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高溫儲存處理對界面反應層厚度的影響

第四章 實驗結果及討論

4.3 高溫儲存處理對界面反應層厚度的影響

圖 4-7 為綜合三種不同 Zn 含量的 Sn-0.7Cu-xZn 合金銲接後與經 150℃高溫儲存處理後,其銲點界面反應層結構與厚度關係圖,由圖 中可知 Sn-0.7Cu 合金在銲接後,其界面反應層主要由 Cu6Sn5介金屬 化合物所構成,厚度約為 1~1.5µm。當銲點經過 150℃高溫儲存處理 後,Sn-0.7Cu 合金銲點在 25~100 小時處理後,界面反應層仍為單一 Cu6Sn5介金屬化合物,但是當高溫儲存處理時間到達 300 小時,則在 界面反應層中形成兩種不同的反應層,靠近銲錫處為 Cu6Sn5,在 Cu6Sn5與 Cu 基材之間則為 Cu3Sn 化合物。整體而言,隨著高溫儲存 處理時間的增加,在 Sn-0.7Cu 合金銲點之界面反應層中,不無論是 Cu6Sn5 或 Cu3Sn 介金屬化合物,其厚度都隨著高溫儲存處理時間增 加而變厚。當 Sn-0.7Cu 合金中添加 0.05Zn 及 0.5Zn 後,其界面反應 層厚度亦隨著高溫儲存時間的增加而增厚。然而,在本研究中,添加 Zn 元素之兩種合金,在 150℃高溫儲存處理 500 小時後,其界面反應 層均為單一的 Cu6Sn5 介金屬化合物,沒有觀察到其他種類的化合物 存在。

圖 4-8 綜合三種不同 Zn 含量的 Sn-0.7Cu-xZn 合金銲接後與經 150

℃高溫儲存處理後,其銲點界面反應層厚度與處理時間平方根之關係 圖。其中,Cu6Sn5 或 Cu3Sn 介金屬化合物之厚度與高儲存處理的時

間平方根呈線性關係,此結果顯示在本研究中三種不同合金之界面反 應層生長為銲錫合金與基材間的擴散行為。

整體而言,在本研究中 Sn-0.7Cu-xZn 合金(x=0 ,0.05 ,0.5 wt.%)在 銲接後,界面反應層均為 Cu6Sn5介金屬化合物,而在 150℃高溫儲存 處理 300~500 小時後,僅有 Sn-0.7Cu 合金銲點中可以觀察到 Cu3Sn 介金屬化合物存在於 Cu6Sn5介金屬化合物層與 Cu 基材之間。圖 4-9 可以用來說明此一現象[32]。在銲接過程中,因為基材中大量 Cu 原 子往液相的銲錫中擴散,而先在接合界面上形成扇貝狀的 Cu6Sn5 介 金屬化合物,其生長示意如圖 4-9(a)所示[32]。隨著 150℃高溫儲存處 理時間的增加,界面反應層厚度會隨之增加。當延長高溫儲存時間 後,由於 Cu 原子的擴散係數高於 Sn 原子的擴散係數,基材中的 Cu 元素擴散進入界面反應層中的速度高於 Sn 原子擴散進入界面反應 層,因此,在靠近會形成高 Cu 含量的第二層介金屬化合物 Cu3Sn。

然而,在 Sn-0.7Cu 合金中加入 0.05 及 0.5 wt.%Zn 元素之後發現,在 凝固初期,介面上會先生成形成扇貝狀 Cu6Sn5介金屬化合物但 Zn 元 素會存在於反應的界面上,參與成核凝固過程,待凝固後進而形成 Cu6Sn5;之後 Zn 元素會往界面擴散,阻擋了銲錫合金與基材間的固 相/固相擴散,而延遲 Cu3Sn 介金屬化合物生成,如圖 4-9(b)所示 [

27

][28]。因此,在本研究中將高溫儲存時間延長至 500 小時後,在

添加 Zn 元素的兩種合金銲點中仍無法觀察到 Cu3Sn 介金屬化合物生 成,由此可知 Zn 元素的添加雖然會增加介金屬的厚度,但會抑制 Cu3Sn 成長,具穩定界面反應層組織之能力,有助於提升合金銲點的 高溫信賴性。

0

Cu6Sn5 IMC厚度(μm)

Sn-0.7Cu

Cu3Sn IMCm) Sn-0.7Cu

(c) 圖4-7 介金屬化合物厚度與150℃高溫儲存時間關係圖

0 Cu6Sn5 IMC厚度(μm)

Sn-0.7Cu Cu3Sn IMC厚度(μm)

Sn-0.7Cu

(c) 圖 4-8 介金屬化合物厚度與 150℃高溫儲存時間平方根之關係圖

(a)總厚度、(b)Cu6Sn5、(c)Cu3Sn

(a)

(b)

圖 4-9 介金屬化合物生長示意(a) Cu6Sn5 (b) Cu3Sn [32]

Cu6Sn5

Cu3Sn Cu6Sn5

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