并行 EEPROM

①从 SCL 成为高电平到 SDA 成为高电平的时间（tCHDH）；

②从 SDA 成为高电平到 SDA 成为低电平重新生成开始条件的时间（tDHDL）。

这两个时间分别为 600ns 和 1.3μs。在数据传输等过程中，SDA 与 SCL 的交互操作需要不到 2μs 的时间，而从开始条件到结束条件，只有 SDA 的操作是连续的，所以存在未满足 1.3μs 这一规定的可 能性。因此，可在 SDA 成为高电平之后需要在哑元的 I／O 存取上争取时间，可在同一数据 2 次写人时 争取时间。

▲ 数据存取时间／保持时间

进行读操作时，EEPROM的数据是在SCL的下降时被开始输出的。在开始输出之前，SDA上保持着上 回传输的数据，确保这一数据的时间就是tCLQX，确保新的数据被确定之前所需要的时间是tCLQV。tCLQX 最小为 200ns；tCLQV最小为 200ns，最大为 900ns，所以从SCL成为低电平到在ISA总线等的I／O读周 期上读出数据为止，感觉其中时间还是非常紧张的。在此之间最好插入哑元周期。

3.6 并行 EEPROM

作为并行 EEPROM 的实例，我们举出 ST MicroElectronics 公司 1MB 的 M28010 来进行说明。DIP 式的引脚配置如图所示：与 AMD 闪速存储器命名信号名称的方式不同，DU 等同于 NC，其他/W，/G，/E 分别等同于/WE，/OE 和/CE。我们知道引脚配置本身具各兼容性。

图 M2801O 的引脚配置

并行 EEPROM 的内部也同闪速存储器一样，包括获得高电压用于替换的升压电路以及对内部单元 的写入控制电路。写人操作可以针对任意地址，与闪速存储器相同，在从 CPU 端进行写人操作到内部 的替换操作结束．需要一定的时间。因此，和闪速存储器一样，如果在替换中要求读取数据，则将读 出状态值，根据这个特点可以判断替换操作是否已完成。还有一个相同点就是可以汇总对同一页的替 换进行处理。

与闪速存储器较大的不同之处在于以下两点：

①写人操作只要简单地写即可；

②写保护功能没有特殊的电压控制也可利用。

虽然闪速存储器可以写入任意的地址，但为了进行写入操作，必须发出多次指令序列。与此相对 应，只要 EEPROM 没有被执行保护功能，就可以对该地址进行写人操作。

但是，像这样简单进行的写人操作，反过来可具有因电气异常而导致误替换的危险性。为此，EEPROM 也要具各写保护功能，以避免不经意的替换。

●3.6.1 M28010 的信号

我们在了解 M28010 的操作之前，先简单介绍各种信号。

▲ A0～A16（Address Input，地址输入）

这是地址总线，由这些引脚指定进行写人／读取操作的地址。

▲ DQ0～DQ7（Data Input／Output，数据输入／输出）

这是双向数据总线。进行数据读操作时，如果/E 和/G 都有效，则在这些引脚上将输出数据；

而在进行写操作时，在这些引脚上事先设置数据，如果/E 和/W 都有效，则数据将锁存于存储器中。

▲ /E（Chip Enable，芯片使能）

这是片选信号，该引脚无效时，忽略/W 和/G 等。

▲ /W（Write Enable，写使能）

写人数据及主机赋予指令时，/W 与/E 信号都有效。在/E 和/W 都有效之后，无论使哪个信号 无效，数据都将被提取到内部。

▲ /G（Output Enable，输出使能）

这是数据输出使能引脚。在进行存储器读／写操作之后的状态读操作时，/G 与/E 都有效。

●3.6.2 基本的存取操作

M280l0 基本的存取过程与闪速存储器完全相同，只包括对器件的读操作及写操作两种。擦除以及 保护功能等可以通过写操作发出一系列的指令序列来进行。

▲ 读操作

EEPROM 的读操作如图 1 所示。注意事项与闪速存储器的基本相同，因此这方面请参考闪速存储 器的注意事项。赋予地址，使/E 和/G 有效，然后等待一定时间后出现数据。这样，主机提取该数据，

然后使/E 和/G 无效，结束存取周期。

图 1 EEPROM 的读操作

因为与串行 EEPROM 不同，它不与时钟同步运行，所以需要参考数据手册中的存取时间等，设计成 在只经过认为数据确实被确定的时间后，主机再进行数据读操作。虽然不必太介意像 ISA 总线那样的 低速总线，但像目前的处理器那样，如果外部总线的操作较快，则在外部需要增加让 CPU 等待的电路，

以调整时序。

▲ 写操作

EEPROM 的写操作也与闪速存储器相同，包括利用/W 信号控制（/W 写控制）和利用/E 信号控制

（/E 写控制）两种方法，图 2 和图 3 简单说明了这两种方法的操作。

图 2 EEPROM 的写操作（1）（/w 写控制）

图 3 EEPROM 的写操作（2）（/E 写控制）

无论哪种方法，在/E 或/W 延迟有效的下降沿，地址被提取，而在提前无效的一方的上升沿，数据 被提取。

●3.6.4 状态寄存器

与闪速存储器相同，EEPROM 一旦开始向芯片的写人操作，则存储器单元将与外部总线分离，对于 其间的读取操作将返回状态。M28010 的状态寄存器如图所示。下面我们说明这些引脚的作用。

图 M28010 的状态寄存器

▲ 位 7：DP（Data Polling）

▲ 位 5：PLTS（Page Load Timer Status）

前面曾经叙述过，EEPROM 可以连续进行同一页的写入操作。这样的页面写是在从一次写操作到

▲ 位 0：SDP（Software Data Protection）

根据软件数据保护机制，该位表示是否进行了保护操作。该位如果是“1”，则为保护状态；如 果是“0”，则为保护解除状态。

第四章