NOR 型 Flash 及 MLC 技術

圖 3-14：1bit/cell Nor Flash 成本及售價趨勢 (Web-Feet research, Inc 2002)

圖 3-15：1bit/cell Nor Flash 毛利率趨勢 (Web-Feet research, Inc 2002)

? MB

2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2010 2013 2016

Pric e Cos t 8" Cos t 12" Cos t 18"

Margin 8" Margin 12" Margin 18"

2. NOR Flash 的 MLC 技術

若是 NOR Flash 採用 one cell 儲存 2 bits 的 MLC 技術，則至少可從 2003 年開 始獲利，若是以 12 吋廠生產其毛利率甚至超過 20%，而且一直到 2007 都仍可保持 獲利。目前此類 MLC 技術廣汎被用在 NOR 型的 Flash 上。

($=0.1USD)

圖 3-16：2bits/cell Nor Flash 成本及售價趨勢 (Web-Feet research, Inc 2002)

圖 3-17：2bits/cell Nor Flash 毛利率趨勢 (Web-Feet research, Inc 2002)

? MB

0 5 10 15 20 25 30 35 40

2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2010 2013 2016

Pric e Cos t 8" Cos t 12" Cos t 18"

-3 0 % -2 0 % -1 0 % 0 % 1 0 % 2 0 % 3 0 %

2 0 0 1 2 0 0 2 2 0 0 3 2 0 0 4 2 0 0 5 2 0 0 6 2 0 0 7 2 0 1 0 2 0 1 3 2 0 1 6

Margin 8" Margin 12" Margin 18"

若是採用 NOR Flash 採用 one cell 儲存 4 bits 的 MLC 技術，因為需要製程配合，

圖 3-20：4bits/cell Nor Flash 成本及售價趨勢 (Web-Feet research, Inc 2002)

圖 3-21：4bits/cell Nor Flash 毛利率趨勢 (Web-Feet research, Inc 2002)

2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2010 2013 2016

Pric e Cos t 8" Cos t 12" Cos t 18"

Margin 8" Margin 12" Margin 18"

3. DINOR Flash (Web-Feet research, Inc 2002)

圖 3-23：Dinor Flash 毛利率趨勢 (Web-Feet research, Inc 2002)

\

2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2010 2013 2016

Pric e Cos t 8" Cos t 12" Cos t 18"

Margin 8" Margin 12" Margin 18"

4. ACT Flash

ACT Flash 是 Sharp 所研發的低成本 NOR 型 Flash，在 2003 年中已開始量產 0.18um MLC 技術的 3.3V 64Mb NOR Flash，它甚至比 one cell 儲存 2bits 的傳統 NOR Flash 還更具競爭力。預計 2004 年中推出 0.13um MLC 技術的 1.8V 256Mb NOR Flash，目前 Sharp 已授權華邦等大廠共同開發。

($=0.1USD)

圖 3-24：ACT Flash 成本及售價趨勢 (Web-Feet research, Inc 2002)

圖 3-25：ACT Flash 毛利率趨勢 (Web-Feet research, Inc 2002)

? MB

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18

2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2010 2013 2016

Pric e Cos t 8" Cos t 12" Cos t 18"

-1 0 0 % -5 0 % 0 % 5 0 % 1 0 0 % 1 5 0 % 2 0 0 %

2 0 0 1 2 0 0 2 2 0 0 3 2 0 0 4 2 0 0 5 2 0 0 6 2 0 0 7 2 0 1 0 2 0 1 3 2 0 1 6

Margin 8" Margin 12" Margin 18"

5. NROM Flash

NROM（nitride read-only memory）是以色列 Saifun 公司所開發的新非揮發性記 憶體技術，特性與 Flash 非常相近，且可透過標準 CMOS 製程生產。NROM 技術可 在每個儲存細胞中，置放 2 位元的資料，也算是 NOR 型 Flash 的 MLC 技術。NROM 是一種能以較低成本，能夠在 CMOS 製程上製造；簡單來說，NROM 是一種以電 荷形式儲存在 ONO（二氧化氮）介電質的一個兩位元的快閃記憶體單元；因此，藉 由這種技術所量產的記憶體，將可在一定的面積範圍內具備較高的儲存能力且能夠 縮小單元尺寸，除了可作為一般標準型的 NOR Flash 外，並可滿足需要內建高密度 嵌入式記憶體的應用產品的需求。

NROM 透過 CHE（Channel Hot Electron injection）的方式來進行程式化作業，而以 HHET（Hot Hole Enhanced Tunneling）來進行清除的作業，其工作電壓介於 2.7V 到 3.6V 之間。NROM 單元本身可視為一個擁有 n 個通道的 MOSFET 裝置，其中被放 置在二氧化矽的階層中的閘極介質材料由一個經過被陷入處理的氮化物所取代，其 中兩層的二氧化矽的厚度都超過 50 A，電荷是儲存在氮化物上。但是這種處理方式 並不會影響 CMOS 製程中的散熱，且對於製程成本的影響也相當有限。不過它的缺 點是讀寫次數比傳統的 NOR Flash 差。

($=0.1USD)

圖 3-26：NROM 成本及售價趨勢 (Web-Feet research, Inc 2002)

? MB

0 2 4 6 8 10 12

2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2010 2013 2016

Pric e Cos t 8" Cos t 12" Cos t 18"

圖 3-27：NROM 毛利率趨勢 (Web-Feet research, Inc 2002)

0 % 50 % 1 00 % 1 50 % 2 00 % 2 50 % 3 00 % 3 50 % 4 00 %

2 00 1 2 0 0 2 2 00 3 2 0 0 4 2 00 5 2 0 0 6 2 00 7 2 0 1 0 20 1 3 2 0 16

Margin 8" Margin 12" Margin 18"

6. MirrorBit Flash

AMD 所開發的技術，它與 NROM 相似，且可透過標準 CMOS 製程生產。MirrorBit 技術可在每個儲存細胞中，置放 2 位元的資料，也算是 NOR 型 Flash 的 MLC 技術，

一樣具有低成本優勢。AMD 與富士通公司合資經營的 FASL，採用 130/110 納米 第二代 MirrorBit 製程技術製造的 Spansion 快閃晶片。採用 MirrorBit 技術的 Spansion Flash 都比採用傳統 NOR Flash 的 MLC 架構的成本低，它的成本至少相差 一個世代。特別是採用 130/110 納米製程節點製造的 Spansion Flash，成本估計與 90nm NOR MLC 或 65 nm NOR MLC 技術大致相同或較之更低。

($=0.1USD)

圖 3-28：MirrorBit Flash 成本及售價趨勢 (Web-Feet research, Inc 2002)

圖 3-29：MirrorBit Flash 毛利率趨勢 (Web-Feet research, Inc 2002)

? MB

2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2010 2013 2016

Pric e Cos t 8" Cos t 12" Cos t 18"

Margin 8" Margin 12" Margin 18"