原先計畫預期目標。

除提供 LC 材料在顯示元件應用外，在光學 元件上之另一應用，極具進一步發展潛力。

七、參考文獻

[1] Birendra Bahadur, ” Liquid crystal ： Application and Use ” World Scientific, pp 211-217.

[2] Vladimir G., ” Liquid Crystal Devices ： Physics and Application,” Artech House’99 Digest, p. 287.

[3] T.Niori, T.Sekine, J.Watanabe and H.Takezoe, J.Mater.Chem., 6, 1231,1996.

[4] H. Rehn, R. Kowarschik, Optics & Laser Technology, 30, 39(1998)

[5] C.C. Mao, K. M. Johnson, R. Turner, D. Jared, and D. Doroski, APPLIED OPTICD, 31, 3908(1992)

[6] MASUDA, T. OYAMA, S. HAMADA, N.

Shinichi TAKAHASHI, I. KAWAMURA and T.

HAGIWARA, Jpn. J. Appl. Phys. 33, L523 (1994).

[7] 潘俊成，國立中央大學，民國八十九年碩士論

文。

[8] 江雨龍，國立中興大學，民國九十一年碩士論

文。

H17C8

O

O O

O C6H13

O CH₃

Figure 1 MHPOBC 結構式

Table 1 紫外光聚合性高分子 NOA65 物性表

Solids 100%

Viscosity at 25℃ 1200cps Refractive index of cured

polymer 1.524

Elongation at failure 80%

Modulus of Elasticity (psi) 20,000 Tensile Strength (psi) 1,500

Figure 2 穿透率測量裝置圖

ITO Glass p-type n-type Intrinsic

Figure 3 pin 感光二極體示意圖

Ar+ Laser

N.D. Filter

n-type

p-type Intrinsic

ITO Glass

Hot-stage

Electrometer Hot-Stage Controller

Figure 4. pin 感光二極體光生電流量測裝置圖

Ar+Laser

N.D Filter

All Reflector

OASLM Polarizer

Analyzer

He-Ne Laser Photodiode

Radiometer

Hot Stage

Hot plate

Arbitrary Waveform Generator Power Amplifier Ar+Laser

N.D Filter

All Reflector

OASLM Polarizer

Analyzer

He-Ne Laser Photodiode

Radiometer Radiometer

Hot Stage Hot Stage

Hot plate

Arbitrary Waveform Generator Power Amplifier

Figure 5 OASLM 量測系統裝置圖

0 2 4 6 8 10

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

Current (µA)

Writing Light Intensity (mW/cm²) p-type layer dose: 1x10¹⁴/ cm²

500 A 1000 A 3000 A 5000 A 7000 A

Figure 6 摻雜 1×10¹⁴/cm²的 p-type 在不同激發 雷射強度下，Intrinsic Layer 厚度對光 生電流之影響

0 2 4 6 8 10 0.0

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

Current (µA)

Writing Light Intensity (mW/cm²) Intrinsic layer thickness: 7000 Å

1x10¹²/ cm² 1x10¹³/ cm² 1x10¹⁴/ cm² 1x10¹⁵/ cm²

Figure 7 厚度為 7000 Å 的 Intrinsic Layer 在不 同激發雷射強度下，p-type 摻雜劑量 對光生電流之影響

0 5 10 15 20 25 30

3 5 7 9 11 13 15 17 19 21

Transmittance(%)

Voltage (V)

0.5mW/cm² 20% AFLC 0.5mW/cm² 30% AFLC 0.5mW/cm² 40% AFLC 0.5mW/cm² 50% AFLC

Figure 8 UV 光強度 0.5mW/cm²，不同液晶摻混 比例、電壓與穿透率之關係圖

0 5 10 15 20

3 6 9 12 15 18 21

Transmittance(%)

Volatge (V)

0.3mW/cm² 40% AFLC 0.5mW/cm² 40% AFLC 0.9mW/cm² 40% AFLC

Figure 9 40%液晶摻混比例在不同紫外光強度下之

電壓與穿透率關係圖

3 6 9 12 15 18 21 24 27

0 2 4 6 8 10

Reflectivity(%)

Voltage (V)

Wavelength: 514 nm Frequency: 1 kHz

0 mW/cm² 5 mW/cm² 10 mW/cm² 20 mW/cm² 30 mW/cm² 40 mW/cm²

Figure 10 OASLM 在波長 514nm 下之反射率、

電壓與寫入光強度關係圖

3 6 9 12 15 18 21 24 27

0 2 4 6 8 10

Reflectivity (%)

Voltage (V)

Writting Light Intensity: 40 mW/cm² Frequency : 1kHz

514 nm 472 nm 454 nm

Figure 11 不同寫入光波長下對 OASLM 之反射 率、電壓與寫入光強度關係圖