【11】證書號數：I395353
【45】公告日： 中華民國 102 (2013) 年 05 月 01 日
【51】Int. Cl.： H01L33/20 (2010.01) H01L33/40 (2010.01)
發明 全 6 頁
【54】名 稱：垂直式發光二極體之製造方法
【21】申請案號：097132201 【22】申請日： 中華民國 97 (2008) 年 08 月 22 日
【11】公開編號：201010127 【43】公開日期： 中華民國 99 (2010) 年 03 月 01 日
【72】發 明 人： 王水進 (TW) ；郭鴻毅 (TW) ；汪楷茗 (TW)
【71】申 請 人： 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
臺南市東區大學路 1 號
【74】代 理 人： 惲軼群；陳文郎
【56】參考文獻：
TW 200834977A
Hon-Yi Kuo et al. , "Use of Elastic Conductive Adhesive as the Bonding Agent for the Fabrication of Vertical Structure GaN- based LEDs on Flexible Metal Substrate", IEEE Photonics
Technology Letters, Vol. 20, No. 7, pp. 523-525 April 1, 2008.
審查人員：楊勝涵
[57]申請專利範圍
1. 一種垂直式發光二極體之製造方法，包含以下步驟：(1)準備一轉換基板；(2)在該轉換基 板上披覆一緩衝層；(3)在該緩衝層上披覆一發光單元；(4)在該發光單元上披覆一金屬接 觸層單元；(5)在該金屬接觸層單元上披覆一附著反射層單元；(6)在該附著反射層單元上 形成一異方性導電膠層；(7)在該異方性導電膠層上黏著一支持基板；(8)移除該轉換基板 及緩衝層；及(9)在該發光單元上披覆一電極；其中，步驟(7)之黏著壓力為 P，黏著溫度 為 T，且 9 kg/cm2 ≦P≦25 kg/cm2 ，25℃≦T≦180℃。
2. 依據申請專利範圍第 1 項所述之垂直式發光二極體之製造方法，其中，步驟(7)之黏著時 間為 t，且 5 秒≦t≦900 秒。
3. 依據申請專利範圍第 1 或 2 項所述之垂直式發光二極體之製造方法，其中，步驟(6)是在 該附著反射層單元的表面塗佈異方性導電膠膜材料而形成該異方性導電膠層。
4. 依據申請專利範圍第 3 項所述之垂直式發光二極體之製造方法，其中，該異方性導電膠 層之楊氏模量為 E，且 4×109 帕≦E≦8×109 帕。
5. 依據申請專利範圍第 4 項所述之垂直式發光二極體之製造方法，其中，該異方性導電膠 層之厚度為 d，且 5μm ≦d≦20μm。
6. 依據申請專利範圍第 5 項所述之垂直式發光二極體之製造方法，其中，該支持基板為金 屬薄膜或塑膠類高分子聚合物薄片所製成之可撓性基板。
7. 依據申請專利範圍第 5 項所述之垂直式發光二極體之製造方法，其中，該支持基板之材 料是選自下列材料：矽、氮化鎵、砷化鎵、碳化矽、鎳、銅、銅鎳、銅鎢所構成之群組。
8. 依據申請專利範圍第 5 項所述之垂直式發光二極體之製造方法，其中，該附著反射層單 元是選自下列材料：鈦、鋁、金、鎳、銀、鉑、鈀、金/鋅、金/鈹、金/鍺、金/鍺/鎳、
銦、錫、鋅所構成之群組，及其任一組合。
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9. 依據申請專利範圍第 5 項所述之垂直式發光二極體之製造方法，其中，該附著反射層單 元包括四層附著反射層，所述附著反射層分別使用鈦、鋁、鈦、金製成。
10. 依據申請專利範圍第 5 項所述之垂直式發光二極體之製造方法，其中，步驟(8)是利用雷 射剝離法移除該轉換基板。
11. 依據申請專利範圍第 5 項所述之垂直式發光二極體之製造方法，其中，該發光單元是由 氮化鎵系材料製成。
圖式簡單說明
圖 1 是一個垂直式發光二極體(LED)的示意圖；圖 2 是本發明垂直式發光二極體之製造方 法之一較佳實施例的步驟流程圖，該方法製造出圖 1 所示的垂直式發光二極體；圖 3 是該發 光二極體於製作過程中的示意圖；圖 4 是一類似圖 3 的示意圖，顯示一轉換基板及一緩衝層 被移除；圖 5 是該較佳實施例在進行雷射剝離製程後的試片俯視圖；圖 6 是本發明垂直式 LED 與傳統橫向 LED 的電流－電壓特性曲線圖；圖 7 是本發明垂直式 LED 與傳統橫向 LED 的光 輸出功 率－電流特性曲線圖；及圖 8 是本發明垂直式 LED 於未撓曲狀態及撓曲狀態所測得 的電流－主波長特性曲線圖。
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