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第二章 文獻探討

2.5 電子構裝之可靠度分析

IC

測 試 主 要 分 為 晶 圓 測 試

(Wafer Probing)

及 成 品 測 試

(Final

Testing)

兩部分,其中晶圓測試是在

IC

尚未封裝前以探針做簡單的功

能測試,以避開不良品,減少不必要的封裝成本投入;成品測試是在

IC

封裝後用於確認

IC

功能、速度、容忍度、電力消耗屬性是否正常,

因此電子構裝可靠度測試的項目及複雜度也較晶圓測試來的多及複 雜,所使用的測試機台也較為高階,對各家

IC

廠而言,代表著商譽是 否能夠持續累積,而不至於有不良品落於客戶手中。在晶圓測試的部 分可以由晶圓製造廠完成,或是由客戶自己、或交由專業測試廠承 做。而成品測試部分,有不少比例是留在客戶自己完成,交由專業測 試廠的比重則依產品屬性的不同,則其考量點為時間效益

(Time to Market)

、價格成本的考量。

在電子構裝測試部分,可靠度

(Reliability)

是一個非常重要的指 標,可靠度可以定義為一個電子元件或電子組裝產品在其設計的使用

將一個電子元件或一個電子構裝的故障率

(Failure Rate)

繪出,可以得 到一個浴缸曲線,整個曲線可以分為三個部分,分別為早夭期

(Infant Mortality)

;穩定期

(Steady-State)

;耗損期

(Wearout)

。早夭期主要為製 造過程中產生之偶發性缺陷,在使用初期即導致產品故障,因實際缺 陷品數量會逐漸隨著時間消耗,失效率會呈逐漸降趨勢;穩定期為電 子元件或組裝產品在某一段時間內的故障率維持一定;耗損期為電子 元件或一個電子組裝產品在某一個時間內的故障率會持續增加,一直 到所有產品全部故障為止。

對可靠度影響最直接的為環境因子如溫度變化、溫度、濕度、機

械應力、電壓及輻射

等,針對構裝元件可靠度的評估方式,美國軍 方或英國

British Telecom

等公家單位皆制訂標準流程,如

Military

Standard 883E

或從軍事規格衍生出相類似的可靠度測試規範,如

JEDEC

IPC

,其他如

AT&T

Ericson

Siemens

IBM

等公司本身均 有發展相關電子產品或元件可靠度規範。不論是政府或是私人的測試 規範,評估的方法流程主要是建立在實際應用環境下回收之使用數據 及過去加速測試結果進行修正改善所得的經驗法則。

可靠度測試主要是針對構裝元件在各種的使用環境下進行模

擬,以得到發生失效現象及失效率同時經由測試期間所產生的破壞模 式、位置及機制的分析,可以進一步改善設計、材料及製程參數,以

強化可靠度效能。下面介紹一些常用的加速可靠度測試:

1.

前處理

(Precondition Test)

主要是模擬構裝元件在開始使用前所經歷的運輸、儲存、迴銲

等過程所感受的應力。

2.

溫度循環測試

(Thermal Cycling Test)

利用構裝結構不同材料膨脹係數差異,加強其因為溫度快速變 化所產生的熱應力對元件造成劣化影響,測試溫度由最嚴苛的

-55

℃至

150

℃到溫和的

0

℃至

100

℃皆有。

3.

熱衝擊測試

(Thermal Shock Test)

和溫度循環測試一般,因為膨脹係數差異所引起的劣化作用,

主要差別為升降溫速率較為快速及高低溫區域停留時間較短,

大步採用雙槽液態升降溫的方式以快速達到恆溫狀態。

4.

熱功率循環測試

(Power Cycling Test)

測試構裝元件因開關所引起之溫度變化。最高接點溫度多控制 在

120

℃至

150

℃之間。

5.

恆溫恆濕偏壓設計

(Temperature/Humidity/Bias Test)

測試構裝元 件在潮濕環境的抗蝕性,在高溫

(85

)

及高濕度

(85%RH)

環境下 反覆施加正負電壓

(5V)

於元件上,加速內部金屬腐蝕速率,通 常測試時間為

1000

小時。

6.

壓力釜設計

(Pressure Cook Test)

判斷元件本身抗濕抗蝕的能力,在

121

℃、

2

大氣壓飽和蒸氣壓 力下進行長時間的浸泡測試,時間為

96-168

小時,主要破壞機 制是由於封閉不良而導致晶片金屬線路腐蝕及環境污染問題所 造成。

7.

高溫高壓未飽和蒸氣加速測試

(Highly Accelerated Stress Test)

為快速進行的嚴苛環境測試的方法,在

130

/85%

相對濕度 下,將測試槽內水蒸氣壓提升至遠高於構裝內部水氣的狀況,

進行濕氣對構裝完整性評估。

8.

高溫儲存測試

(High Temperature Storage Test)

用於判斷電子元件在長期高溫作用下構裝元件劣化狀況,通常 測試方法為在未外加電壓下進行

150

/1008

小時的烘烤。

2-2

為一個總整理,在加速測驗結束後,需要評估構裝元件失

效的程度,失效評估技術可以分為非破壞性檢測及破壞性檢測兩種,

其目的主要勢將失效位置確定、物性及化性評估及失效原因判斷。非 破 壞 性 檢 測 有 電 性 量 測 、 超 音 波 檢 測

(Ultrasound)

及 微 焦

X

(Micro-focus X-ray)

,而破壞性檢測試將元件封裝膠去除後才可以清 楚觀察晶片表面、金線及其接點是否有異常的情況以判斷失效模式、

機制、位置及程度,從這些所得到的資訊可以與設計部門合作,在材

料選擇、產品設計

等尋求適當的解決方案,以壓縮設計開發及測試 時間和成本。

表2-2 各項可靠度測試之方法及條件

項目 原理、目的 方法 失效機制 附註

Power Cycling

電源週期性的

Temp. Cycling

熱膨脹係數差

Vibration 測試堅固程度

劣化原有缺陷

Temperature/

Humidity/

Pressure Cook Test Accelerated Stress Testing

測試抗濕抗蝕

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