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具有可適應性偏壓的電壓控制振盪器….…78

第四章 頻率合成器設計

4.5 具有可適應性偏壓的電壓控制振盪器….…78

電壓控制振盪器的設計中最重要的兩個參數,就是功率消耗和相位雜 訊,我們此次所實現的電壓控制振盪器[27],是希望能兼具低功率消耗,和低相 位雜訊 ,所以我們使用此可調偏壓點的電壓控制振盪器來實現,此可調的機制 實現在晶片內,可達到具有高線性度的電流調整,如圖 4.19 所示,

第四章 頻率合成器電路設計

bias gen.VCO

outn outp

Vc MP3

MP2 MP1

MN1 MN2

C2 C1

sw1 sw2 C3

Vdd

4.19 可調式電壓控制振盪器

此電路最主要的核心電路是使用 NMOS 和 PMOS 所共同構成,如此一 來,可得知,由於其抵消寄生電阻的能力較強,所以可以獲得比較小的功率 消耗,而且因為同時使用 NMOS 和 PMOS,所以電路會比較對稱,如此對 於降低閃爍雜訊被升頻到所要的頻帶,有很好的效果,此外電容C3 的加入,

對於二倍頻的消除和 Mp3 這顆汲源極電壓的穩定偏壓也有很大的幫助 [28],此尾端電流源,如果能加大它的尺寸比,如此可消去閃爍雜訊的影響 量,但如果尺寸太大,那這顆電流源很容易進入三極管區,造成我很難將我 所想要的偏壓電流送入電壓控制振盪器的核心電路裡,所以就使用圖 4.20 的複製電路來完成偏壓的控制,此電路最主要是利用 Mp4、Mp5、Mn4、

Mn5,作為核心電路的對造組,再利用負迴授路徑完成對偏壓點的監控就可 完成此電路,然後再利用1996 ,Leeson 所提出的相位雜訊模型[21]

第四章 頻率合成器電路設計

`

vbias

bias_adj

MP6

MP4 MP5

MP8

signal S

noise (4.1)

signal S

noise ) 121.8 /

第四章 頻率合成器電路設計

圖 4.21 電壓控制振盪器的輸出

4.22 相位雜訊的模擬

4.6

量測資料

圖 4.23 為 VCO 在 2.4GHZ的頻譜圖,圖 4.24 為 VCO 在 2.41GHZ的頻譜圖

第四章 頻率合成器電路設計

圖 4.25 為 VCO 在 2.42GHZ的頻譜圖,圖 4.26 為 VCO 在 2.43GHZ的頻譜圖

4.23 [email protected] 頻譜圖

4.24 [email protected] 頻譜圖

第四章 頻率合成器電路設計

圖 4.27 為 VCO 在 2.44GHZ的頻譜圖,圖 4.28 為 VCO 在 2.45GHZ的頻譜圖 圖 4.29 為 VCO 在 2.46GHZ的頻譜圖,圖 4.30 為 VCO 在 2.47GHZ的頻譜圖 圖 4.31 為 VCO 在 2.48GHZ的頻譜圖

[email protected] 頻譜圖

[email protected] 頻譜圖

第四章 頻率合成器電路設計

[email protected] 頻譜圖

[email protected] 頻譜圖

第四章 頻率合成器電路設計

4.29 [email protected] 頻譜圖

4.30 [email protected] 頻譜圖

我們由以上的圖示可知,此電壓控制振盪器其雜訊規格在1MHz 的偏移頻率時,

都可達到-115dBc@1MHz,最好可以達到-117dBc@1MHz。其和模擬時做比較,

只相差 2dBc 由此可知,此電壓控制振盪器的設計都在預期之內,在我操作頻

第四章 頻率合成器電路設計

帶,也就是2.4GHz 到 2.48GHz 這個範圍,其平均 FOM 值在 179.6,最好 的 FOM 值可到180。和模擬所推測值幾乎一至,而圖 4.31,為整體除頻器的表現,在最 高頻帶,除數為127 時,所除下的頻率為 19.6MHz,所以可驗證除頻器的操作是 正常工作的。

圖 4.31 除頻器的波形

最後圖 4.32 為我晶片的照相,面積為 1300um ×1300um。表六為量測資料整理表。

圖 4.32 晶片照相圖

第四章 頻率合成器電路設計

製程/供應電壓 TSMC 0.18-μm / 1.8V 頻率範圍

(2.73GHz~2.55GHz)

(2.62GHz~2.45GHz) (2.52GHz~2.37GHz)

參考頻率 20 MHz

鎖住時間 < 60us

迴路頻寬 100 kHz

Phase noise@1MHz -117 dBc/Hz 除頻數 119 ~ 127

功率耗

VCO 3.2 mW

電荷幫浦和相位

頻率檢測器

0.9 mW 和差調變器和

除頻器 8 mW

輸出緩衝器 20 mW

表七 量測整理表

第五章 結論

第五章

結論

此篇論文最主要實現了一個使用和差調變器的非整數頻率合成器, 在此論

文提供了一個完整的設計流程,使得在決定頻率合成器時,皆有一個準則,根據 此準則,可看出電路最瓶頸的地方在哪,而可以針對此困難點加以解決,如此一 來才不會陷入嘗試錯誤的設計方法,最後,我們由量測結果可得知,在模擬時考 慮周詳,則可得到模擬和量測皆一致的結果,如在此論文中,電壓控制振盪器的 相位雜訊在模擬時為-119dBc@1MHZ ,而在量測時為 -117dBc/MHz ,兩者皆一 致。

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簡歷

姓名: 邱偉茗

生日: 1978 年 12 月 27 日

地址: 苗栗市福星里福星街 110 巷 48 弄 9 號 學經歷:

中原大學電子工程學系 (1997-2001) 交通大學電子研究所碩士班 (2002-2004)

研究所主修課程:

類比積體電路 I 吳介琮 教授

類比積體電路 II 吳介琮 教授

適應性訊號處理 杭學鳴 教授

數位積體電路 陳巍仁 教授

高頻電路設計 孟慶宗 教授

數位通訊 溫瓌岸 教授

積體電路之靜電防護 柯明道 教授

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