(diamagnetism) 、 順 磁 性 (paramagnetism) 、 鐵 磁 性 (ferromagnetism) 及反鐵磁性 (antiferromagnetism) 隨之消失。若以 M(magnetization)表示順磁性材料在外加磁場 Bext下所感應出的 磁化強度(單位體積上的磁矩大小)，則有下列關係：
其中 C 為居里常數(Curie’s constant)，χ 為磁化率(magnetic susceptibility)，T 為凱
(c) 鐵磁性
鐵磁性物質在未受外加磁場影響下，內部原子磁矩排列整齊且方向一致，但 各單一磁區內的原子磁矩雖排列一致，可是每個磁區的排列方向不一定同向，所 以總磁矩為零。但在有外加磁場時，只需要在很小的磁場下作用，就可以達到磁 矩的飽和，若施予原來反向的外加磁場，會發現有磁滯現象。磁化率χ數值約 101~106，如溫度超 過居禮溫度時，鐵磁性會轉換成順磁性。[20]
(d) 反鐵磁性
屬於若磁性，與順磁性同樣顯示一小正磁化率，但溫度對磁化率的影響有明 顯特徵，此物質有一臨界溫度 TN，TN稱為 Neel 溫度，當溫度大於 TN時，其磁 化率與溫度關係和順磁性物質相似，溫度大於 TN磁矩會因受熱擺脫晶格排列與 磁矩間作用力之限制，散亂排列，滿足 Curie-Weiss Law；當溫度小於 TN，磁矩 會排列成逆平行狀態，其反向磁矩會抵消正向磁矩，溫度下降磁化率就隨著變小，
漸漸趨近於一個穩定值，所以當溫度恰等於 TN時，此時磁化率為最大值。[20]
Chapter 3 實驗過程
3.1 鍍膜條件
本論文是討論以脈衝雷射沉積法製備氧化鈥鋅(Zn1-xHoxO)薄膜，除了改變不 同 Ho 的摻雜濃度下的分析，PLD 系統改變薄膜成長品質的因素也有很多，如：
腔體真空度、鍍膜時的氣體壓力、腔體溫度以及沉積時間、基板與把材的距離、
雷射光的能量強度、脈衝頻率以及沉積時間，以上多種變因，皆會影響樣品在光、
磁、電上的表現。以下是我們設定的鍍膜條件：
靶材濃度與基板：
選用氧化鋅摻鈥，鈥原子莫耳濃度為 1、3、5、8、10%，基板部分則是選用
c 方向的 5mm × 5mm 藍寶石基板(c-saphhire)。
脈衝雷射沉積環境：
固定變因：
1.基板到靶材距離 5 cm；
2.沉積氣體為 3×10-1 mbar 的氧氣；
3.薄膜厚度 100 nm；
4.雷射聚焦後能量密度為 2.0 J/cm2。 控制變因：
1.沉積結束在氧氣下降溫；
2.Ho 摻雜濃度 0~10 at.%。
3.2 靶材製作
使用 99.999 %高純度的氧化鋅粉末和 99.99%的氧化鈥(Ho2O3)粉末來製作靶 材，製作步驟如下：
3.將混和均勻的粉末放入模具中；
4.利用油壓機，使 20000 磅的力道將粉末壓製成直徑 2 cm 的圓錠；
5.原定放入管狀高溫爐，於攝氏 1050 度，大氣下燒結 15 小時。
3.3 鍍膜步驟
1.將基板以丙酮、酒精及去離子水分別於超音波震盪機清洗五分鐘；
2.將清洗完的的基板吹淨後，用 shadow mask (直徑 5 mm)鎖在套筒上，並將靶材 鎖在靶座上；
3.將套筒套入腔體內的加熱棒，並鎖上靶座；
4.抽真空至 8×10-7 mbar；
5.打開加熱器升溫至 750 oC，同時通入氧氣；
6.通入氧氣並以機械幫浦及氧氣流量調節器控制氧氣壓力穩定於 3×10-1 mbar；
7.待溫度達到 750 oC 時，開啟脈衝雷射，調整光路以及雷射功率並暖機 20 分鐘，
待能量穩定；
8.開啟反射鏡上的步進馬達進行預鍍，使雷射在靶材上繞圓，將靶材表面雜質清 除；
9.計算鍍膜時間，以控制厚度在 100 nm；
10.鍍膜完畢，通入氧氣降溫，降溫完畢後將樣品收入真空球中。