4-1 實驗藥品
1. Zinc acetate dihydrate
分子式:Zn(CH3COO)2 .2H2O 分子量:219.5 純度:99 % 製造商:SHOWA
2. Potassium hydroxide 分子式:KOH
分子量:56.11 純度:85 % 製造商:SHOWA
3. Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) ,regioregular 分子式:P3HT 結構式:
分子量:42081 (GPC) 熔點:238℃
製造商:ALDRICH 4. n-propylamine
分子式:CH3CH2CH2NH2
分子量:59.11 純度:99 %
沸點:48 ℃ 密度:0.719(g/ml) 製造商:Fluka
S
n5. butylamine
分子式:CH3(CH2)3NH2
分子量:73.14 純度:98 % 沸點:78 ℃ 密度:0.74(g/ml) 製造商:Fluka
6. Methanol 分子式:CH3OH
分子量:32.04 純度:99.8 % 沸點:64.7℃ 密度:0.791(g/ml)
製造商:TEDIA(配藥用)、ECHO、景明化工(ITO 清洗製程用) 7.Chloroform
分子式:CHCl3
分子量:119.36 純度:99.9 % 沸點:60.5~61.5℃ 密度:1.492(g/ml) 製造商:TEDIA
8. Acetone
分子式:CH3COCH3
分子量:58.08 純度:99.685 % 沸點:56 ℃ 密度:0.791(g/ml) 製造商:ECHO、景明化工
* *
SO3 -n
9. 2-propanol
分子式:(CH3)2CHOH
分子量:60.10 純度:99.5 % 沸點:82 ℃ 密度:0.785(g/ml) 製造商:ECHO、景明化工
10. Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrene sulfonate) PEDOT 分子式:(C6H4O2S)n
PEDOT 結構式:
PSS 結構式:
PEDOT:PSS ratio:1:6(by weight)
沸點:≒100 ℃ work function:≒5.0 ev 製造商BAYTRON®
11. Aluminum 元素符號:Al
原子量:26.98 純度:99.99 % 熔點:660.37 ℃ 密度:2.7(g/ml) 製造商:銥光科技
12. ITO 導電玻璃 電阻:5~10Ω 製造商:默克光電
4-2 實驗儀器
1.穿透式電子顯微鏡 (Transmission Electron Microscope,TEM) 製造商:Hitachi 型號:H-600
簡介功能:用以分析樣品形狀與結構。電子束由機台頂端的熱鎢絲中射 出,經過電子聚焦透鏡後,產生近似平行之電子束穿透樣品(此樣品厚度 必須小於 100nm),再透過電子物鏡和投影物鏡將電子束投影至螢光屏 上,形成影像。
分析條件:加速電壓75KeV 樣品製備:
z 分析合成氧化鋅奈米棒的尺寸:將 10mg/ml 溶液直接滴在銅網上。
z 分析氧化鋅和高分子混摻後的分散情形:將有旋轉塗佈 PEDOT:PSS 和有機感光層的基材泡入水中,PEDOT:PSS 會溶於水中,將漂起的 有機感光層用銅網撈起觀察。
z 分析元件截面:以超薄切片機切片後,用銅網撈起觀察。
2.低溫高解析度穿透式電子顯微鏡 (Cryo-High-resolution Transmission Electron Microscope ,HRTEM)
製造商:JOEL 型號:JEM-2010
簡介功能:在奈米晶體研究中,提供極高的放大倍率以利晶體結構觀察。
分析條件:加速電壓200KeV
樣品製備:配置溶液10mg/ml 直接滴在銅網上,在常溫下抽乾後觀察。
3.高解析度 X 光繞射儀 (High Resolution X-ray Diffractometer) 製造商:Bede 型號:D1
簡介功能:以銅靶產生 Kα之 X 光,具有結晶結構的樣品會對 X 光進行 繞射,在特定角度產生訊號,藉由這些訊號鑑定晶體的結構。利用低掠 角 X 光入射的方式可以明顯增強薄膜材料之繞射訊息,因此被廣泛應用 於薄膜分析。
分析條件:工作電壓40KeV 電流 2mA
繞射角度20~80 度(分析 ZnO) 2~40 度(分析 ZnO 和 P3HT 混摻) 靶材:銅靶(Cu-Kα,λ=1.54056Å )
樣品製備:
z 分析 ZnO:40mg/ml ZnO 溶液以 1000rpm 旋轉塗佈在玻璃片上,反覆 多次,直到玻璃片成全白。
z 分析 ZnO 和 P3HT 混摻:和元件製作條件相同。
4.紫外光-可見光光譜儀 (Ultraviolet-visible Spectroscopy) 製造商:HP 型號:Agilent-8453
簡介功能:用以了解樣品對紫外光及可見光的吸收強度。由樣品對光的 吸收度代入Beer’s law,得到樣品在 300~800 nm 之間的光吸收圖譜。
分析條件:300~800 nm
樣品製備:10mg/ml 的 P3HT/ZnO 以 1200rpm 旋轉塗佈在 ITO 玻璃上。
5.光激發光光譜圖 (Photoluminescence Spectroscopy,PL) 製造商:Hitachi 型號:F-4500
簡介功能:樣品經吸收一特定波長之激發光後,電子受激發躍遷至激發 態,而後重回基態所釋放的能量以光的形式表現,以光激發光光譜測量 其放射波長與能量。在太陽能電池的研究裡,我們藉由PL 強度的下降,
推測有能量轉移到其他地方(電或熱…),做為發展太陽能電池元件潛能的 評估方式之一。
分析條件:依吸收光譜選擇激發波長,測量其發光位置與強度。
掃描速度240(nm/min),ex slit=10mm,em slit=10mm,voltage=700
樣品製備:10mg/ml 的 P3HT/ZnO 以 1200rpm 旋轉塗佈在 ITO 玻璃上。
6.原子力顯微鏡 (Atomic Force Microscope,AFM) 製造商:Digital Instrument
型號:Digital Instrument Multimode Scanning Probe Microscope 簡介功能:用以了解樣品的表面型態、粗糙度以及厚度。
分析條件:Tapping Mode AFM 樣品製備:
z 表面型態分析:將 10mg/ml 的 P3HT/ZnO 旋轉塗佈在有 PEDOT:PSS 的 ITO 玻璃上。
z 高度分析:用尖銳物在高分子膜上切出溝槽,以 90 度進行掃描溝槽 深度,掃描數次取其平均值和表面形態分析中的 ΔZ 交叉應證。
7.掃描式電子顯微鏡 (Scanning Electron Microscope,SEM) 製造商:JOEL 型號:JSM-6500
簡介功能:在此用以分析元件的剖面結構。利用電子束撞擊試片表面,
使表面原子激出電子,收集這些二次電子轉譯成表面影像。
工作距離10mm~8mm 加速電壓:15keV
8.元件測量設備
Keithley236 source measure unit
光源:150W oriel solar simulator AM 1.5G filter分析條件:架設 AM 1.5 太陽光模擬器,以 100mw/cm2強度照射在元件 上,利用Keithley236 供給-2V~2V 的電壓,讀取相對應的電流值。