快閃記憶體產業競爭廠商分析

1. 全球 NAND Flash 廠商發展狀況

NAND Flash 的市場潛力，減緩了 Flash Memory 的價格下滑對市場造成的衝 擊，同時也改寫 Flash 市場總排名。NAND Flash 需求暴增主要為 Flash 記憶卡、USB 隨身碟、數位相機、行動電話、數位電視機轉換盒、DVD 播放器、電視遊樂器等通 訊及消費性產品需求攀升所致。到 2003 第三季為止，Flash 平均售價止跌，較前一 季上漲 9.2％至 4.69 美元，乃因 NAND Flash 銷售暢旺所賜。在 Flash 市場排名上，

2003 年第三季三星（Samsung）終於擠下半導體業龍頭英特爾（Intel），成為 Flash 市場新霸主，目前 NAND Flash 市場前 4 大供應商依序為三星、東芝（Toshiba）、瑞 薩（Renesas）與 SanDisk。

表 3-2：2004 Q3 NAND Flash 市場排名 排名 廠商 銷售額（億美元） 市佔率 季增率

1 Samsung 6.4 55.60% 72.00%

2 Toshiba 4.2 36.50% 82%

3 Renesas 0.67 5.80% 34%

4 SandDisk 0.23 2.00% 53%

(iSuppli、電子時報 2003/12)

0 1,000 2,000 3,000 4,000 5,000 6,000 7,000 8,000 9,000

1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006

$ Millions

NOR Combo NAND

2003 年第四季 Infineon 和 STMicro+Hynix 計劃跨入 NAND Flash 市場，預計在

其中 Renesas Technology 是於 2003 年四月成立，由日立製作所與三菱電機合併 旗下半導體事業組成。Renesas Technology 的 2002 年營收為 83 億美元。旗下分為微 控制器、系統單晶片、系統封裝晶片模組(SiP)等三大事業體，目標為成為全球最大

表 3-4：2002 Flash Memory 全球市佔率

排名 公司 市佔率

1 Intel 25.50%

2 Spansion *18%

3 Samsung 12.50%

4 Sharp 8.30%

5 Toshiba 7.70%

6 STMicro 7.60%

7 Others 20.40%

*: AMD 9.1%；Fujitsu 8.9%

(Webfeet Research,2003)

在 2003 3Q，前文中提及 Samsung 已在 Flash 全球市佔率上超越 Intel，若僅看 NOR 型 Flash 全球市佔率，Spansion 亦首度超越 Intel。

表 3-5：2003 Q3 NOR Flash 市佔率

排名 公司 產值(百萬美元) 市佔率(%) 前一季市佔率變動(%) 佔全部Flash出貨率(%)

1 Spansion 424 22.40% 3.20% 100%

2 Intel 416 22.00% -4.40% 100%

3 Sharp 296 15.60% 29.30% 100%

4 STMicro 199 10.50% 22.10% 100%

5 Renesas 120 6.30% -7.70% 64.20%

6 Toshiba 112 6.00% 12.80% 21%

7 SST 64 3.40% 14.30% 100%

8 Macronix 64 3.40% 4.90% 100%

9 NEC 49 2.60% 28.90% 100%

10 Samsung 40 2.10% 166.70% 5.90%

11 Atmel 37 2.00% 164.30% 100%

12 Micron 18 1.00% 80% 100%

13 Sanyo 13 0.70% 18.20% 100%

14 Windbond 12 0.60% 33.30% 100%

15 Hynix 5 0.30% 25% 100% 0.11um。而 Intel 則在 2003Q4 推出 1Gb Flash，其 StrataFlash 技術同樣具低成本優勢。

這些高容量 NOR 型 Flash，與市面上東芝、三星等所量產的 NAND Flash 規格全然 不同，因此可避開 NAND Flash 相關 IP 侵權的困擾，同時就目前 NOR Flash 規格進 行修改，使其成為真正用於儲存資料的 Flash 晶片。不過 Samsung 亦積極切入 NOR Flash 市場，因應客戶對結合 DRAM、靜態隨機存取記憶體（SRAM）、NOR/NAND Flash 之整合性記憶體（multichip package；MCP）需求，三星將加緊 NOR Flash 產

品發展腳步。

表 3-6：2003 Q3 全球 Flash 市佔率

排名 公司 Flash總產值(百萬美元) NOR Flash出貨率 NAND Flash出貨率

1 Samsung 678 5.90% 94.10%

2 Toshiba 533 21% 79%

3 Spansion 424 100% 0%

4 Intel 416 100% 0%

5 Renesas 187 64.20% 35.80%

(iSuppli , 2003 ,本研究整理)

表 3-7：Intel & Spansion 高容量 NOR Flash 技術

廠商 特色 製程技術 產品容量

採用StrataFlash技術 2003 : 0.13um 2004/Q1 : 1Gb

Intel 12吋廠先進製成具成本優勢

採用MirrorBit技術 2003 : 0.13um 2004/1Q : 512Mb

Spansion 具低成本優勢 2004 : 0.11um

(本研究整理) FLASH 同時進軍，同時也將是台灣唯一生產 NAND FLASH 廠商，其 NAND Flash 是技轉瑞薩(Renesas)的 AG-AND FLASH 技術，明年中量產 1G 產品，在 NOR Flash 方面，已與 SST 合作開發第三代 SUPER FLASH，也是可支援 NAND Flash 的儲存 功能，與旺宏的 N-bit 技術相似，力晶的最大優勢為第一座 12 吋廠已在 2003 開始 運作，而第二座 12 吋廠也預計在 2005 年 3Q 開始量產，因此生產成本將極具優勢。

台灣第一家自行研發生產 FLASH 的旺宏，除了以本身開發 0.18um PAC-AND 的 NOR 型 Flash 技術生產低容量 Flash 外，也分別和瑞薩(Renesas)及以色列半導體 廠 Saifun 合作，採用 DINOR 和 N-bit Flash 2 種技術，挺進高容量 128MbFlash，旺 宏的優勢在豐富的設計及製程開發經驗，但卻無 12 吋廠的開發計劃及生產經驗，同 時在 N-bit 的 0.15um 及 0.13um 部份仍以自行研發為主，因此量產時程較為落後。

華邦在 NOR Flash 技術上也是兵分兩路，區分為低容量 WIN STACK Flash 和高 容量的 ACT1 Flash。低容量的 WIN STACK Flash 技術為華邦自行開發，現有產品 為 4M～16Mb，目前有小量生產 32Mb，且部分產品已採 0.13 微米製程生產。在 ACT1 FLASH 方面，是技轉自夏普（SHARP），華邦表示，預計明年第二季會推出 128Mb 產品，華邦的優勢與旺宏一樣，在豐富的設計及製程開發經驗，缺點也是無 12 吋廠，

不過第一座 12 吋廠預計 2004 年中動工。

茂德將幫 Cypress 代工 NOR 型 Flash，預計在 2004 年底開始量產，雖然它跟力 晶一樣，第一座 12 吋廠已在 2003 開始運作，而第二座 12 吋廠也預計在 2005 年中 開始量產，不過它只轉移少量產能生產低容量 Flash，主要仍以生產 DRAM 為主。

表 3-8：台灣廠商發展 Flash 狀況

廠商 產品技術 技術來源 容量 製程 12吋廠 備註

旺宏 DI-NOR Renesas 128Mb 0.15um,0.13um NA 0.15um,2003已量產

N-Bit Saifun 128Mb 0.15um low cost

PAC-AND 自行開發 64Mb以下 0.18um 2003已量產

華邦 ACT1 Sharp 128Mb 0.175um 2004動工預計2004/Q2量產,Low cos

Win Stack 自行開發 128Mb 0.175um 2004 32Mb 小量出貨

力晶 AG-AND Renesas 1Gb 0.13um 1st 2003 量產2004中,Low cost

Super Flash SST 2Gb 0.11um 1st 2003 量產2005年,Low cost

茂德 NOR Cypress 32Mb,64Mb 0.13um 1st 2003 僅少量代工

(本研究整理)