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體積全像應用之發展關鍵與要求

 , (1.4)

若波長為 1550 nm,要達到 0.2 nm 的窄頻濾波器,只需要 6 mm 厚度,

d

z

d

z

(a) (b)

圖 1-2 厚光柵示意圖:(a)穿透式光柵;(b)反射式光柵。

0 1 2 3 4 5

0 20 40 60 80 100

Diffraction efficiency (%)

Modulation of index

x10-4 0.0-0.10 -0.05 0.00 0.05 0.10

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Normailized efficiency (%)

Bragg detuning angle (DEG)

圖 1-3(a)繞射效率與光柵振幅的關係;(b)繞射效率與入射角變化的關係。

從體積全像術的原理分析,我們可以利用不同入射角或波長相異的參考光,與物 體光干涉,在厚材料的同一個位置上記錄多張全像;因此應用體積全像術,透過適當的 多工安排,可以在同樣體積的材料中記錄更多資訊,增加資訊容量;或整合更多的全像 繞射元件於單一元件上。

1.2 體積全像應用之發展關鍵與要求

要發展體積全像的應用,需要整合多種元件;體積全像儲存系統是體積全像應用

中要求最為嚴苛的應用,如圖 1-4(a)為體積全像儲存系統示意圖,物體光波經由空間調 製器後,形成攜帶圖樣或數位資訊的物體光波,與不同角度或不同波長的光干涉記錄,

當重建時,我們只要改變參考光的入射角度或波長,便可讀取出不同的資訊;如要建構 實用的體積全像儲存系統,其容量至少每張直徑 12 cm 的碟片要為 1000 GB,因此資料 密度為 70.74 Gbits·cm-2;若所使用的記錄光波長為 532 nm、500 mW 的雷射光源,經過 光 學 系統 後 每道 光 只剩 50 mW,假設在系統中使用的,空間調制器的解析度為 1000×1000,畫素大小為 4 m×4 m,存取速度為 1 Gbps,因此每張 106 bits 的全像記錄 時間為 10-3秒;系統中使用的透鏡之焦距(Focal length)為 1 cm,富式平面上的光點半徑 為 0.133 cm,對應的富式全像的面積為 0.056 cm2,要讓偵測繞射光圖樣的影像偵測元 件,如電荷耦合元件(Charge couple device, CCD)元件上之單一畫素產生位元 1 的最低每 秒光子數為 10000,CCD 的每個畫素大小亦為 4 m×4 m,每張全像的讀取時間為 0.001 秒,可計算出每一畫素上所需最低之光強度,也就是最低繞射光強度為 0.023 mW·cm-2; 因此每張全像最低繞射效率必須為 0.0000258,將此最低繞射效率代入 Eq. (1.2),由於繞 射效率很低,可近似後求得對應的光柵強度為 0.0051;要達到相同的資料密度,也就是 在碟片的同一位置上要記錄 3961 張全像;動態範圍定義為同一位置上的全像數目與單 張全像所需的折射率變化之乘積,因此對應的動態範圍為 20.2;敏感度定義為每單位曝 光能量所能得到的光柵強度,敏感度至少要為 22 cm2·J-1

圖 1-4(b)為多頻道解調多工器示意圖;此類光被動元件在 DWDM 中非常重要,而 要滿足的需求,在同一條光纖中傳輸 40 甚至 160 個頻道的資訊,所需要的窄頻濾波器 的頻寬為 0.8 nm 至 0.2 nm(40 Gbps ~ 160 Gbps);以體積全像法製作濾波器的優點在於技 術成熟與插入損失低[31-35];以 90 度角度多工製作頻寬為 0.2 nm 的光塞取多工器 (Optical Add/Drop Multiplexer),每個頻道所需要的材料厚度要 8.50 mm,然後利用位移

多工,可在一塊材料上,製作多個頻道的濾波器;全像濾波元件亦可用於檢測系統,如 生醫檢測系統中,需設計近紅外光的繞射元件[36-39]。

Detector array

Spatial light modulator

Volume holograms

Digital data

Data retrieval

Page address

or Analog image

Detector array

Spatial light modulator

Volume holograms

Digital data

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12 ……. n1n

12 … n1n

(a) (b)

圖 1-4 體積全像之應用示意圖:(a)體積全像記錄系統;(b)多頻道解調多工器。

隨著科技的進步,各種光電元件的效能都有明顯的成長,高解析度的空間調制器,

足夠敏感的 CCD,反應時間短、解析度高的機電系統,更高功率與同調長度長的雷射 等;這些元件都足夠支持實現體積全像的應用,然而儲存材料的進步速度不如光機電元 件來的快速;對於體積全像的應用,其對材料的要求諸如高動態範圍、高光敏感度、低 光致收縮(Shrinkage)、良好光學平整度、低散射、熱膨脹係數小、容易大量製造,材料 保質期(shelf-life time)長都是一個良好體積全像應用材料的必要條件;因此我們可以整 理如表 1-1 的參數[23, 40],說明體積全像應用的材料要求,針對不同的應用,要求也會 略有不同,如全像繞射元件,則不需要較高敏感度的要求,但是卻期望能有接近 100%

的繞射效率,減少訊號強度損耗。

厚度 > 0.5 mm

光學平整度 <半波長

敏感度 20 cm2·J-1

動態範圍 M/# > 5.0

光致收縮率 < 0.05% (0.5 mm 材料) 散射 < 10-5 srad-1

感光波長 視應用而定

材料保質期 > 10 年

表 1-1 體積全像記錄材料之特性參數要求。

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