1.1 研究動機與問題
知識經濟時代中任一企業欲轉型為知識產業，皆須做好專利開發的工作，因為 唯有企業充分地體認到專利的重要性，並且了解如何開發專利以創造企業營收，才 能在知識經濟中立於不敗之地。因此，如何一方面擴充具有價值之專利數量，另一 方面尋求專利價值化之可行方案，最後回饋到未來技術之創新與產品開發，乃是企 業進行專利開發之主要目標。
1.2 研究目的
基於上述研究動機，本研究希望在快閃記憶體 MLC 技術的美國專利部分，藉 由連穎科技豐厚的專利實務經驗以及專利分析技術，使企業的經營決策層以及技術 研發團隊得以迅速掌握相關技術發展的趨勢以及專利佈局現況，並就智慧財產權角 度提供企業現有技術的未來發展空間。
1.3 研究對象與範圍
本研究針對快閃記憶體，進行專利技術分析，茲分別說明如下：
（1） 以專利件數字判斷快閃記憶體各階段生命週期時，其範圖為利用
Patentpilot 及 PatentGuider 軟體從美國專利局網站（www.uspto.gov），檢索所得 與快閃記憶體技術相關之 2165 篇專利。
（2） 依據策略一所蒐尋的專利群 IPC 分析，取前六位最多專利數的 IPC("G11C 16/00 or "H01L 21/00" or "G11C 11/00" or "G11C 7/00" or "H01L 29/00" or
"G11C 13/00")，檢索所得與快閃記憶體技術相關之 397 篇專利。主要在於建 立線的分析，探討主要技術的發展方向，可作為技術分析參考。
（3）針對上述快閃記憶體相關專利的 title 及 abstract 部分，再利用關鍵字，
"multi-bit"、"multi-state"、"multi-level"、"analog"，檢索出與 MLC 技術相關 的 104 篇專利。
1.4 研究方法
在訂定技術策略前，需先了解產業環境，然後利用專利分析，得到技術發展策 略。在產業環境方面，首先對整個記憶體產業與快閃記憶體產業特性做分析，並探
討快閃計憶體市場趨勢，同時也對競爭廠商做分析，最後針對快閃記憶體及 MLC 關的半導體廠商：Flash Memory 專業製造商、Flash Memory 設計公司、Flash 系 統應用製造商、SOC 晶圓代工廠商，在面對國際大廠專利及市場佔有率上大者恆大
1.專利核准數
主要在衡量專利被引用的相對強度。根據 CHI 公司的定義，係指某國某年(或
5.技術強度(Technology Strength)
技術強度是代表一家公司或國家目前在某項技術領域上影響著規模。CHI 在定
1.5 研究內容與流程
基於上述研究方法，本研究希望藉由以下步驟，探討快閃記憶體 MLC 技術的 研發策略。
研究動機
研究動機
研究問題形成及 目的確認
研究問題形成及目的確認
界定主題及研究 範圍
界定主題及研究範圍
資料收集及整理
資料收集及整理
文獻、書籍、論
文探討
文獻、書籍、論文探討
篩選合適樣本
篩選合適樣本資料分析
資料分析
運用合適軟體運用合適軟體
結果分析
結果分析
結論與建議
結論與建議論文撰寫
論文撰寫
圖 1-1：研究內容與流程