後續研究建議

第五章結論及後續研究建議

5.2 後續研究建議

1.國內廠商在記憶卡的供應鏈，除了 NAND Flash 以外相當完整，建議可以從供應鏈的角度更深一層的探討記憶卡產業

2.國內廠商在記憶卡控制晶片的研發已有相當的成果，可以針對 IC 設計公司或PCB 生產廠商的策略作更深入的研究

3.以不同的策略理論來探討記憶卡產業的發展

參考文獻

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二、英文部份

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一、網站部份

http://www.xd-picture.com/

附件一 2005 年 Sandisk 公司在美國控告 25 家公司

Sandisk 公司控告了 25 家在美國銷售記憶卡的公司及控製晶片製造商其中有多家台灣廠商上榜，以下為該公司2007 年 10 月 24 日的新聞稿

MILPITAS, CALIFORNIA, October 24, 2007 – SanDisk® Corporation (NASDAQ: SNDK) today announced the filing of three patent infringement actions against 25 companies that manufacture, sell and import USB flash drives, CompactFlash cards, multimedia cards, MP3/media players and/or other

removable flash storage products. The actions, filed in the United States District Court in the Western District of Wisconsin and in the United States International Trade Commission (“ITC”), allege that the defendants have infringed various SanDisk system-level patents, and seek damages and a permanent injunction in the federal court actions, as well as a permanent exclusion order from the ITC banning importation of the products into the United States.

“These actions demonstrate SanDisk’s long-term commitment to enforcing its patents, both to protect our investment in research and development by obtaining a fair return on that investment, and out of fairness to third-parties that

participate in our patent licensing program,” said E. Earle Thompson, Chief Intellectual Property Counsel at SanDisk. “Our goal is to resolve these matters by offering the defendants the opportunity to participate in our patent licensing program for card and system technology. Otherwise, we will aggressively pursue these actions, seeking a prompt judicial resolution awarding damages, obtaining injunctive relief and banning importation of infringing product.”

In the ITC action, SanDisk is suing numerous companies for infringement of five SanDisk patents, including:

SanDisk Sues to Enforce Memory System Patents Twenty-Five Card Vendors and Controller Suppliers Named in Patent Infringement Suits

In the first Wisconsin District Court case, SanDisk is suing numerous companies for infringement of the five patents also at issue in the ITC complaint,

including:

• ACP-EP Memory

• A-Data

• Apacer

• Behavior Computer (d/b/a Emprex)

• Buffalo

• Interactive Media (d/b/a Kanguru)

• Kingston

• Zotek/Zodata (d/b/a Huke)

• Verbatim

In the second Wisconsin District Court case, SanDisk is suing numerous

companies for infringement of an additional two patents that are not involved in the ITC action or the first Wisconsin District Court case, including:

資料來源www.sandisk.com

• A-Data

• Apacer

• Behavior Computer (d/b/a Emprex)

• Buffalo

• Dane-Elec

• Kingston

• Phison Electronics

• PQI

• PNY

• Skymedi

• Silicon Motion

• Transcend

• USBest

• Verbatim

• Zotek/Zodata (d/b/a Huke)

附件二 Sandisk 公司的發展年表

Sandisk 公司的發展年表

2008 發表用於手機的 16 Gigabytes iNAND 及 Sansa® Fuze™,多功能 MP3 播放器。

發表用於低價電腦(ULCPC Ultra Low-Cost PCs)的 SSD 系列產品公開第一張專用於手機音樂播放、地圖資料、影片播放、遊戲軟 Extreme Ducati Edition CompactFlash®以 45MB/s Read/Write 的高速度成為 SanDisk 歷年來最高速的記憶卡

發表 SanDisk Extreme III，全世界效能最快、最高的快閃式記憶卡中國第一家零售中心開幕

發表 Cruzer Titanium — 全世界最堅固的 USB 快閃碟

2003 美國商業週刊將 SanDisk 列入「全世界績效最佳的 100 大科技公司」

發表 4 GB CompactFlash 記憶卡 — 全世界容量最高的快閃式記憶卡

發表行動電話專用、全世界體積最小的可卸除式快閃記憶卡 miniSD Card

2002 Toshiba 與 SanDisk 採用 0.13 微米技術，推出新一代 2 Gigabit NAND 快閃式裝置

Hitachi、Ingentix、Matsushita、SanDisk 及 Toshiba 針對快閃式記憶卡共同開發全新的行動安全標準

SanDisk 與 Toshiba 敲定其在日本四日市的 Toshiba FlashVision 記憶體製造廠合併計畫

1999 SanDisk、Toshiba 及 Matsushita 合力推出 SD™ 卡 1998 發表具備 128Mbit 技術的 CompactFlash

1997 第 100 萬張 CompactFlash 記憶卡出貨聘僱第 500 名員工

1996 聘僱第 250 名員工

搬遷至位於美國加州 Sunnyvale，廠房面積為 104,000 平方英呎，員工數量達到 250 名

發表整合 '987 專利技術的 PC 卡聘僱第 100 名員工

1991 SunDisk 代號「Rainbow」的快閃碟，開始使用在美國的太空梭 1990 推出第一款運用 SunDisk 4Mbit 快閃式晶片的產品

1989 SunDisk 針對 '987 專利提出原始申請

1988 SunDisk 由 Eli Harari、Sanjay Mehrotra 與 Jack Yuan 三人共同創立 Eli Harari 博士、Sanjay Mehrotra 與 Robert Norman 三人共同完成 '987 專利發明的構想

資料來源www.saandisk.com 本研究整理

附件三 SanDisk 公司 2001~2008 年損益表

資料來源:www.sandisk.com 本研究匯總

附件四 SanDisk X3 新聞稿

SanDisk 領先業界發表體積最小 32 奈米快閃記憶體技術

X3 以及 32 奈米技術打破規格和密度的籓籬以低製造成本享有卓越效能 X3 以及 32 奈米技術打破規格和密度的籓籬以低製造成本享有卓越效能突破現有技術，提供microSD 卡擁有更大容量

以SanDisk 先進 All Bit-Line (ABL)架構及 32 奈米製程，提供 43 奈米製程的良好效能水平

2009 年 2 月 12 日，台北— 全球快閃記憶體供應商領導品牌 SanDisk®

（NASDAQ:SNDK）與東芝合作推出採用 32 奈米（nm）製程技術所生產的32-gigabite (Gb) 3-bits-per-cell (X3) 多層電路元 (Multi-Level Cell，簡稱 MLC) 快閃記憶體晶片，助益以低成本生產高容量儲存記憶卡及固態硬碟等產品。

SanDisk 共同創辦人兼總裁 Sanjay Mehrotra 表示：「SanDisk 在推出 56 奈米3-bits-per-cell 的第一代產品後一年半，即開發出第三代 32 奈米

3-bits-per-cell 技術，展現身為業界領導者具備的快速研發能力。同時，憑藉此創新技術，讓SanDisk 更能以經濟的成本，提供更多兼具高容量及時尚外觀的產品，不僅助於拓展各產品線，更突顯SanDisk 提供給消費者卓越技術與創新的堅持。」

32 奈米 X3 技術—microSD 相關產品的最佳選擇

32 奈米 32Gb X3 技術是目前業界體積最小的快閃記憶體晶片，適用於手機和其他消費性電子產品中，僅有指甲大小的microSD™記憶卡。業界密度最高的32 奈米 32Gb microSD 記憶卡，以與 43 奈米相同的模組，提供比其高出兩倍的容量。32 奈米製程以及其電路設計的領先技術為成就 113mm2 晶片規格的關鍵要素，並以SanDisk All-Bit-Line （ABL）專利架構提升 X3 的讀寫效能。

SanDisk OEM 業務部暨企業工程執行副總裁 Yoram Cedar 表示：「32 奈米 X3 晶片的小巧體積和令人難以置信的密度，促使高容量 microSD 的誕生。

隨者日益增長的行動電話儲存需求，microSD 的尺寸大小也成為消費者選購的要點，而X3 技術將是使我們為市場注入新產品的重要因素。」

關於SanDisk 核心技術

32 奈米是業界迄今最先進的快閃記憶體製程技術，它需要先進的解決方案來管理在規格上的變化。結合數種創新技術的32 奈米製程晶片，與摩爾定律中的其他趨勢線相較之下，其模組區域大幅減小。

SanDisk 儲存技術部副總裁 Klaus Schuegraf 表示：「SanDisk 成功的以 43 奈米浸沒式光刻技術部署間隙壁工藝，不需增加昂貴的光刻設備下，完成 32 奈米製程技術，SanDisk 將其領先業界的 64-bit NAND 串長帶到 32 奈米，

並採用創新的程式演算法和系统設計彌補位與位之間的甘擾影響（bit to bit）。」

SanDisk 和東芝在 2009 國際固態電子電路會議 (International Solid State Circuits Conference; ISSCC) 中攜手發表 32 奈米 32Gb X3 NAND 快閃記憶體；強調可發展出32 奈米的創新技術。32 奈米 32Gb X3 預計在 2009 年下半年開始投產。

http://tw.sandisk.com/Corporate/PressRoom/PressReleases/

附件五 SanDisk X4 新聞稿

（NASDAQ:SNDK）宣布將大量生產以多層電路元 (Multi-Level Cell，簡稱 MLC) 技術為基礎，全球首項、領先業界的高效能 4-bits-per-cell (X4) 快閃記憶體。SanDisk 秉持提供業界最高的記憶體容量、滿足日新月異的記憶體應用程式，突破現有技術，採用43 奈米製程來支援 64Gb 單顆粒記憶體晶片。此外，SanDisk 亦已生產新一代的 X4 控制器，作為有效管理 X4 記憶體效能表現及其複雜性及的必要工具。SanDisk 結合 X4 記憶體晶片及 X4 控制器晶片於多重晶片封裝(Memory Multi-Chip Package，簡稱 MCP)內，以提供全面、整合並符合經濟效益的記憶體方案。

SanDisk 記憶體科技及產品發展高級副總裁 Khandker Quader 表示：「X4 記憶體及控制器技術視為快閃記憶體發展的重要里程碑，除了將為SanDisk 帶來長遠重大的效益外，更視為未來在NAND 快閃記憶體技術發展上的重要角色。64Gb X4 乃是匯聚多項重大發明的成果，此項技術顯示 SanDisk 在發展高效能、低成本multi-bit 快閃記憶體的領先技術外，亦突顯 SanDisk 在需佔用大量記憶體音樂、電影、相片、GPS 及電腦遊戲等相關應用程式

programming，TSP) 、及順序概念 (sequential sense concept ，SSC) 構成 X4 不凡的卓越表現；其寫入速度比現今多層式晶片技術提升至每秒

7.8MB，是目前業界最高容量與密度的快閃記憶體單顆粒，並預計將於今年投產。

X4 控制器科技乃是關鍵

SanDisk 發展多項先進系統管理的創新應用程式，以解決 4-bits-per-cell 繁雜技術所帶來的問題。由SanDisk 研發及擁有的 X4 控制器，利用首創專為儲存系統而設的錯誤校正碼 (error correcting code，簡稱 ECC) ，支援

4-bits-per-cell 所需的 16 層分配模式。

SanDisk 未來科技及創新部副總裁 Menahem Lasser 表示：「兼具生產、效能及符合經濟成本的4-bits-per-cell 技術，最根本的挑戰在於多層式儲存上需要創新先進的系統支援，幸而我們的X4 控制器技術配合記憶體管理及單一處理系統，能完全符合4-bits-per-cell 記憶體的獨特需求，此亦顯示出 SanDisk 在處理繁雜記憶體應用程式概念化與投入生產上的卓越能力。」

在文檔中台灣廠商在記憶卡相關產品的競爭優勢分析及建議 (頁 104-120)

第五章 結論及後續研究建議