第二章 文獻探討
2.3 界面反應動力學
2.3.2 擴散機構控制反應
0.5
,且回歸曲線將不會通過零點。遇到此種情形時,當考慮界面是 否有混合控制機構( Mixed Controlled Mechanism )
的情形發生。此外 在銲錫界面反應中,高溫所形成的界面介金屬相與低溫不相同,也會 造成反應機構或活化能的改變,以上這些情形在討論反應的機構時均 應考慮。2.4 無鉛銲錫合金系統 2.4.1 Sn-Cu
Sn-Cu
共晶合金的組成為99.3Sn-0.7Cu
,熔點較高,大約在227
℃,最早被使用在水管的銲接,一般常應用在汽車工業等銲接工作溫度較 高的情況。
Sn-Cu
合金系統的無鉛銲錫合金中,Cu
的含量通常都不會 超過3 wt.%
,若是含Cu
量超過3 wt.%
時液相線會急速上升,造成兩相 區寬度快速增加,因此超過3 wt.%
含Cu
量的Sn-Cu
合金應用上即受到限制。
Sn-Cu
合金之機械性質較其他無鉛銲錫合金差,甚至比Sn-Pb
合金還差,因此如果要將
Sn-Cu
合金應用在電子工業上,那麼就必須 利用微結構的控制來改善其機械性質。一般常用的方法是在錫基質內 散佈細微且穩定的第三相來強化機械性質。2.4.2 Sn-Ag
Sn-Ag
系統中,共晶96.5Sn-3.5Ag
銲錫是有可能取代傳統Sn-Pb
合 金的其中之一,因為Sn-Ag
共晶與傳統Sn-Pb
合金比較,其具有較好的延 展 性
(Ductility)
、 抗 潛 變 性(Creep Resistance)
與 熱 阻 性(Thermal Resistance)
,還有對Au
的溶入有很大的容忍度,就算在溶入5 wt.%Au
的情形下還是保有良好的延展性;
相對的,傳統Sn-Pb
合金在溶入5
wt.%Au
時,伸長率則會急速下降表現出脆性的行為。但共晶Sn-Ag
合金的缺點為熔點較高,約在
221
℃,因此在使用上受到限制,一般 應用於較高溫的銲接環境,其潤濕性質也比Sn-Pb
合金差。添加In
與Bi
可以降低熔點溫度與改善潤濕性質,但是會增加成本並且添加Bi
會使疲勞壽命明顯降低。2.4.3 Sn-Bi
Sn-Bi
合金的共晶組成為43Sn-57Bi
,共晶溫度為138
℃,因為熔 點低所以在組裝製程上是有利的,且與Sn-Pb
合金類似,無介金屬相 的存在。與傳統Sn-Pb
合金比較,共晶Sn-Bi
具有較高的抗拉強度,其 抗潛變性也較Sn-Pb
合金優異[24]
,在20~60
℃時其剪切強度與Sn-Pb
合金相近,但在100
℃時機械性質較Sn-Pb
合金差,隨著應變率增加Sn-Bi
合金伸長率之降低較Sn-Pb
合金快,以及高含量Bi
會使合金的彈 性降低,而且在承受剪變時會出現應變軟化的現象,耐疲勞性也不如Sn-Pb
合金。Sn-Bi
合金在熱時效的期間微結構會明顯的有粗化的現象,此種在高溫時不穩定的微結構,可以藉由混入細微的散佈粒子進 入共晶
Sn-Bi
合金來抑制。當
Bi
含量增加時,基材與熔融銲錫間的表面張力會增加,因為Cu
不會與Bi
反應,所以增加Bi
含量會使Sn
與Cu
基材之間形成介金屬化合 物之動能增加,導致銲錫與基材間的表面張力增加。因此,潤濕的速 率可以藉由熔融銲錫與基材間的界面能來控制[25]
。但因為Bi
原子比Cu
原子與Sn
原子還要大,所以當Bi
原子偏析至界面處時會造成局部 原子排列斷裂,使界面處的鍵結減弱而引起界面脆化[26]
。2.4.4 無鉛銲錫合金發展
近十餘年來的研究和努力,目前仍尚未有可以直接取代
Sn-Pb
銲 錫的無鉛銲錫材料,不過有數種具有替代潛力的無鉛銲錫合金組成,分別受到國際間各單位所推薦。整體而言,到目前為止,無鉛銲錫合 金的發展可以分為兩類:
1.
第一類為現存的二元無鉛替代合金包括含Sn
的二元共晶或非共 晶合金,如Sn-Ag
、Sn-Bi
、Sn-Cu
、Sn-Zn
等,以及不含Sn
之無 鉛合金,如In-Ag
、In-Ga
、In-Bi
、Au-Ge
等。此類合金大多已實 際應用在電子工業中。2.
第二類為在第一類的無鉛銲錫合金基礎上加以改良,改良方式 往往採用添加少量元素,如Ag
、Cu
、Bi
、In
、Sb
、Ge
、P
、Ni
、Fe
、Au
、Ga
、Co
、Re
,以期提高銲錫合金的潤濕性能、接著2.4.5 微量Zn元素添加對無鉛銲錫合金的影響
無鉛銲錫合金中添加微量
Zn
元素之相關研究方面,在Sn-Ag-Cu
共熔合金中添加微量的Zn
元素,可以發現微量的Zn
元素有效的降低Cu
3Sn
及Ag
3Sn
等介金屬化合物在Cu
基地的產生,並且改變介面反應 的微結構組織[27]
,如Cho, Kang, Shih, and Lee
等人的研究報告完整的 指出,當加入0.4 wt.%Zn
元素到Sn-0.7Cu
及Sn-3.8Ag-0.7Cu
的共熔合金 中,可有效的降低Cu
3Sn
介金屬化合物的產生,並且抑制了銲點中空 孔的產生[28]
。而在Sn-3.5Ag
合金中添加Zn
元素後,添加1.0 wt.%Zn
元素可以提升降伏應力和最大拉伸應力,此外,雖然應變無法改善,但其熔點可由
221
℃下降為217
℃;另一方面,添加0.5 ~1.0 wt.%Zn
元 素,可使Ag
3Sn
化合物均勻細化而改善其機械性質,惟獨Zn
元素增加 至2.0 wt.%
時,其Ag
3Sn
顆粒為非均勻的分散且粗大化,造成應力集 中而在銲錫中形成裂痕,故其降伏應力較Sn-3.5Ag-(0.5~1.0)Zn
為低[3]
。此外,相關研究顯示添加Zn
元素至Sn-0.7Cu
共晶合金中雖然會產 生Cu
39Sn
11形成非常態的相平衡,並降低其合金的抗潛變性,但當加 入0.5 wt.%
的Zn
形成的Sn-0.7Cu-0.5Zn
合金後可大幅提昇合金的硬度 及降伏應力[29]
。由上述微量元素對無鉛銲錫合金的影響研究結果,本研究為提升 具有低成本且目前廣受業界應用之
Sn-0.7Cu
合金之性能,嘗試以Sn-0.7Cu
合金為基礎材料,分別微量添加對銲錫合金性能有一定影響 能力之Zn
元素,探討微量Zn
元素對Sn-0.7Cu
合金界面反應層之生長行 為及銲點強度的影響,並進行150
℃的高溫儲存實驗及銲點接伸試 驗,以評估其接合強度及可靠度。2.5 電子構裝之可靠度分析
IC
測 試 主 要 分 為 晶 圓 測 試(Wafer Probing)
及 成 品 測 試(Final
Testing)
兩部分,其中晶圓測試是在IC
尚未封裝前以探針做簡單的功能測試,以避開不良品,減少不必要的封裝成本投入;成品測試是在
IC
封裝後用於確認IC
功能、速度、容忍度、電力消耗屬性是否正常,因此電子構裝可靠度測試的項目及複雜度也較晶圓測試來的多及複 雜,所使用的測試機台也較為高階,對各家
IC
廠而言,代表著商譽是 否能夠持續累積,而不至於有不良品落於客戶手中。在晶圓測試的部 分可以由晶圓製造廠完成,或是由客戶自己、或交由專業測試廠承 做。而成品測試部分,有不少比例是留在客戶自己完成,交由專業測 試廠的比重則依產品屬性的不同,則其考量點為時間效益(Time to Market)
、價格成本的考量。在電子構裝測試部分,可靠度
(Reliability)
是一個非常重要的指 標,可靠度可以定義為一個電子元件或電子組裝產品在其設計的使用將一個電子元件或一個電子構裝的故障率
(Failure Rate)
繪出,可以得 到一個浴缸曲線,整個曲線可以分為三個部分,分別為早夭期(Infant Mortality)
;穩定期(Steady-State)
;耗損期(Wearout)
。早夭期主要為製 造過程中產生之偶發性缺陷,在使用初期即導致產品故障,因實際缺 陷品數量會逐漸隨著時間消耗,失效率會呈逐漸降趨勢;穩定期為電 子元件或組裝產品在某一段時間內的故障率維持一定;耗損期為電子 元件或一個電子組裝產品在某一個時間內的故障率會持續增加,一直 到所有產品全部故障為止。對可靠度影響最直接的為環境因子如溫度變化、溫度、濕度、機
械應力、電壓及輻射
…
等,針對構裝元件可靠度的評估方式,美國軍 方或英國British Telecom
等公家單位皆制訂標準流程,如Military
Standard 883E
或從軍事規格衍生出相類似的可靠度測試規範,如JEDEC
、IPC
,其他如AT&T
、Ericson
、Siemens
、IBM
等公司本身均 有發展相關電子產品或元件可靠度規範。不論是政府或是私人的測試 規範,評估的方法流程主要是建立在實際應用環境下回收之使用數據 及過去加速測試結果進行修正改善所得的經驗法則。可靠度測試主要是針對構裝元件在各種的使用環境下進行模
擬,以得到發生失效現象及失效率同時經由測試期間所產生的破壞模 式、位置及機制的分析,可以進一步改善設計、材料及製程參數,以
強化可靠度效能。下面介紹一些常用的加速可靠度測試:
1.
前處理(Precondition Test)
主要是模擬構裝元件在開始使用前所經歷的運輸、儲存、迴銲
…
等過程所感受的應力。2.
溫度循環測試(Thermal Cycling Test)
利用構裝結構不同材料膨脹係數差異,加強其因為溫度快速變 化所產生的熱應力對元件造成劣化影響,測試溫度由最嚴苛的
-55
℃至150
℃到溫和的0
℃至100
℃皆有。3.
熱衝擊測試(Thermal Shock Test)
和溫度循環測試一般,因為膨脹係數差異所引起的劣化作用,
主要差別為升降溫速率較為快速及高低溫區域停留時間較短,
大步採用雙槽液態升降溫的方式以快速達到恆溫狀態。
4.
熱功率循環測試(Power Cycling Test)
測試構裝元件因開關所引起之溫度變化。最高接點溫度多控制 在
120
℃至150
℃之間。5.
恆溫恆濕偏壓設計(Temperature/Humidity/Bias Test)
測試構裝元 件在潮濕環境的抗蝕性,在高溫(85
℃)
及高濕度(85%RH)
環境下 反覆施加正負電壓(5V)
於元件上,加速內部金屬腐蝕速率,通 常測試時間為1000
小時。6.
壓力釜設計(Pressure Cook Test)
判斷元件本身抗濕抗蝕的能力,在
121
℃、2
大氣壓飽和蒸氣壓 力下進行長時間的浸泡測試,時間為96-168
小時,主要破壞機 制是由於封閉不良而導致晶片金屬線路腐蝕及環境污染問題所 造成。7.
高溫高壓未飽和蒸氣加速測試(Highly Accelerated Stress Test)
為快速進行的嚴苛環境測試的方法,在130
℃/85%
相對濕度 下,將測試槽內水蒸氣壓提升至遠高於構裝內部水氣的狀況,進行濕氣對構裝完整性評估。
8.
高溫儲存測試(High Temperature Storage Test)
用於判斷電子元件在長期高溫作用下構裝元件劣化狀況,通常 測試方法為在未外加電壓下進行