[PDF] Top 20 雷 射 波 長

... 進一步使用雷射波長為 632nm 量測摻鋅鈮酸鋰晶體的 A 1 (TO)聲子振動模的 偏振拉曼光譜，如圖 4.2.8 所示，其入射、散射偏振方向為 x(zz)y，此測量結果 與使用雷射波長為 514.5nm 的拉曼光譜圖 4.2.5 相同，四個 A 1 (TO)聲子振動模分 別為 TO 1 -255 cm -1 ... See full document

... 因此，在本研究中，我們從最基本的設計與模擬出發，先找出適合長波長 雷射主動層的材料，然後將主動層材料應用在傳統邊射型雷射上，變化各種參 數，我們發現量子井中的應力參數、多量子井的應力補償、以及參雜條件的多寡 皆 會 影響 雷射 特性 ，我 們 優化 各項 參數 ，得 到 最好 的臨 界電 流密 度 ... See full document

... 相位鎖住，使各個波長以相同的速度在共振腔中傳播，自從鎖模 雷射(mode locked laser)出現之後，各種不同的鎖模技術陸續被推 展出來以產生更短的脈衝，由於超短脈衝提供高尖峰功率及時域 上高解析度的光源，是研究超快現象不可或缺的工具，所含括的 領域橫跨物理、化學、生物、電機與材料工程等，所以超快脈衝 ... See full document

... 究上，具有波長單獨可調的雷射大多集中在數個雷射 波長間的可調。若是波長間隔太近，gain competition 的效應也同時會導致相鄰波長的雷射輸出不穩定。這 些議題將導致 wideband DWDM 的通訊元件測試變得 ... See full document

... 以半導體多波長陣列的泵激雷射可以產生約10W的連續光，並藉由鎖模技術可產 生飛秒等級的超短高速脈衝，在光纖通訊、光纖感測與超快速雷射的研究與應用 上舉足輕重。 光纖迴路雷射的發展中，產生多種光纖迴路雷射腔的設計[21-22]，其中一種 ... See full document

... 雷射製作 以砷磷化銦鎵為材料的光柵層是成長於活性層的上方，而此均勻光柵主要是利用全像曝光 的技術製成。 另外布拉格波長是調整在材料增益峰值處偏向較短波長的一邊，其主要的原 因乃是為了加強此雷射的本質響應特性。 但是須注意的是布拉格波長假如離材料增益峰值 ... See full document

... 所提出[15]，並對量子點 雷射有著低臨界電流、對溫度變化較穩定特性等特點做出理論上的預測，1994 年，許多 研究團隊投入於自聚式 InAs 量子點相關研究，而使用 InAs 量子點發光波段落在 至 之間，適合用來作為光通訊雷射光源或光偵測器元件，長距離的光通訊波段之 所以落在 與 之間，主因為光纖在此波段具有很低的能量損秏之故。目前 InAs ... See full document

... 24 3.3 繞射光柵耦合之閥值增益變化[24, 31] 由於半導體雷射體積極小，長度通常不超過 ，因此外腔長度 d 要達到 與 L 差不多長度或者是更短在實際上幾乎不太可能，因此一般都是出現如圖 3-6 的情形，對於抑制旁模沒有什麼幫助，單模態情形還是很難出現，因此我們使用 具有模態選擇功能的繞射光柵(Diffraction ... See full document

... 擁有較低的外腔式臨界電流密度以及在較長波區的調制能力。圖中臨界電流密度隨著 波長偏離 1260 nm 而逐漸地增加，此種雷射結構的實驗結果不同於使用主動層為單一 種類量子點的外腔式雷射特性，曲線中並沒有任何由於基態與激發態之間能態躍遷 ( energy gap 或 optical gain dip ... See full document

... 盧廷昌 交通大學 光電工程研究所 朱榮堂 交通大學 光電工程研究所 一、中文摘要 本年度計畫中，我們將配合為期三年 的 DWDM 前瞻性研究計畫，開發出符合 DWDM 系 統 的 長 波 長 面 射 型 半 導 體 雷 射，由於長波長面射型雷射的發散角小， ... See full document

... 臨界厚度的確增加了，證明此方法的確可以延伸發光波長。圖十五為 InGaAs:Sb 的 光激輝光光譜，我們可發現 In 0.41 Ga 0.59 As 的發光強度最強，但是當銦含量由 0.41 增 加 到 0.42 時 ， 發 光 強 度 迅 速 下 降 ， 顯 示 材 料 因 超 過 臨 界 厚 度 而 劣 化 ， 若 在 In 0.41 Ga 0.59 As 的 材 料 中 加 入 Sb ， 可 使 波 ... See full document

... 由模擬實驗結果分析可知，本架構成功利用波長為 1495 nm 的泵激雷射實現可雙向傳輸去 回放大式之寬頻譜混成光纖放大器，並且利用反射率為 69 % 的泵激光源反射元件分配功 率，而透過增益圖形可發現兩個頻帶各保有摻鉺光纖與拉曼光纖放大器之特性，證實設計 上達到降低 C-band 與 L-band 之光信號交互影響的目的；經過調整各個 FBG 反射率實現增 ... See full document

... 經評估後，將使用選擇區域磊晶技術改變材料增益波長，並使用取樣光柵技術改變光柵波 長，以製成低成本高效率的雷射陣列，選擇磊晶技術將委由東京大學中野教授協助，而取樣光 柵將由本實驗室自行製作。由於國內對於選擇性區域磊晶技術之研發經驗尚未成熟，相對於此， 日本東京大學相關技術之研發團隊已有多年的實作經驗，藉由本計劃之國際性學術交流引進此 ... See full document

... 經評估後，將使用選擇區域磊晶技術改變材料增益波長，並使用取樣光柵技術改變光柵波 長，以製成低成本高效率的雷射陣列，選擇磊晶技術將委由東京大學中野教授協助，而取樣光 柵將由本實驗室自行製作。由於國內對於選擇性區域磊晶技術之研發經驗尚未成熟，相對於此， 日本東京大學相關技術之研發團隊已有多年的實作經驗，藉由本計劃之國際性學術交流引進此 ... See full document

... 第四章 Nd:YVO 4 之四能階雷射 4.1 導論 相較於準三能階，四能階雷射其下能階之能量遠大於基態能階，如 圖 4.1.1。且下能階的自發輻射生命期(Spontaneous lifetime)很短，使得 經激發輻射躍遷的電子在下能階的分布量趨近於零，因而電子容易達成 居量反轉，且無前述再吸收耗損的問題，所以，對溫度的要求沒有準三 ... See full document

... 本計劃主要內容是設計及製作波 長精確且穩定的光積體化雷射，以供 高密度分波多工網路應用。此型光積 體化雷射包含一高性能單頻雷射及一 個波長控制元件。為符合高密度分波 多工網路對波長精密度和穩定度及其 他性能上的要求，我們研究設計新型 ... See full document

... 本論文研究與製作以金屬有機氣相化學沉積法 (Metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)成長之長波長與短波長面射型雷射。面射型雷射其具 有圓形光束輸出、低製作成本、單一縱模操作、以及整合二維陣列的潛在特性， ... See full document

... 致謝 碩士兩年，很有幸能進入李建平老師的研究室學習，良好的研究環境與資源 使得研究能順利進行，老師豐富的學識與涵養，更是引領我學習的方向。而此論 文能完成，該感謝的人真的很多，最要感謝的是林聖迪老師，親和的態度與樂於 和學生討論，激發了許多有趣的構想；蔡嘉明和林國瑞老師協助解決了不少我量 測的問題；王興燁學長指導我研究及論文的修改；王勝雄、楊宗樺學長教導我實 ... See full document

... 同時也非常感謝口試委員賴暎杰老師、陳智弘老師與馮開明老師不吝於提供 多年來研究的寶貴經驗，豐富了本論文的內涵而使得本論文因而增色許多。諸位 口試委員都可以稱得上為最佳的研究典範。 也由衷感謝曾弘毅學長、葉建弘學長、錢鴻章學長、周森益學長、彭煒仁學 長、黃明芳學姊、鄭翰陽學長、葉信宏學長以及粘芳芳學姊在研究與生活上的熱 ... See full document

... □ 主張專利法第二十六條微生物： □ 熟習該項技術者易於獲得，不須寄存 五、中文發明摘要： 本案係為一種單波長與多波長反饋式布拉格雷射之 結構及製造方法，該結構係具有兩個區域，每一雷射係 製於同一晶片上，其主要發光之材料結構係以同一次磊 晶成長方式製成，而該結構包含一活性材料層，用以發 ... See full document