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本論文以製程廠 0.18-μm 1P6M CMOS 標準製程分別實現了 400 MHz 鎖相迴 路、K 頻帶電壓控制振盪器以及 X 頻帶頻率合成器三個時脈產生電路,並已完成 所有電路下線。

第三章實現了一個應用於 400 MHz 的鎖相迴路,其中壓控振盪器是採用差動 式的環型電路架構來降低雜訊的影響,並採用 Replica 偏壓電路來減少供應電源 的使用並降低外部電源雜訊的干擾,以產生穩定的偏壓輸出,減少操作頻率上的 偏差;除頻器則是採用 TSPC 架構之除頻電路,達到低功耗及小面積的需求。本 次鎖相迴路的鎖定頻率範圍為 224 ~ 448 MHz,相位雜訊在載波偏移 100 kHz 處 約為-98 dBc/Hz,在載波偏移 10 MHz 處約為-115 dBc/Hz。整體功率消耗約 2.62 mW。包含 pad 之晶片總面積大小為 0.55 × 0.6 mm2

第四章實現了一個應用於 K 頻帶的電壓控制振盪器,採用 NMOS 交錯耦合 架構,並在共振腔內加入定電容以提高整體共振腔的品質因素,且為了降低輸出 負載效應,在主電路輸出端加入了共源極緩衝放大器,減少對共振頻率的影響,

同時也有助於和其他電路區塊進行晶片整合,另外,將緩衝器汲極端電阻改以電 感來替換,盡可能降低雜訊的干擾。在操作電壓為 0.8 V 下,調頻範圍約 23.51 ~ 23.78 GHz,KVCO約 257 MHz/V,相位雜訊在載波偏移 1 MHz 處約-106.45 dBc/Hz,

包含緩衝放大器之整體功率消耗約 11.74 mW,FoM 則約-185.1 dBc/Hz。在操作 電壓為 1 V 的情況下,相位雜訊在載波偏移 1 MHz 處可達到約-109.04 dBc/Hz,

FoM 約-185.79 dBc/Hz;而在操作電壓為 0.65 V 情形下,相位雜訊在載波偏移 1 MHz 處約-106.02 dBc/Hz,FoM 則可達到約-189.76 dBc/Hz。包含 pad 之晶片總面 積大小為 0.45 × 0.625 mm2

第五章實現了一個應用於 X 頻帶的雙頻段頻率合成器,分別操作在 9.75 GHz 和 10.6 GHz,而為了達到頻段切換,在壓控振盪器的共振腔內加入了開關電路,

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且在交錯耦合對的源極端串聯一組電感來增加輸出擺幅,以降低相位雜訊。多模 除頻器則是採用串接七級的 TSPC 除 2/3 雙模數除頻架構,以降低功率消耗和減 少面積佈局。本次頻率合成器在低頻段時的鎖定頻率範圍為 9.75 ~ 10.23 GHz,

高頻段則為 10.35 ~ 10.89 GHz。相位雜訊部分,輸出為 9.75 GHz 時,載波偏移在 100 kHz 處約-51.66 dBc/Hz,在 1 MHz 處約-72.69 dBc/Hz,在 10 MHz 處約-114.9 dBc/Hz。而輸出為 10.6 GHz 時,載波偏移在 100 kHz 處約-51.02 dBc/Hz,在 1 MHz 處約-67.91 dBc/Hz,在 10 MHz 處約-112.38 dBc/Hz。整體功率消耗在低頻段時約 33.88 mW,高頻段則約 36.68 mW。包含 pad 之晶片總面積大小為 0.88 × 0.81 mm2

LC 壓控振盪器部分,本次採用了提升共振腔品質因素及變壓器結構兩種方式 來降低相位雜訊,而比較這兩種方法,可看出提升共振腔品質因素對於相位雜訊 有較佳的改善,因此未來設計時,若使用具有高損耗特性的製程結構,如矽基板 製程(CMOS、SiGe),可優先考量此種方式來降低相位雜訊。

而充電泵部分,由於 400 MHz 鎖相迴路所採用的傳統汲極開關式架構有較嚴 重的電流不匹配情形,因此在 X 頻段頻率合成器改採全 NMOS 開關結構的充電 泵來進行改善。但由於充電及放電電流鏡部分分別使用 PMOS 及 NMOS 結構,

仍存在有靜態電流不匹配的狀況,由 5.2.2 節的模擬結果可知,充放電不匹配情 形並沒有得到太大的改善。圖 5-52 為另一改良式 NMOS 開關充電泵的電路架構 [28],其充放電電流鏡均採用疊接式組態來提高輸出阻抗,由∆I=∆V/R可知,較 高的輸出阻抗對於迴路鎖定時的淨電流輸出有較大的抑制能力,所以可改善壓控 振盪器的輸出抖動情形,進而降低相位雜訊。圖 5-53 為改良式 NMOS 開關充電 泵的充放電電流模擬,比起本次採用的傳統汲極開關式和全 NMOS 開關式架構 均有較高的匹配度,因此建議未來設計時可採用此一改良式充電泵來改善相位雜 訊及輸入參考突波的影響。

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R

UP UP DN DN

VDD

VDD VDD

VDD VDD

VDD VDD

OUT

圖 5-52 改良式 NMOS 開關充電泵架構

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 0.00

0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12

Cur re n t (mA)

V

CTRL

(V)

I

DN

I

UP

圖 5-53 改良式 NMOS 開關充電泵之充放電電流模擬

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參 考 文 獻

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自 傳

學生郭胤廷,生於臺北縣蘆洲鄉,於民國九十八年進入國立臺灣師範大學應 用電子科技學系就讀。在大三時期,請本系 蔡政翰教授擔任專題指導老師,開 始投入射頻積體電路的研究,在老師及碩班學長的引導下,逐步開拓了自己的視 野,並體認到理論知識與實際經驗的重要性。民國一○二年大學畢業後,選擇繼 續就讀研究所,持續對相關領域進行更深入的研究。在碩士班的這段期間,除了 對電路設計有了更進一步的認知,體會到邏輯思考的重要性以外,也了解到不少 做人處事應有的態度,無論是面對學術研究或是實務生活,都能以謙虛和積極的 心態來學習並充實自我。

學 術 成 就

Jeng-Han Tsai, Yin-Ting Kuo, and Hao-Chun Yu, “A Ku-BAND 3-BIT PHASE SHIFTER MMIC USING GaAs PHEMT TECHNOLOGY FOR PHASED ARRAY SYSTEM,”

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