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4-1 實驗一:過硫酸鹽高級氧化程序降解三苯甲烷類染 料的效率和機構探討

Ling et al 於 2010 年即提出以 Co

2+

/PMS 系統處理染料的相關研究,受限 於分析儀器之不足,尚未能分離並鑑定其中間產物[52];而本研究旨探討於 Co

2+

/PMS 系統中降解染料之效率,並以 HPLC-ESI-MS 分離並鑑定中間產 物,並提出可能之反應路徑。

4-1-1 Acid Blue1 之降解效率

均相催化(Co

2+

/PMS)能有效產生強氧化自由基來處理染料廢水,因此實驗

係探討Co

2+

/PMS 之不同莫耳濃度的添加比例,對 AB1 染料去除效率的影響。

(1) 固定Co

2+

濃度,改變PMS 濃度

Fig.4-1 顯示在 AB1 染料濃度為 50mgL

-1

下,固定Co

2+

濃度(0.01M),改變 PMS 濃度(0.01~0.1M),由結果發現顯示 Co

2+

/PMS 的均相催化系統中有極好 的效果,在Co

2+

:PMS 的莫耳比為 0.01 M:0.05 M 時,此反應在 1 分鐘內,

其降解率可達99 %。此反應速率並隨著 PMS 劑量增加而變快。在 PMS 濃

度高於0.05 M 時,在 1 分鐘以內即降解完畢,由於反應速率過於快速,因 此取PMS 濃度為 0.04M 為改變 Co

2+

濃度之實驗控制變因。

Fig.4-1. Co

2+

/PMS 系統中,固定 Co

2+

濃度(0.01M),不同濃度之 PMS 對AB1 染料(50 mgL

-1

)之降解效率。

(2) 固定PMS 濃度,改變 Co

2+

濃度

控制PMS 濃度為 0.04M,改變 Co

2+

濃度(0.001~0.05 M) 對濃度為 50 mgL

-1

的 AB1 染料其降解效率的影響,Fig.4-2 則顯示 Co

2+

莫耳濃度高於 0.02M 時,此反應在 8 分鐘內,其降解率可達 99 %。此反應速率亦隨著 Co

2+

莫耳濃度增加而變快。

Fig.4-2. Co

2+

/PMS 系統中,固定 PMS 濃度(0.04 M),不同濃度之 Co

2+

對AB1 染料(50 mgL

-1

)之降解效率。

(3) 不同濃度AB1 染料的降解效率

染料濃度的影響關乎處理系統的處理效率,Fig.4-3 顯示不同濃度之 AB1 染料在 Co

2+

/PMS 的均相催化系統中之降解效率,AB1 染料濃度在 50 mgL

-1

時,反應在3 分鐘以內降解效率即可達到 98%,並可在 10 分鐘 內完全反應,相對於100 mgL

-1

以上,AB1 染料仍無法完全降解,但效率 仍達82%。

Fig.4-3. Co

2+

/PMS 系統中,不同染料濃度之降解效率 (莫耳比 Co

2+

:PMS =0.05 M:0.04 M)。

(4) 化學需氧量COD 及生物需氧量 BOD 之去除效率

以Co

2+

/PMS 系統降解 AB1 染料,在 10 分鐘內即可達到完整去色,如 Fig .4-4,而 BOD 亦可達到 70 %之去除效率,在反應達 60 分鐘之後則可達 到80 %以上之去除效果(Fig.4-5)。

Fig.4-4. Co

2+

/PMS 系統中,AB1 染料之降解之 COD 分佈圖 (莫耳比 Co

2+

:PMS =0.05 M:0.04 M)。

Fig.4-5. Co

2+

/PMS 系統中,AB1 染料之降解之 BOD 分佈圖 (莫耳比 Co

2+

:PMS =0.05 M:0.04 M)。

4-1-2 Acid Blue1 之反應機構

本研究發現AB1 染料在使用 Co

2+

為催化劑及PMS 為氧化劑的系統中降解 速率非常快,在 10 分鐘染料即可達到明顯的去色效果,反應的速率亦會與 染料及氧化劑的濃度不同而有所差異。

AB1 染料溶液(AB1=50ppm, [PMS]/[Co

2+

]=4 ),經過 HPLC-PDA-ESI-MS 分析得到Fig.4-6 的層析圖分別紀錄於 635 nm、350 nm 和 300 nm 及 Fig.4-7 總離子層析圖,我們在50 分鐘的層析時間內成功找到 9 個中間產物,Table 4-1 顯示各中間產物之可能之化學結構。根據本實驗及文獻指出以下一系列 為AB1 染料在 Co

2+

/PMS 系統可能的氧化途徑(式(1)-(3))[32, 53-56]:

Co

2 +

+ HSO

5 −

or HSO

4 −

→ Co

3 +

+ (HO

+ SO

4 •−

or SO

3 •−

) or (HO• + SO

4 2 •−

or SO

3 2 −

) (1) Organic + HO

+ SO

4 •−

or SO

3 •−

→ [radical intermediates(R

)] (2)

近十年來科學家廣泛研究亞硫酸氫根離子氧化降解的自氧化過程,包含以 下反應的過程均屬於游離基誘發的鏈反應,光和熱能及微量的金屬離子或過 氧化物加速此類反應的進行。

R

+ (HSO

5 −

or HSO

4 −

)/O

2

→ organics → CO

2

+ H

2

O (3) 以下為可能的副反應及 Co

2 +

循環(式(14)-(16))。氧氣的分解促進了 PMS 活 化而產生ROO

(R=H, alkyl,aryl),ROO

可形成長鏈結構及氧化有機物質,並

可進一步分裂為其它的自由基中間產物(R

或ROO

)進而產生巨大有機物[55, 57]。

HSO

5 −

or HSO

4 −

+ (SO

4 •−

or SO

3 •−

or HO

)

→ SO

5 •−

or SO

4 •−

+ (SO

4 2 −

or SO

3 2 −

or HO

) + H

+

(4) Co

3 +

+ HSO

5 −

or HSO

4 −

→ Co

2 +

+ SO

5 •−

or SO

4 •−

+ H

+

(5) R

+ O

2

→ ROO

 Co    3

oxygenated products → Co

2 +

+

OH (6) ROO

or R

+ (ROO

or R

) → macromolecular organics (7)

Fig.4-6. AB1 染料(50 mgL

-1

)在 Co

2+

/PMS 系統降解的中間產物之 HPLC 層析 圖 (a)635 nm (b)350 nm (c)300 nm

(a)

(b)

(c)

Fig.4-7. AB1 染料(50 mgL

-1

)在 Co

2+

/PMS 系統降解的中間產物之總離子層析 圖。

Fig.4-7 顯示在總離子層析圖中編號 1-8 的位置,相對於其 HPLC 層析圖,

其並無任何紫外光吸收,表示其無雙鍵、極性又小,由此可判斷此可能為長 鏈結構的巨大有機分子。反觀滯留時間在編號19-20 位置的化合物,表示其 極性大;其質譜圖亦顯示斷裂碎片均為高分子量,且並無UV 吸收,判斷可 能為磺酸化烷烴類的中間產物(式 13);此化合物在 330 nm 有 UV 吸收,表 示其仍存在苯環結構,此可能為磺酸化芳香類的中間產物(式 14)

RH + SO

3 •−

→ R- SO

3

H

SO    3 SO    3 SO    3

Sulfonation of alkyl intermediates (13)

Ar-H + SO

3 •−  SO    3

R- SO

3

H

 

SO 3 SO    3 SO    3

Sulfonation of aromatic intermediates  (14)

經過質譜分析結果,證實編號A 之化合物(m/z = 545.2)為原 AB1 染料分 子,其他化合物的荷質比和UV 吸收波長可見於 Table 4-1~4-2,經過這些數 據的確認,可推斷AB1 染料分子可能進行之反應途徑如 Fig.4-9 [58]

.

Table 4-1

.

50 mgL -1 AB1 染料,在 Co 2+ /PMS 系統降解的中間產物。

intermediates Reaction time

(min)

[M + H + ]/ [M-H + ]

(m/z) a Characteristic absorption (nm)

10 29.980 545.2/543.2 648.6,419.3,318.7

11 28.311 517.5/ 515.5 622.8,402.4,310.3

17 16.460 561.2 / 559.2 423.0,269.9

12 26.288 492.2 / 490.2 456.9

13 27.839 492.2 / 490.2 441.1,290.1

SO3H

SO3H

N OH

SO3H

SO3H N

OH

Table 4-2. 50 mgL -1 AB1,在 Co 2+ /PMS 系統降解的中間產物之質譜圖與 UV 吸收圖。

MS spectrum UV absorption.

1

45.043 Peak 1 - W3100 1: MS Scan 1: 150.00-2000.00 ES+, Centroid, CV=30

182.3 312.6

381.6 426.7

498.8575.6

591.8 1304.7 1371.1

1397.0

200.00 400.00 600.00 800.00 1000.00 1200.00 1400.00 1600.00 1800.00 2000.00

No UV absorption.

2

43.217 Peak 1 - W3100 1: MS Scan 1: 150.00-2000.00 ES+, Centroid, CV=30

570.5

200.00 400.00 600.00 800.00 1000.00 1200.00 1400.00 1600.00 1800.00 2000.00

No UV absorption.

3

42.711 Peak 1 - W3100 1: MS Scan 1: 150.00-2000.00 ES+, Centroid, CV=30

227.3

200.00 400.00 600.00 800.00 1000.00 1200.00 1400.00 1600.00 1800.00 2000.00

No UV absorption.

4

42.530 Peak 1 - W3100 1: MS Scan 1: 150.00-2000.00 ES+, Centroid, CV=30

179.2

200.00 400.00 600.00 800.00 1000.00 1200.00 1400.00 1600.00 1800.00 2000.00

No UV absorption.

5

41.001 Peak 1 - W3100 1: MS Scan 1: 150.00-2000.00 ES+, Centroid, CV=30

167.2

200.00 400.00 600.00 800.00 1000.00 1200.00 1400.00 1600.00 1800.00 2000.00

No UV absorption.

6

40.201 Peak 1 - W3100 1: MS Scan 1: 150.00-2000.00 ES+, Centroid, CV=30 181.3

205.3 301.4

302.5 499.5 512.9

705.8 1151.9 1176.0 1340.7 1488.4

200.00 400.00 600.00 800.00 1000.00 1200.00 1400.00 1600.00 1800.00 2000.00

No UV absorption.

7

36.899 Peak 1 - W3100 2: MS Scan 2: 150.00-2000.00 ES-, Centroid, CV=30

217.3

200.00 400.00 600.00 800.00 1000.00 1200.00 1400.00 1600.00 1800.00 2000.00

No UV absorption.

8

35.565 Peak 1 - W3100 2: MS Scan 2: 150.00-2000.00 ES-, Centroid, CV=30 217.1

200.00 400.00 600.00 800.00 1000.00 1200.00 1400.00 1600.00 1800.00 2000.00

No UV absorption.

9

665.7 nm

10

636.3 nm

11

439.9 nm

12

493.4 nm

13

452.0 nm

14

260.4 nm

15

648.6nm

16

355.8 nm

17

423.0 nm

18

252.1 nm

19

303.2 nm

20

330.6 nm

N

Cleavage of chromosphere

Sulfated intermediates 19 , 20

SO 3

4-2 實驗二:Bi 2 WO 6 光觸媒及降解三苯甲烷類染料的效率之 探討

本節重點為利用三種不同水熱合成方法,分別為 Autoclave 水熱法(AH)、微波水 熱法(MH)及傳統水熱法(CH)合成 Bi

2

WO

6

觸媒,並分別探討其材料特性及對將降解 效率之影響。Autoclave 水熱法係參考 Chen et al 於 2010 年之實驗結果,此三種合成 方法之前驅物皆使用 Bi(NO

3

)

3

.5H

2

O 及 H

2

WO

4

,合成之溶劑為乙二醇(Ethylene glycol; EG) 和 D.I. water。詳細合成步驟請參閱 3-5-2。並將逐各探討其材料特性分 析,其中包括:掃描式電子顯微鏡分析(FE-SEM)、X 光能量散譜儀(EDS)、比表面 積(B.E.T surface area)、X 光粉膜繞射儀(XPRD)與化學分析電子光譜儀(ESCA)、傅 利葉紅外線光譜儀(FT-IR)等儀器分析觸媒的物理性質,並依特性對後續的光催化實 驗作個別探討之依據;光化學實驗係利用UV/Bi

2

O

6

光催化降解CV 染料並分離與鑑 定反應之中間產物,並比較不同合成方法所形成之 Bi

2

WO

6

對光降解 CV 染料之差 異。

4-2-1 材料特性分析

4-2-1-1 掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)與 X 光能量散譜儀(EDS)

以傳統水熱法(CH)製備 Bi

2

WO

6

的詳細步驟列於3-5-2 節之(1),並以 FE-SEM-EDS 分析以本方法合成之樣品的表面特性,Fig.4-9~11 顯示依反應時間之不同分別為 24 小時、48 小時及 72 小時之 FE-SEM-EDS 影像,放大倍率為三萬倍、五萬倍及十

萬倍。由圖中觀測到 Bi

2

WO

6

光觸媒外觀呈現周圍不規則大小的粉狀顆粒結構,平 均顆粒大小約9 在 80-200 nm 左右,厚度約為 40 nm,這種結構鬆散並且分佈較不 均勻,可能由於合成起始物之濃度較低(Bi(NO

3

)

3

.5H

2

O 0.17 mmol 及 H

2

WO

4

4.0 mmol),由 EDS 更可進一步確認此合成物主要由 W、Bi、O、C 化學元素所組成如 Table 4-4,顯示 Bi/W 原子比例為 9.56-12.8,多餘的 C 及 O 元素可能來自於有機物 的污染[59]。

      

 

  

 

 

Fig.4-9. Bi

2

WO

6

(CH 24)之 FE-SEM-EDS 影像

      

   

 

 

Fig.4-10. Bi

2

WO

6

(CH 48)之 FE-SEM-EDS 影像

 

     

   

 

 

Fig.4-11. Bi

2

WO

6

(CH 72)之 FE-SEM-EDS 影像

而以微波水熱方法(MH)合成之樣品依反應時間之不同分別為 0.25 小時、0.5 小 時、1 小時及 1.5 小時(實驗步驟詳於 3-5-2 節之(2))。

Fig.4-12 顯示以微波水熱法反應 0.25 小時合成之 Bi

2

WO

6

,其 FE-SEM-EDS 影 像,其平均顆粒大小約為25-40 nm,並呈現六角形的片狀結構,並且有團聚的現象;

而反應0.5 小時合成之 Bi

2

WO

6

其 FE-SEM-EDS 影像(Fig.4-13)即呈四方平板狀 (square-plate)結構,平均顆粒大小為約 25-40 nm。隨著反應時間的增加到 1 至 1.5 小時(Fig.4-14~15),結構即由四方平板狀轉變為薄片類似花瓣狀的結構,每個薄片 狀的厚度約在15 nm 左右,但在反應時間 1 小時時夾雜片狀結構並且分佈不均勻,

反應時間達1.5 小時,薄片類似花瓣狀的結構更加顯著並且分佈狀況較為均勻。推 測可能由於在反應物水溶液的水熱反應在高溫高壓的條件下,溶質的溶解度提高,

並增加了系統的溶解度及反應係數,易產生呈現介穩態 (metastable state)的氧化 物。Fig.4-16 為模擬 Bi

2

WO

6

多晶的flake-ball 粒子生成的過程的示意圖,顯示 Bi

2

WO

6

晶體形成是一個典型的Ostwald 水熱熟化過程。即在過飽和的條下由超細的無定型 粒子做為前趨物,然後水熱晶化生長[60]。Table 4-4 確認此合成物主要亦由 W、Bi、

O、C 化學元素所組成,並依此計算 Bi

2

WO

6

之Bi /W 的原子比例, MH 0.25 、MH 1 及 MH 1.5 則在 2.86-4.98m。

Fig.4-12. Bi

2

WO

6

(MH 0.25)之 FE-SEM-EDS 影像

   

   

   

   

Fig.4-13. Bi WO (MH 0.5 )之 FE-SEM-EDS 影像

   

   

   

 

Fig.4-14. Bi

2

WO

6

(MH 1)之 FE-SEM-EDS 影像

 

   

   

   

 

Fig.4-16. Bi

2

WO

6

之生成過程圖。 

以Autoclave 水熱法(AH)合成之 Bi

2

WO

6

樣品不論在顆粒大小或是結合的形態都大 不相同,其含有奈米板狀(nanoplates)、薄片狀(nanosheets)以及由數百個厚度約 5-10 nm 之側向大小所堆疊而成的薄片花瓣狀結構(sheet-like flower shape)。Fig.4-18 顯示 合成反應時間達48 小時可發現不規則形狀大小的薄片狀結構逐漸晶體團聚的現 象;在72 小時(Fig.4-19)則顯示片狀進一步組成類似花瓣狀的結構,厚度約為 5-10 nm,而每個層狀結果亦是由無數個結構完整的奈米四方平板相互疊加,每個薄片之 平均顆粒大小為約10-40 nm,厚度約在 5-10 nm 符合奈米級尺寸。Wang et al 亦曾發 表關於由薄片聚集合成的層次結構的Bi

2

WO

6

之研究[60, 61],Amano 團隊亦曾發表 薄片花瓣狀結構之Bi

2

WO

6

其相關研究[45]。薄片花瓣狀是經由四方平板因循晶體平 面選擇性生長而聚集而來,添加劑之選擇性吸附在特定的位置上導致的各向異性晶 體生長並抑制各同向性晶體的生長,強鹼溶液及過量的Bi 前驅物及乙二醇為形成薄 片花瓣狀的必要條件,並可能導致低結晶性的Bi

2

WO

6

晶核呈現各向異性生長。而 AH 24 樣品(Fig.4-17)的結晶性較差可能由於合成起始物之濃度較低(Bi(NO

3

)

3

.5H

2

O

0.17 mmol 及 H

2

WO

4

4.0 mmol),而反應達 48 小時,許多奈米薄片結晶逐漸生成並 產生團聚的Ostwald 水熱熟化過程,根據 Gibbs-Thomson effect,因其高溶解度及再 度形成較大顆粒而會致使較小之顆粒消失,隨反應時間增加至96 小時,結晶性亦 往上遞增,此時因過飽和而限制晶體生長使呈現多面體的單晶薄片。而以 EDS 測量 Bi

2

WO

6

光觸媒化學組成,如Table 4-3,確認 AH 系列之樣品主要均由 W、Bi、O、

C 化學元素所組成,計算 Bi

2

WO

6

的製備中調整 Bi/W 的原子比例,AH 為 2.23 - 2.81 即23-81%過量的 Bi 化學計量比例(W:Bi = 1:2)。

 

Fig.4-17.Bi

2

WO

6

(AH 24 )之 FE-SEM-EDS 影像

Fig.4-19.Bi

2

WO

6

(AH 72 )之 FE-SEM-EDS 影像

Table 4-3.不同水熱合成方法之 Bi

2

WO

6

樣品的EDS 元素組成分析彙總表。

EDS element atomic (atomic %) Catalyst Code

W Bi O/C

AH 24 1.62 11.17 87.22

AH 48 4.08 9.63 86.29

AH 72 4.23 9.43 86.34

MH 0.25 5.07 11.69 83.24

MH 0.5 6.11 15.14 78.75

MH 1 0.85 16.29 82.86

MH 1.5 5.07 11.69 83.24

CH 24 0.30 13.9 85.8

CH 48 0.18 12.25 87.57

CH 72 0.35 8.03 91.62

4-2-1-2 比表面積(B.E.T surface area)

BET 係利用氮氣吸附脫附,氣體在材料中飽和的量來計算其比表面積與孔隙體 積。Table 4-4 顯示傳統水熱法之樣品 CH 24 為 3.3711 m

2

/g、CH 48 為 1.3999 m

2

/g 及CH 72 (4.0970 m

2

/g) ;以微波水熱法合成之樣品的比表面積 MH 0.25 ( 14.1823 m

2

/g)、MH 0.5 ( 12.5650 m

2

/g)、MH 1 ( 32.1023 m

2

/g)及 MH 1.5 ( 23.2437 m

2

/g);而 AH 24、AH 48 及 AH 78 之比表面積分別為 50.1481m

2

/g、35.1687m

2

/g 和 34.9436 m

2

/g。

結果可證明利用Autoclave 水熱合成方法可製備出顆粒細小並具有比表面積較大 的Bi

2

WO

6

奈米晶體,比表面積增加,表面的反應面積相對增大,則會影響反應速 率。

Table 4-4.不同水熱合成方法之 Bi

2

WO

6

樣品的比表面積與孔隙率彙總表。

LCatalyst Code Specific surface Area (m

2

/g) Pore Volume (cm

3

/g)

AH 24 50.1481 11.4803

AH 48 35.1687 12.3079

AH 72 34.9436 12.4111

MH 0.25 14.1823 9.7572

MH 0.5 12.5650 10.7491

MH 1 32.1023 11.5577

MH 1.5 23.2437 11.5626

CH 24 3.3711 9.3385

CH 48 1.3999 16.2375

CH 72 4.0970 6.1578

4-2-1-3 粉末 X 光繞射儀分析(XRPD)

以 X 光粉末繞射儀分析儀(XRPD)測得表面晶體形態及純度,XRD 繞射

以 X 光粉末繞射儀分析儀(XRPD)測得表面晶體形態及純度,XRD 繞射

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