系統環境說明

4.1.1 生產環境資料生產環境資料生產環境資料生產環境資料

吾人依照訪談所得之範例資料作為本文之生產相關資訊，以進行第四 章的實例驗證工作。以下將列示說明本文所採用之生產環境資料。

1. 產品基本資料：

本文之生產系統共生產 A、B、C 三種產品，各產品可分為一般工 件與量測工件兩種屬性別。各產品製程相同，但不同工件屬性別之製 程步驟不同，而各製程步驟所在之工作站以及加工時間均為已知，如 附表 A - 1 以及附表 A - 2。

2. 工作站資訊：

本文所採用之生產系統中，共有 19 種不同之工作站(W01~W19)，

皆為序列工作站，本文所定義之瓶頸工作站為 W16。所有工作站別之 平均當機間隔時間(MTBF)與平均當機修復時間(MTTR)將依指數分配 予以設定，如附表 B - 1。

3. 設備規劃相關資訊：

依本文第三章之假設，薄膜電晶體陣列廠之設備佈置主要分為四 大工作區：薄膜區、黃光區、蝕刻區以及測試區，設備佈置圖如圖 4 -

1 所示。

圖 4 - 1 模擬系統之設備佈置圖

本文之搬運系統為一 Interbay 系統，搬運車將均勻散佈且單向等速繞 行於軌道上，一次只能搬運 1 lot 之工件。各工作區之間搬運所需繞行之圈 數如表 4 - 1 所示，本文假設搬運車繞行一圈 Interbay 需要 15 分鐘，因此，

在搬運車等速前進之情況下，可推得各工作區間所需之純搬運時間。此 外，藉由此表可求算產品由投入至產出所需之搬運圈數。

表 4 - 1 各工作區間之搬運所需圈數表 (單位：圈)

From To 薄膜區(TF) 黃光區(Photo) 蝕刻區(Etch) 測試區(Test)

薄膜區(TF) - 0.25 0.55 0.8

黃光區(Photo) 0.75 - 0.3 0.55

蝕刻區(Etch) 0.45 0.7 - 0.25

測試區(Test) 0.2 0.45 0.75 -

4. 工作站利用率限制：

本文將瓶頸工作站之利用率上限設定為 95%，而非瓶頸工作站之利用 率上限設定為 85%，以預留保護性產能吸收系統變異。此外，由於瓶 頸工作站之機台成本格外昂貴，因此本文將設定瓶頸工作站之利用率 下限為 90%，以確保瓶頸工作站之產能得以充分運用。

5. 生產週期時間之評估指標(X-factor)：

X-factor 值為實際生產週期時間與純製程時間之比值，吾人根據訪談 結果，將工件之 X-factor 值設定為 1.3。

4.1.2 生產排程規劃假設生產排程規劃假設生產排程規劃假設生產排程規劃假設 1. 規劃幅度與規劃週期：

本文之規劃幅度為十二個月，規劃週期為一個月。

2. 投料法則：

本文著眼於系統穩態產出之理念，以固定在製品量(CONWIP)法進 行投料。

3. 派工法則：

本文將採用先進先出(FIFO)法。

4. 產品良率：

對於生產系統中產品因製程或生產週期時間所造成之不良狀況，

本文不加以考慮，即假設各加工步驟良率皆為 1。

5. 需求預測方面：

假設目標產出量與產品組合皆為已知，其中目標月產出量為 1740 lots，產品組合(A：B：C)=(2：2：1)。

6. 各產品之工件屬性比例(一般工件/量測工件)：

產品 A 為(5：1)，產品 B 為(1：2)，產品 C 為(5：1)。