在這份研究中，我們對於OTS薄膜作一系列的探討並根據結果作 為蒸鍍五環素基材的考慮，並依此從事場效電晶體實作。除了OTS薄 膜外我們也對4-PBTS分子薄膜作部分的探討。
實驗中必須先最佳化Si(100)晶片的表面平整度，要獲得最佳化平 面的條件為先經由modifide RCA cleaning再放入piranha溶液中加熱5 小時。在平整的Si(100)晶片上對OTS分子薄膜作一系列的研究：在無
蒸鍍五環素分子至OTS分子薄膜研究中，厚層五環素(約六直立層 厚)中分子傾角73˚與以前文獻上薄膜相（thin film phase）結晶分子傾 角相似，說明了OTS薄膜對五環素分子位向的影響不大。薄層五環素 確定此分子傾角恰好落在奇異角（magic angle 54.7°）附近或是因為 方位角混亂造成結果，但推測應為分子在表面上以混亂排列的結果。
定的方位角，顯示在NEXAFS在不同的方位角（φ）圖譜有規則性的 變化。但在本次所有的實驗結果，不論在OTS分子薄膜（長直碳鏈分 子）或是在4-PBTS分子薄膜（具有苯環取代基）皆沒有我們期望的 方位角NEXAFS圖譜規則變化。蒸鍍五環素分子的方位角NEXAFS也 沒有規則變化。總結來說，這些分子薄膜與五環素並不會因刷膜而有 傾向於特定的方位角。
第六章 參考資料
1. Pope, M.; Swenberg, C. E. Electronic Processes in Organic Crystals and Polymers, 2nd ed., Oxford University Press, Oxford 1999, pp. 337-340.
2. Shirakawa, H.; Louis, A. J.; MacDiarmid, A. G.; Chiang, C. K.; Heeger, A.
J. J. Chem. Soc. Chem.1977, 578.
5. Dimitrakopoulos, C. D.; Mascaro, D. J. IBM Journal of Research and Development 2001, 45, 11.
6. Farchioni, R.; Grosso, G. “Organic Electronic Materials,” Springer, New York, 2001.
7. Gundlach, D. J.; Nelson, S. F.; Jackson, T. N. IEEE Electron Device Lett.
1997, 18, 87.
8. Pope, M.; Kallmann, H. P.; Magnante, P. J .Chem. Phys. 1963, 38, 2042.
9. Vanslyke, S. A.; Tang, C. W. Appl. Phys. Lett. 1987, 51, 913.
10.Ulman, A. An Introduction to Ultrathin Organic Films; Academic Press, Boston, 1991.
11. Ulman, A. Chem. Rev. 1996, 96, 1533.
12. Lilienfeld, J. E. US Patent 1745175, 1930.
13. Kahng, D.; Atalla, M. M. IRE Solid-State Devices Research Conference,Carnegie Institute of Technology, Pittsburgh, PA 1960.
14. Koezuka, H.; Tsumura, A.; Ando, T. Synth. Met. 1987, 18, 699 15. Tsumura, A.; Koezuka, H.; Ando, Y. Synth. Met. 1988, 25, 11.
16.Chikamatsu, M.AIST Today, 2005, 5, 21.
17.Klauk, H.; Halik, M.; Zschieschang, U.; Schmid, G.; Radlik, W.; Weber, W. J. Appl. Phys. 2002, 92, 5259.
18. Langmuir, I. J. Am. Chem. Soc. 1917, 39, 1848.
19. Coronado,E.; Mingotaud, C. Adv. Mater. 1999, 11, 869.
20. Bigelow, W. C.; Pickett, D. L.; Zisman, W. A. J. Colloid Interface Sci.
1946, 1, 513.
21. Sagiv, J. J. Am. Chem. Soc. 1980, 102, 92.
22. Nuzzo, R. G.; Allara, D. L. J. Am. Chem. Soc. 1983, 105, 4481.
23. 沈鼎昌,“神奇的光-同步輻射”,牛頓出版股份有限公司,1999.
24. Chang, C. T.; Tsang, K.L. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 2001,467-468, 586.
25. Vickerman, J. T. “Surface Analysis-The Principal Techniques”, John Wiley & Sons, New York, 1997.
26. Stohr, J. “NEXAFS spectroscopy”, Springer-Verlag, Berlin, 1992.
27.林鶴南, 伍秀菁, 儀器總覽, 汪建民主編; 中國材料科學學會: 新竹 市, 1998, 6, 29.
28. Digital Instruments Veeco Metrology Group, Scanning Probe Microscopy Traning Notebook Version 3.0, 004-130-000 Standard Issue.
29. Sedra, A. S.; Smith, K. C. Microelectronic circuits 4th ed, Oxford University Press, New York,1998.
30.Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed., Wiley, New York 1981.
31. Horowitz, G. Adv. Mater. 1998, 10, 365.
32. Dimitrakopoulos, C. D.; Malenfant, P. R. L. Adv. Mater. 2002, 14, 99.
33. Coropceanu, V.; Cornil, J.; da Silva Filho, D. A.; Olivier, Y.; Silbey, R.;
Bredas, J.-L. Chem. Rev. 2007, 107, 926.
34.Zaumseil, J.; Sirringhaus, H. Chem. Rev. 2007, 107, 1296.
35.Shirota, Y.; Kageyama, H. Chem. Rev. 2007, 107, 953.
36. Chabinyc, M. L.; Salleo, A. Chem. Mater. 2004, 16, 4509.
37. Horowitz, G. J. Mater. Res. 2004, 19, 1946.
38. Dodabalapur, A.; Torsi, L.; Katz, H. E. Science 1995, 268, 270.
39. Pesavento, P. V.; Chesterfield, R. J.; Newman, C. R.; Frisbie, C. D. J.
Appl. Phys. 2004, 96, 7312.
40. Goldmann, C.; Haas, S.; Krellner, C.; Pernstich, K. P.; Gundlach, D. J.;
Batlogg, B. J. Appl. Phys. 2004, 96, 2080.
41. Podzorov, V.; Sysoev, S. E.; Loginova, E.; Pudalov, V. M.; Gershenson, M. E. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3504.
42. Dimitrakopoulos, C. D.; Furman, B. K.; Graham, T.; Hegde, S.;
Purushothaman, S. Synth. Met. 1998, 92, 47.
43. Brown, A. R.; Jarrett, C. P.; de Leeuw, D. M.; Matters, M. Synth. Met.
1997, 88, 37.
44. Dimitrakopoulos, C. D.; Brown, A. R.; Pomp, A. J. Appl. Phys. 1996, 80, 2501.
45. Horowitz, G.; Hajlaoui, R.; Bourgouiga, R.; Hajlaoui, M. Synth. Met.
1999, 101, 401.
46. Torsi, L.; Dodabalapur, A.; Katz, H. E. J. Appl. Phys. 1995, 78, 1088.
47. Madru, R.; Guillaud, G.; Al Sadoun, M.; Maitrot, M.; Andre´, J.-J.;
Simon, J.; Even, R. Chem. Phys. Lett. 1988, 145, 343.
48. Dimitrakopoulos, C. D.; Purushothaman, S.; Kymissis, J.; Callegari, A.;
Shaw, J. M. Science 1999, 283, 822.
49. Tanase, C.; Meijer, E. J.; Blom, P. W. M.; de Leeuw, D. M. Phys. Rev.
Lett. 2003, 91, 216601.
50. Ishizaka, A.; Shiraki, Y. J. Electrochem. Soc. 1986, 133, 666.
52. Peters, R. D.; Nealey, P. F.; Crain, J. N.; Himpsel, F. J. Langmuir 2002, 18, 1250.
53. Bierbaum, K.; Kinzler, M.; Wöll, Ch.; Grunze, M.; Haehner, G.; Heid, S.;
Effenberger, F. Langmuir 1995, 11, 512.
54. Harder, P.; Bierbaum, K.; Woell, Ch.; Grunze, M.; Heid, S.; Effenberger, F. Langmuir 1997, 13, 445.
55.Smith, M. B.; Efimenko, K.; Fischer, D. A.; Lappi, S. E.; Kilpatrick, P.
K.; Genzer, J. Langmuir 2007,23, 673.
56. Weng, S. Z.; Hu, W. S.; Kuo, C. H.; Tao, Y. T. ; Fan, L. J.; Yang, Y. W.
Appl.Phys.Lett. 2006, 89, 172103.
57. Uchida, T. Mol. Cryst. Liq. Cryst, 1982, 1, 1.
58. Stöhr, J.; Samant, M. G. J. Elec. Spectrosc. Relat. Phenom 1999, 98, 189.
59. (a) Uchida, T. Mol. Cryst. Liq. Cryst 1985, 123, 15. (b) Uchida T.; Seki, H. Liquid Crystals Applications and Uses; edited by Briendra Bahadur, World Scientific, Singapore, 1992, 3, Chap. 5.
60. Staub, R.; Toerker M.; Fritz T.; Schmitz-Hübsch T.; Sellam F.; Leo K.
Langmuir 1998, 14, 6693.
61.Camillone, N. III.; Leung, T. Y. B.; Schwartz, P.; Eisenberger, P.; Scoles, G. Langmuir 1996, 12, 2737.
62.Sprik, M.; Delamarche, E.; Michel, B.; Roethlisberger, U.; Klein, M. L.;
Wolf, H.; Ringsdorf H. Langmuir 1994, 10, 4116.
63. Outka, D. A.; Stöhr, J.; Rabe, J. P.; Swalen, J. D. J. Chem. Phys. 1988, 88, 4076.
64. Schertel, A.; Hahner, G.; Grunze, M.; Woll, Ch. J. Vac. Sci. Technol. A 1996, 14, 1801.
65. Hennies, F.; Föhlisch, A.; Wurth, W.; Witkowski, N.; Nagasono, Mitsuru, Surface Science 2003, 529, 144.
66. Matsui, F.; Yeom, H. W.; Matsuda, I.; Ohta, T. Phys. Rev. B 2000, 62, 5036.
67. Jin, H.; Kinser, C. R.; Bertin, P. A.; Kramer, D. E.; Libera, J. A.; Hersam, M. C.; Nguyen, S. T; Bedzyk, M. J. Langmuir 2004, 20, 6252.
68. Fischer, D.; Marti, A.; Hahner, G. J. Vac. Sci. Technol. A 1997, 15, 2173.
69. Kinzler, M.; Schertel, A.; Hähner, G.; Wöll, Ch.; Grunze, M.; Albrecht, H.; Holzhüter, G.; Gerber, Th. J. Chem. Phys, 1994, 100, 7722.
70. Bockong, T.; James, M.; Coster, H. G. L.; Chicott, T. C.; Barrow, K. D.
Langmuir 2004, 20, 9227.
71. Yoshimoto, S.; Narita, R.; Wakisaka, M.; Itaya, K. J. Electroanal. Chem.
2002, 532, 331.
72. Satta, M.; Iacobucci, S.; Larciprete, R. Phys. Rev. B 2007, 75, 155401.
73. Kfer, D.; Ruppel, L.; Witte, G. Phys. Rev. B 2007, 75, 085309.
74. Mantz, Y. A.; Gerard, H.; Iftimie, R.; Martyna, G. J. J. Am. Chem. Soc.
2004, 126, 4080.
75. Mirji, S. A. Surf. Interface Anal. 2006, 38, 158.
76. Solymosi, F.; Kovács, I. Surface Science 1993, 296,171.
77. Wirde, M.; Gelius, U.; Dunbar, T.; Allara, D. L. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B 1997, 131,245.
78. Weidkamp, K. P.; Hacker, C. A.; Schwartz, M. P.; Cao, X.; Tromp, R. M.;
Hamers, R. J. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 11142.
簡歷
姓名：張仲翔 出生：民國72年10月4日
籍貫：台灣省台中市 學歷：台中市立光復國民小學
台中縣立長億國民中學 國立台中第二高級中學 國立交通大學應用化學系 國立交通大學應用化學所碩士班