國立成功大學「邁向頂尖大學計畫」
延攬優秀人才工作報告表
NCKU’s “Aim for the Top University Project”
Work Report Form for Distinguished Scholars
□續聘continuation of employment ■離職resignation
100 年 7 月 13 日更新
受聘者姓名
Name of the Employee 劉志毅 ■男 女
Male Female
聘 期 Period of Employment
from 102 年(y) 2 月(m) 1 日(d) to 103 年(y) 6 月(m) 14 日(d) 研究或教學或科技研發與
管理計畫名稱 The project title of research,
teaching, technology development and management
利用偏極化拉曼光譜顯微術探 索石墨烯之應變
計畫主持人
（申請單位主管）
Project Investigator (Head of Department/Center)
曾永華教授
補助延聘編號
Grant Number HUA - - -
一、研究、教學、科技研發與管理工作全程經過概述。（由受聘人填寫）
Please summarize the entire research, teaching, or science and technology R&D and management work process (To be completed by the employee)
我於 102 年 2 月到成功大學電機系工作至 103 年 6 月。下面我將分成四個子項簡述我在這 段期間的工作內容包含：（一）論文及專利、（二）最具代表性之傑出成果、（三）其它研究成 果簡述、（四）達成之 KPI 之績效。
一、 論文及專利
我 在 應 聘 的 這 段 期 間 一 共 有 四 篇 論 文 已 經 被 刊 登 ， 其 中 有 兩 篇 論 文 分 別 發 表 在 Nanotechnology 及 Nanoscale 的論文是由我執行或主導完成的。而發表在 Nanotechnology 的論文 於論文發表當期，由期刊主編撰文加以顯著報導，同時本篇論文也被英國物理學會（ IOP）選入 IOPselect，此外本篇論文也被網站 nanotechweb.org 選為新聞加以報導。另一篇發表在高 impact factor 期刊 Nanoscal（IF: 6.233）的論文則被選為當期期刊封底故事加以顯著報導。下面列出所發 表論文之細部資訊：
SCI 論文
1. . YC . Liu ,* M. Y. Lai, K. T. Tsai, H. H. Chang, J. H. He, J. Shiue, and Y. L. Wang (2013, 02) A Novel Vertical Fan-Out Platform Based on an Array of Curved Anodic Alumina Nanochannels Nanotechnology 24, 055306
IF (2012): 3.842
2. C. W. Huang, H. Y. Lin, C. H. Huang, K. H. Lo, C . Y . Liu , C. H. Wu, Y. Tzeng, and H. C. Chui*
(2013, 02)
Fluorescence Quenching Due to Sliver Nanoparticles Covered by Graphene and Hydrogen- Terminated Graphene
Appl. Phys. Lett.102, 053113 IF (2012): 3.794
3. C. W. Huang, R. J. Shiue, H. C. Chui, W. H. Wang, J. K. Wang, Y. Tzeng, and C. Y . Liu * (2013, 09)
Revealing Anisotropic Strain in Exfoliated Graphene by Polarized Raman Spectroscopy Nanoscale 5, 9626-9632
IF (2012): 6.233
4. C. W. Huang, B. J. Lin, H. Y. Lin, C. H. Huang, F. Y. Shih, W. H. Wang, C . Y . Liu , and H. C.
Chui* (in press)
Surface-Enhanced Raman Scattering of Suspended Monolayer Graphene Nanoscale Res. Lett.
doi:10.1186/1556-276X-8-480
1
IF (2012): 2.524 專利
1. Y. H. Tzeng, C . Y . Liu , K. O. Kyaw, H. C . Chui, C. H. Huang, and H. Y. Lin (2013, 06) Photo-Sensitive Composite Film, Method of Fabricating the Same, and Photo-Switched Device Comprising the Same
U.S. Patent, No. US 8461511 B2
2. 曾永華、劉志毅、羅本超、崔祥辰、黃貞翰、林幸瑩（2013, 08）
光轉換之陽極氧化鋁薄膜、其製備方法、及包含其之感光元件 中華民國專利，證書號數：I406302
二、 最具代表性之傑出成果
我最具代表性的研究成果為前述發表之 SCI 論文中編號 3 之工作，本篇論文發表在一高 impact factor 期刊 Nanoscal (IF: 6.233)上，且本篇論文被選為當期期刊封底故事加以顯著報導。在 本研究中，我們探索單層石墨烯的偏振拉曼光譜特性，並開發出一種方法利用所量測的光譜得 出石墨烯樣品的應變（strain）及應力（stress）的量值及方向。在此研究中，我們固定檢偏器
（analyzer）的方位，量測石墨烯的 G 特徵峰在不同起偏器（polarizer）的角度下之光譜圖。我們 發現 G 特徵峰的峰值及形狀會隨著起偏器（polarizer）的角度而改變，而 G 特徵峰的積分強度則 不會隨著起偏器的角度而改變。藉由擬合的方式，我們發現這種現象是由於石墨烯局部的應變 (starin)所造成的。我們的分析指出 G 特徵峰實際上是由單軸的壓縮（compressive）、單軸伸張
（tensile）及無應變（unstrained）的三種子特徵峰所組成，且前述二軸的方向互相垂直。相較於 無應變之子特徵峰（1580 cm-1），壓縮會造成一藍位移的子特徵峰，而伸張則會造成一紅位移 的子特徵峰。由於三個子特徵峰隨著起偏器的角度變化之趨勢不同，因此 G 特徵峰強度與位置隨 著起偏器的角度而改變。我們發展出一種數學擬合的方法去量化各子特徵峰的強度、位置及半高 寬度及它們與起偏器角度之關連性。藉由此法，我們可以量測石墨烯的局部應變。進一步我們可 以藉由這種分析方式去了解任意一片石墨烯表面的應變分佈。事實上，不同的樣品，或是相同的 樣品的不同位置，其應變都可能不同，而我們的研究也指出了這項特性。本研究除了可以幫助人 們了解石墨烯的基本特性，也可以應用在開發新式的與應變相關的石墨烯元件。
三、 其它研究成果簡述
1. 銀奈米線陣列之製造及其光學性質及應用
本研究目標包含三個部分：（1）成長出品質量好的奈米金屬線陣列，（2）量測奈米金屬 線陣列的表面電漿波（surface plasmon wave，SPW）特性，（3）奈米金屬線陣列在表面加強式 拉曼散射（surface-enhanced Raman scattering，SERS）上的應用。這三項研究目標均以完成，並 有論文發表。
2. 扇出結構之陽極氧化鋁(AAO)奈米管洞陣列之研發
在本項研究中，我們發展出一種具有長程有序扇出（fan-out）結構的奈米管洞之 AAO 薄 膜。首先我們先在一個鋁片上用聚焦離子顯微術轟擊出一些奈米級的小洞。之後我們採用兩階段 陽極氧化過程，其中第一階段所選定之電壓可讓所打出的小洞長出長程有序之陽極氧化鋁奈米 管洞。第二階段將電壓增加，則之後奈米管洞在成長時會產生大的側向推擠力，因此管洞會慢慢 分開而成長出長程有序扇出結構的 AAO 奈米管洞陣列。這種特殊結構的奈米管洞有助於開發新 式的奈米偵測技術。圖一所示為所研發出之典型的扇出結構奈米管洞結構圖，管洞以三個為一組 構成一個單元，且這些單元構成六角最密堆積的陣列。像這樣的扇出結構由於其奈米管洞之上下 兩端尺寸不同，所以可以應用於溝通不同尺寸的奈米元件，也因此具有很高的潛力應用於開發 新式的奈米元件。
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圖一、(a)扇出結構之陽極氧化鋁奈米管洞陣列之立體圖。扇出結構之陽極氧化 鋁奈米管洞之(b)正面及(c)背面 SEM 照片。
四、 達成之 KPI 之績效 1. 國科會計畫兩份。
2. SCI 論文四篇。
3. 第一或通訊作者之 SCI 論文兩篇。
4. 美國及台灣專利各一篇。
5. 共同指導一位碩士學生畢業。
二、研究或教學或科技研發與管理成效評估（由計畫主持人或單位主管填寫）
Please evaluate the performance of research, teaching or science and technology R&D and management Work: ( To be completed by Project Investigator or Head of Department/Center)
(1)是否達到延攬預期目標？
Has the expected goal of recruitment been achieved?
(2)研究或教學或科技研發與管理的方法、專業知識及進度如何？
What are the methods, professional knowledge, and progress of the research, teaching, or R&D and management work?
(3)受延攬人之研究或教學或科技研發與管理成果對該計畫(或貴單位)助益如何？
How have the research, teaching, or R&D and management results of the employed person given benefit to the project (or your unit)?
(4)受延攬人於補助期間對貴單位或國內相關學術科技領域助益如何？
How has the employed person, during his or her term of employment, benefited your unit or the relevant domestic academic field?
(5)具體工作績效或研究或教學或科技研發與管理成果：
Please describe the specific work performance, or the results of research, teaching, or R&D and management work:
(6)是否續聘受聘人? Will you continue hiring the employed person? □續聘Yes □不續聘No
※此報告表篇幅以三～四頁為原則。This report form should be limited to 3-4 pages in principle.
※此表格可上延攬優秀人才成果報告繳交說明網頁下載。
This report form can be downloaded in http://scholar.lib.ncku.edu.tw/explain/
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