7.1 結論
本研究之主要目的是希望透過相關之專利分析以及因素分析，找出當前主流 設計技術發展趨勢，使得廠商能夠在研發策略的選擇上，做出更有效的決策，降 低技術投資的風險，增加市場的獲利性。
而從研究分析中我們可以發現，目前快閃記憶體產業中之主流技術發展偏向 於動作機制、結構以及基本功能三大塊，其中以動作機制技術領域最具未來發展 性，是廠商們競相投入大量資源做研究開發之主要技術領域。
另外，對於國內外快閃記憶體廠商，本研究也提出下列建議以供參考：
1. 針對主流技術領域作發展
廠商在擬定研發策略時，必須考慮當前產業中之主流技術之發展，搭配公 司之產品定位以及相關資源配置，決定投資之方向。
2. 選取較有效率之生產方式
快閃記憶體之生產技術主要包括SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi Level Cell)、MBC(Multi Bit Cell)等三種，而現階段較廣為受到業者所使用的技 術則為SLC 與 MLC，其中又以 MLC 享有成本與良率上的優勢。廠商們 在生產快閃記憶體時，必須選取較適合產品之研發方式，以最有效率之方 式來做生產。
3. 與其他廠商進行合作
對於目前正進入戰國時代、合縱連橫的快閃記憶體市場，此一現象隨處可 見，例如Intel 與 Micron 成立 IM Flash 公司、STM 與 Hynix 共同出資於 中國無錫興建晶圓廠、Micron 收購快閃記憶卡製造大廠－Lexar 以往下游 通路端佈局等，都可以看見合作研發之趨勢所在。廠商們必須搭上此一列 車，透過策略聯盟，來學習較先進之技術，另一方面，還可以充分利用雙 方之資源，增強自身之競爭能力。
4. 跟著市場的腳步
由於NAND Flash 具有體積小、重量輕、抗震、運算速度快等特性，使其 相當適合使用在可攜式電子產品上，再加上隨著可攜式消費性電子產品風 行，以及NAND Flash 大量生產、製程技術不斷演進促使售價不斷降低，
NAND Flash 已躍升為消費性電子產品中使用量最高的儲存媒介，更使得 近來NAND Flash 產業呈現蓬勃發展，市場規模持續擴增。有鑑於國際記 憶體大廠紛紛投入NAND Flash 市場，加上 NAND Flash 儼然成為 DRAM 大廠的延伸戰場，且具有多元記憶體產品線的公司將具搭售相關產品的優 勢，業者對於NAND Flash 產品的投入將要更為積極。
5. 從產品面來思考
廠商可以針對產品所需的技術需求，來開發新的技術。例如：為了迎合
Windows Vista 的推出，Intel 與 Samsung 已經規劃推出混合快閃記憶體與 硬碟( Hybrid Hard Drive with Flash)的儲存媒體，支援其產品的作業系統。
7.2 研究限制
1. 本研究只選取美國專資料庫為其檢索資料庫，使用單一專利資料庫，無法確 切檢索到廠商所有的專利資料，尤其當廠商在其他國家有大量專利申請時。
2. 在關鍵字的設定上，雖然透過專家意見而採用 ( APD/19800101->20051231) AND( ABST/Flash OR TTL/Flash OR "Flash Design" )為關鍵字進行搜尋，但 所搜尋到的專利資料未必每一篇都是本研究所需要的，由於專利資料過多而 無法每篇詳加看過後進行篩選。
3. 由於本研究使用專利資料為基礎來作分析，對於近幾年才興起、專利數目較 少但具有良好研發能力之廠商，在分析上將居於劣勢。
4. 在專利權人的合併上，因公司間的合併而更換為併購公司，或是集團下擁有 其他子公司，本研究並未進行合併。
5. 在主流技術分析上，本研究只採取 UPC 專利分類號前 20 名作分析，故可能 對於較冷門的技術有所失真，但對於本研究所提供的分析方法，尚屬可行。
6. 在進行主流技術領域命名時，三大主流領域所包含之細項多有相關之處，無 法明確的分隔開來重新命名。
7.3 研究建議
對於後續研究者，本研究建議可以針對上述提到之限制，去做研究設計上的 修改與突破。另外，對於專利指標的選取與定義，也可以自己試著去發展更合適 之指標。
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