(1) ITO 基板清洗：
(a) 將 ITO 基板放入丙酮，以超音波震盪 5 分鐘後，以去離子水沖洗；
(b) 將 ITO 基板放入清潔劑，以超音波震盪 5 分鐘完，以去離子水沖洗；
(c) 將 ITO 基板放入去離子水，以超音波震盪 5 分鐘後，以異丙醇沖洗；
(d) 最後將 ITO 基板以甲醇清洗，以超音波震盪 5 分鐘，完成後用氮氣吹 乾，並將ITO 基板放入烘箱以 110 ℃烘乾至少 30 分鐘。
(2) ITO 基板前處理
在 ITO 基板置入蒸鍍機之前，先放置於電漿處理機中進行前處理。先 以氧氣為工作氣體進行電漿前處理步驟，其主要功用為：(i) 中性的氧原 子，會對 ITO 表面的針狀結晶進行物理性撞擊，可以達到修飾表面平整度 之目的，避免尖端放電所造成的局部電場。(ii) 中性氧原子和氧分子合成為 臭氧，而高活性之臭氧會和基板上殘存的碳氫化合物(可能是溶劑或光阻劑
殘留物)進行反應而形成水和二氧化碳，之後由真空幫浦抽走而達到清潔表 面的目的。(iii) 氧原子會打入 ITO 的結晶內，這樣可以提高它的氧含量並 降低Sn/In 的比值，藉以提高功函數，達到活化 ITO 的目的。
在完成氧氣處理後，再以 CHF3為工作氣體進行電漿處理，此反應會產 生聚合反應之(CFx)n附著在ITO 基板上作為電洞注入層，增加元件的電洞注 入能力。
(3) 薄膜蒸鍍
蒸鍍機(Coater)的操作環境必須要在高真空(~10-5 torr)下進行，而有機材 料加熱方式是用鎢線圈和坩鍋(Crucible)的組合(坩鍋外纏繞鎢線圈)來達到 間接加熱的目的：當電流通過鎢線圈後產生熱，然後再將熱能傳導到坩鍋 上，如此一來，蒸鍍速率就不會產生大幅跳動而造成材料的浪費。通常這 種坩鍋的造型為長柱型，並在中心挖空以盛裝有機材料，材質則為 Boron Nitride 或 Carbon。圖 5-1 為薄膜蒸鍍單元示意圖。
圖5-1、薄膜蒸鍍示意圖
一般情況下，在蒸鍍電洞傳輸層(NPB)或電子傳輸層(Alq3)時，蒸鍍速 率會固定以 2Å/sec 並以石英感應器來監控。當同時具有兩個蒸鍍源時，則 各別有其石英感應器監控而混合比例以體積百分比來計算。而陰極部分採 用複合式陰極結構 LiF/Al，由於 LiF 薄膜厚度僅為 10Å 為了得到良好之薄 膜性質，其維持以0.1Å/sec 速率蒸鍍；而金屬 Al 則以 5~10Å/sec 速率蒸鍍 其厚度為 2000Å。蒸鍍機內部配置圖如 5-2 所示，其中 HOST 為主發光體 材料放置位置，而D1 和 D2 則可同時放置兩種不同之客發光體材料。
圖5-2、蒸鍍機內部配置圖
(4) 元件封裝
採用 UV 封裝技術，將 UV 封裝膠以 X-Y 點膠機塗至於玻璃封裝蓋上，
將元件與封裝蓋於氮氣手套箱中，以重物密合用UV 光進行膠的聚合反應。
圖5-3 為封裝單元示意圖。
5-3、封裝裝置示意圖
(5) 元件特性及壽命測試
元件封裝後，在LabVIEW 程式控制下，以 KEITHLEY 供給電流，PR-650 量測元件光譜、亮度與色度等性質，並記錄數據。之後，將量測完的元件 置入氮氣箱內，以 Photo Diode 來偵測元件的光電流而以 KEITHLEY 供給 固定的電流密度為20 mA/cm2，然後在LabVIEW 程式控制下量測其元件的 操作壽命，如圖5-4 所示。
圖5-4、元件穩定性量測示意圖
附錄目錄
化合物SA-Ph 之13C 核磁共振光譜圖……….
化合物1之1 H核磁共振光譜圖
化合物1之13 C核磁共振光譜圖
化合物2之1 H核磁共振光譜圖
化合物2之13 C核磁共振光譜圖
化合物3之1 H核磁共振光譜圖
化合物3之13 C核磁共振光譜圖
化合物4之1 H核磁共振光譜圖
化合物4之13 C核磁共振光譜圖
化合物6之1 H核磁共振光譜圖
化合物6之13 C核磁共振光譜圖
化合物8之1 H核磁共振光譜圖
化合物8之13 C核磁共振光譜圖
化合物11之1 H核磁共振光譜圖
化合物11之13 C核磁共振光譜圖
化合物15之1 H核磁共振光譜圖
化合物15之13 C核磁共振光譜圖
化合物16之1 H核磁共振光譜圖
化合物16之13 C核磁共振光譜圖
化合物SA-Ph之1 H核磁共振光譜圖
化合物SA-Ph之13 C核磁共振光譜圖
化合物SA-BiPh之1 H核磁共振光譜圖
化合物SA-BiPh之13 C核磁共振光譜圖
化合物SA-TMP之1 H核磁共振光譜圖