3-1 化合物的合成與相寬範圍的判定 3-1-1 合成與純相反應
一開始的反應條件是參考實驗室內已成功合成的四元化合物 MnAgSb
3
Se6
,改變其中的元素組成,使用過渡金屬 Cr, Mn, Fe, Co, Ni 常見氧化態為正二價的元素,搭配 14 族的 Sn,15 族的 Bi,以及 16 族的Se 來進行反應,為了達到價電平衡的化學式(下反應時假設 Sn 為正二價,Bi 為正三價,Se 為負二價),於是改變原本的比例1:1:3:6 為 2:2:6:13。反應完成後,將反應物用硏缽研磨成粉末,分 別經由粉末X-ray 繞射鑑定並比對資料庫圖譜,大部分的產物為已知 的二元相,Bi
2
Se3
、SnSe2
、過渡金屬二元硒化物(表 3-1),只有在 Mn2
Sn2
Bi6
Se13
及 Fe2
Sn2
Bi6
Se13
兩種實驗圖譜上比對出許多未知相的 繞射峰,而這兩個圖譜重疊比對之後大部分的繞射峰為重疊的,推測 可能有相同結構的未知化合物存在這兩個實驗產物中。圖 3-1 為初步 實驗的繞射圖譜,主要雜相為Bi2
Se3
。表3-1 TM
2
Sn2
Bi6
Se13
(TM = Cr, Mn, Fe, Co, Ni)的反應列表 Reactant (TM) ProductCr Bi
2
Se3
*, Bi2
Cr4
Se9
,SnSe2
Mn unknown*, Bi
2
Se3
Fe unknown*, Bi
2
Se3
Co Bi
2
Se3
*, SnSe2
Ni Bi
2
Se3
*, Ni0.85
Se*:主要產物
圖3-1 X-ray 粉末繞射圖譜。黑色圖譜為合成比例 Mn2Sn2Bi6Se13的繞射峰,藍色 圖譜為合成比例Fe2Sn2Bi6Se13的繞射峰,紅色為二元已知相Bi2Se3的繞射 圖譜。
先就含 Mn 的化合物進行純化反應的探討。根據元素分析以及後 來單晶結構解析的結果,以每一個單位晶胞內所能填佔的原子數可寫 出化學式為 Mn
x
Sny
Biz
Se8
,其中 Mn、Sn 與 Bi 皆為陽離子,Se 為陰 離子,在沒有缺陷存在的假設下,為了符合單晶結構解析內陰陽離子 的比例(6:8),可列出方程式為 x+y+z=6。另外根據下反應時所 假設參與原子的價數(Mn 與 Sn 為正二價,Bi 為正三價,Se 為負二 價),在符合價電平衡的條件下,可得到第二條方程式 2x+2y+3z=16。解這兩條聯立方程式:
x+y+z=6 2x+2y+3z=16
可知x+y=2、z = 4,令 x = 0, 0.25, 0.5, 0.75, 1, 1.25, 1.5, 1.75, 2,y
=2-x 進行純化反應,所得純化反應比例為
Mn
x
Sn2-x
Biz
Se8
Number Mn Sn Bi Se x y z 8 1 0 2 4 8 2 0.25 1.75 4 8 3 0.5 1.5 4 8 4 0.75 1.25 4 8 5 1 1 4 8 6 1.25 0.75 4 8 7 1.5 0.5 4 8 8 1.75 0.25 4 8 9 2 0 4 8
依同樣的反應條件進行反應後,再以粉末 X-ray 繞射儀鑑定產物,
將實驗所得的圖譜比對單晶解析得到的結構所利用 GSAS
35
軟體所畫 出的理論計算粉末繞射圖譜 ,除了 x=0 的比例已經完全與理論圖譜 比對不上外,其餘的比例仍有少量的 Bi2
Se3
與未知的雜相存在,但大 部分的未知繞射峰與理論計算所畫出之繞射圖譜是相疊合的,所以初 步判斷這些反應物內大部分為目標產物,摻雜了少部分的Bi2
Se3
與未 知的雜相。對 於 含 Fe 的 化 合 物 , 也 做 了 同 樣 的 實 驗 步 驟 , 反 應 式 為 Fe
x
Sn2-x
Bi4
Se8
,取x = 0, 0.25, 0.5, 0.75, 1, 1.25, 1.5, 1.75, 2 進行反應,將實驗圖譜與理論圖譜進行比對,除了兩個極端的比例x=0 及 x=2 的主繞射峰完全比對不上理論圖譜外,其餘仍可看到目標產物的繞射 峰存在。
為了得到更純的反應物,經過調控反應溫度與改變實驗方式(緩 慢降溫、急速降溫、助熔劑…),發覺使用 650℃急速降溫的方式可 以得到較純的反應物(表3-2)。
表3-2 TM
x
Sn2-x
Bi4
Se8
(TM = Mn, Fe)的反應列表 x Mnx
Sn2-x
Bi4
Se8
Fex
Sn2-x
Bi4
Se8
0 Bi
2
Se3
*, SnSe2
Bi2
Se3
*, SnSe2
0.25 A, unknown, Bi
2
Se3
*, SnSe2
B, unknown, Bi2
Se3
*, SnSe2
0.5 A, unknown, Bi
2
Se3
*, SnSe2
Fe0.5
Sn1.5
Bi4
Se8
0.75 A*, unknown, Bi
2
Se3
Fe0.75
Sn1.25
Bi4
Se8
1 MnSnBi
4
Se8
B*, Bi2
Se3
, FeSn2
1.25 Mn
1.25
Sn0.75
Bi4
Se8
B*, Bi2
Se3
, FeSn2
1.5 Mn
1.5
Sn0.5
Bi4
Se8
B*, Bi2
Se3
1.75 Mn
1.75
Sn0.25
Bi4
Se8
B, Bi2
Se3
*2 Mn
1.655
Bi4.24
Se8
Bi2
Se3
A: MnxSn2-xBi4Se8, B:FexSn2-xBi4Se8, *:主要產物
在含Mn 的目標化合物 x=1~2 的區間內,從粉末 X-ray 繞射的 圖譜可以看到幾近純相的繞射峰,圖 3-2 展示單晶結構之理論計算與 九種反應比例取代表性(x = 0.5, 0.75, 1, 1.5, 2)之實驗的粉末繞射圖 譜。反應比例x = 1, 1.5, 2 的實驗圖譜與理論圖譜幾乎相同,但由於 MnSe 與 Bi
2
Se3
繞射峰與目標化合物的繞射峰會有部分重疊,所以可 能還有少許的不純物存在。在x = 0.5 及 x = 0.75 的繞射圖譜內,可明 顯看到Bi2
Se3
及未知物的繞射峰,所以經由上述反應方式所能得到的 純相區間在於x = 1~2 之間。對於含 Fe 的目標化合物純化的反應溫度及實驗方式也是使用 650℃急速降溫的方法,但可以得到純相的區間更小,只有在 x = 0.5
~0.75 這個區間可以獲得。圖 3-3 展示單晶結構之理論計算與九種反 應比例取代表性(x = 0.25, 0.5, 0.75, 1)之實驗的粉末繞射圖譜。從 圖中可看到在x = 0.5~0.75 的區間之外都有不純相的存在,主要的雜 相繞射峰仍為Bi
2
Se3
。
圖3-2 MnxSn2-xBi4Se8晶體結構理論計算粉末繞射圖與反應比例之中五種(x = 0.5, 0.75, 1, 1.5, 2)代表性的實驗繞射圖,*為雜相 Bi2Se3之繞射,☉
為未知雜相的繞射峰。
圖 3-3 FexSn2-xBi4Se8 晶體結構理論計算粉末繞射圖與反應比例之中四種(x = 0.25, 0.5, 0.75, 1)代表性的實驗繞射圖,*為雜相 Bi2Se3之繞射,☉為未 知雜相的繞射峰。
3-1-2 相寬範圍的判定
將兩種新化合物各比例的繞射圖譜分別疊在一起做比較,在排除 雜相的繞射峰前提下,發覺目標產物繞射峰的位置在x 的比例減少情 形下,會有向低角度偏移的趨勢,表示在結構上單位晶胞的大小會隨 著過渡金屬含量的減少,Sn 含量的增加而變大,由於 Mn 及 Fe 原子 的原子半徑皆為140 pm 比 Sn 原子的 145 pm 還小,所以當過渡金屬 及 Sn 含量依同莫耳數下降及上升時,體積會隨之變大,推測這兩系 列的反應中皆有相寬的存在。
先就含Mn 的系列化合物進行分析探討,由圖 3-2 也可看出隨著 x 的比例減少,目標產物的繞射峰有向低角度偏移的趨勢,當反應比 例為x = 0.75 時有雜相的產生。依後來單晶解析所得之晶胞常數,使 用Cell Refinement 軟體
36
對所得之各比例X-ray 粉末繞射圖譜做分析,在排除雜相繞射峰的影響下,可粗略得知各比例反應物的晶胞常數,
所計算出來的三軸長及角度並沒有一致性的趨勢,但從體積觀察發覺 在反應比例 x=0.5~2 之間有相寬的存在,隨著 x 比例的減少,單位 晶胞體積有增加的趨勢。圖3-4 為 x = 0.25, 0.5, 0.75, 1, 1.25, 1.5, 1.75, 2 對由 cell refinement 分析所得各反應物單位晶胞體積(V)作圖之結 果,x 為反應時所使用的比例。
圖中所表現出來的結果並非完全的線性,但大致上仍可看出隨著 Mn 含量的減少,單位晶胞的體積會隨著增加,在 x=0.5 時達到最大 值,但由於可得到純相反應物的區間在於 x=1~2 之間,低於 x=1 的比例時會有雜相的產生,我們無法判斷相寬的範圍是否到達x=0.5 的比例。
圖3-4 MnxSn2-xBi4Se8(x = 0.25, 0.5, 0.75, 1, 1.25, 1.5, 1.75, 2)反應產物 x 與單 位晶胞體積圖
接著對含Fe 的系列化合物進行分析探討,由圖 3-3 可看出隨著 x 的比例減少,目標產物的繞射峰有向低角度偏移的趨勢,進一步由 Cell Refinement 的分析可以得知,單位晶胞的體積有隨著 Fe 的含量 減少而增加(圖 3-5)。
圖3-5 FexSn2-xBi4Se8(x=0.25, 0.5, 0.75, 1, 1.25, 1.5, 1.75)反應產物 x 與單位晶 胞體積圖
當 x=1.75 時,目標產物的繞射峰已經出現,但經過軟體分析,
單位晶胞的體積和x=1.5 時的比例一致,以及 x=0.25 時的比例與單
位晶胞體積和x=0.5 時相同,所以由以上的判斷可以確定此含 Fe 的 化合物擁有相寬的存在,可能的區間在反應比例 x=0.5~1.5 內。如 同上述含Mn 化合物的分析方式,由於可獲得純相的範圍只在 x = 0.5
~0.75 之間,實際相寬的範圍可能落在 0.5≦x<1.5 之間,需要經由 單晶結構解析才可確定實際區間的範圍。
3-2 晶體結構分析
使用單晶 X-ray 繞射儀收集完整的繞射點數據,經過軟體分析後 得到初步的晶體結構模型,選擇的空間群為 C2/m,解析過程中陰離 子的填佔率皆在 99%左右,因此假設陰離子都是百分之百填佔,所 以本節針對陽離子的填佔進行探討。由於本篇論文之兩種化合物為相 同結構,所以我們可以用各個化合物之晶體數據,比較不同化合物中,
相同晶體位置的電子密度,來判斷填佔原子為何。在兩種化合物內選 取相寬間最大值及中間的比例,對各化合物進行晶體解析探討。陽離 子總共有四個結晶學上的獨立位置,表 3-3 為各位置陽離子的原始電 子密度,其中的x 值為各晶體解析完成後所得的最終比例。
表3-3 各陽離子位置之電子密度比較表
C2/m (Mn
x-0.345□
0.345Bi
0.24)Bi
4Se
8Mn
xSn
2-xBi
4Se
8Fe
xSn
2-xBi
4Se
8x 2 1.46 1.39 1
M1 82.19 78.71 80.83 79.80 M2 83.46 77.07 80.19 80.08 M3 39.18 53.56 65.25 66.62 M4 22.41 28.20 25.69 25.98
□:缺陷
由表中可知道四個化合物內 M1 及 M2 的位置電子密度較接近
Bi 的電子數(83),大於 Mn(25)、Fe(26)及 Sn(50)許多,所以 基本假設上可知此兩個位置為Bi 的 100%填占或是 Bi 和其他原子的 混合填佔,其中Bi 的含量占大多數。
M1 的位置為扭曲的六配位八面體中心,與周圍 Se 的鍵長範圍在 2.82Å~3.10Å 之間,參考文獻 Bi
2
Se3 37
內 Bi-Se 鍵長範圍為 2.89Å~3.03Å,及等結構的 CuBi
5
S8 23
內Bi-Se 鍵長範圍為 2.68Å~3.08Å,由 鍵長範圍推測M1 為合理的 Bi 填佔。M2 的周圍環境為結構內唯一非六配位八面體的鍵結,為五配位 的四角錐體,常見於主族重元素內層ns
2
孤立電子對造成的Inert pair effect38
之結果,使得主族重元素的鍵結情形可以有很大的變形,所以 Bi 在此的填佔也屬合理。而在文獻的紀錄中,1985 年 Smith, P. K.等 人提出的 SnSb2
Se4
中 Sn 具有同樣形式的五配位環境39
,1998 年的 Loose, A.等人提出的 Cs2
Sn2
Se6
內的結構也有Sn 填佔在五配位四角錐 體的情形40
,因此在含有 Sn 的比例內 M2 的位置假設為 Sn 和 Bi 的 混合填佔。M3 位置的電子密度則產生了較大的差異,範圍從最小的 39.18 e.Å
-3
(Mn1.655
Bi4.24
Se8
)到最大的66.62 e.Å-3
(FeSnBi4
Se8
),並沒有接 近單一元素的電子密度,可能與過渡金屬或 Sn 含量的多寡有決定性 的因素,周圍鍵結環境為兩鍵稍短,四鍵稍長,偏向完美的六配位八 面體,鍵長分佈由2.76Å 到 2.87Å,填入 Mn(Fe)、Sn 或 Bi 都屬合 理的鍵結方式23,38,41
,推測此位置可能為 Mn(Fe)、Sn 任兩種元素和 Bi 的混合填佔。M4 位置的電子密度則偏向過渡金屬 Mn(Fe)的電子數,在相 同結構的化合物內,過渡金屬的位置也填在此位置,如 CuBi
5
S8 23
、Mn
0.695
Bi2.2
S3.95 42
等,所以此位置推測以過渡金屬Mn 或 Fe 填佔。經過初步的假設,接著以公式,“Brown & Altermatt form”
43
:v(R)=e
R / .
,假設每個陽離子位置皆是百分百填佔,對每個化 合物的陽離子位置進行價電分析(bond-valance analysis),v 代表價電(R)=e