參考文獻 - 類核黃素修飾電極分析與應用:漫射式螢光光譜分析

1. K. T. Potts, D. A. Usifer, A. Guadalupe, H. D. Abruna, J. Am. Chem.

Soc., 1987, 109, 3961.

2. O. Fussa-Rydel, H. T. Zhang, J. T. Hupp, C. R. Leidner, Inorg. Chem., 1989, 28, 1533.

3. P. Cassoux, L. Valade, H. Kobayashi, A. Kobayashi, R. A. Clark, A. E.

Underhill, Coord. Chem. Rev., 1991, 110, 115.

4. N. Oyama, T. Tatsuma, K. Takahashi, J. Phys. Chem., 1993, 97, 10504.

5. R. D. Archer, Coord. Chem. Rev., 1993, 128, 49.

6. C.-T. Chen, K. S. Suslick, Coord. Chem. Rev., 1993, 128, 293.

7. P. J. Kulesza, J. Electroanal. Chem., 1987, 220, 295.

8. A. R. Guadalupe, D. A. Usifer, K. T. Potts, H. C. Hurrell, A.-E.

Mogstad, H. D. Abruna, J. Am. Chem. Soc., 1988, 110, 3462.

9. A. F. Diaz, K. K. Kanazawa, G. P. Gardini, J. Chem. Soc. Chem.

Comm., 1979, 635.

10. Y. Umezawa, T. Yamamura, J. Electroanal. Chem., 1979, 95, 113.

11. A. A. Karyakin, A. K. Strakhova, E. E. Karyakina, S. D.

Varfolomeyev, A. K. Yatsimirsky, Bioelectrochem. Bioenerg., 1993, 32, 35.

12. J. A. Cox, P. J. Kulesza, Anal. Chem., 1984, 56, 1021.

13. P. J. Kulesza, K. Brajter, E. Dabek-Zlotorzynska, Anal. Chem., 1987, 59, 2776.

14. J. A. Cox, T. Gray, K. R. Kulkarni, Anal. Chem., 1988, 60, 1710.

16. W. H., E. Wang, Anal. Chim. Acta, 1992, 257, 275.

17. J. Zhou, E. Wang, Talanta, 1992, 39, 235.

18. R. T. Kennedy, L. Huang, M. A. Atkinson, P. Dush, Anal. Chem., 1993, 65, 1882.

19. P. K. Ghosh and A. J. Bard, J. Am. Chem. Soc., 1983, 105, 5691.

20. C. G. Murry, R. J. Nowak and D. R. Rolison, J. Electroanal. Chem., 1984, 164, 205.

21. R. F. Ngece, Priscilla G .L. Baker and E. I. Iwuoha,Sensors, 2008, 8, 8262.

22. P. W. Robert, Max J. H. Witjes, Jan L. N. Roodenburg, Lasers in Surgery and Medicine, 2005, 36, 356.

23. A. S. Haka, K. L. Bechtel, R. R. Dasari, J. Biomed. Opt., 2008, 13, 024012.

24. 方肇倫，微流控分析芯片, 科學出版社，2003。

25. D. T. Hess, T. M. Slater, M. C. Wilson, and J. H. Pate Skene, J.

Neurosci., 1992, 12, 4634.

26. S. Palanisamy, A.T. Ezhil Vilian, S. M. Chen, Int. J. Electrochem. Sci., 2012, 7, 2153.

27. M. Sengonul, A. Sousa, M. Libera,J. Colloid Interface Sci., 2009, 73, 152.

28. T. Yamaguchi, S. Nishimura, K. Takahashi, M. Yoshikuni, J. Masaki, T. Hirai, M. Saneyoshi, J. Biochem., 1996, 119, 186.

第六章附錄

Intensity (a.u.)

Time (sec) 0.9 ⁰ 100 200 300 400 500 600

Intensity (a.u.)

Time (sec)

0 100 200 300 400 500 600

Intensity (a.u.)

Time (sec)

0 100 200 300 400 500 600

Intensity (a.u.)

Time (sec)

0 100 200 300 400 500 600

Intensity (a.u.)

Time (sec) 0.30 ⁰ 100 200 300 400 500 600

Intensity (a.u.)

Time (sec)

圖6-1 TC、TB、MB 使用氧化聚合與偶氮化製備之修飾電極在載流液體下漫射式螢光穩定性與時間之關係。

(A

)

(A

)

(B) (B)

圖6-2 以氧化聚合法掃描 5 圈後所得的 ITO|TB 修飾電極表面，經刮除法刮除一定面積 (1 ×0.5 μm²) 後，所得影像之俯視圖 (上) 與剖面圖 (下)，其中掃描速率為 0.5 Hz。

(A)

(A) (A)

(B) (B)

圖6-3 以氧化聚合法掃描 5 圈後所得的 ITO|MB 修飾電極表面，經刮除法刮除一定面積 (1 ×0.5 μm²) 後，所得影像之俯視圖 (上) 與剖面圖 (下)，其中掃描速率為 0.5 Hz。

(A) (B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

圖6-4 導電模式 AFM 影像分析，其中(A)為 ITO；(B)為 ITO|TC；(C) 為 ITO|TC|FT；(D)為(C)再注射一次 FT。掃描速率：1 Hz，偏壓︰0.5 V (探針接地)。

(A)

(C)

(B)

(D)

(B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

(A)

圖6-5 導電模式 AFM 影像分析，其中(A)為 ITO；(B)為 ITO|TC；(C) 為 ITO|TC|DNA；(D)為(C)再注射一次 DNA。掃描速率：1 Hz，偏壓︰

0.5 V (探針接地)。

(A)

(C)

(B)

(D)

(B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

(A)

圖6-6 導電模式 AFM 影像分析，其中(A)為 ITO；(B)為 ITO|TB；(C) 為 ITO|TB|GOx；(D)為(C)再注射一次 GOx。掃描速率：1 Hz，偏壓︰

0.5 V (探針接地)。

(B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

(A)

圖6-7 導電模式 AFM 影像分析，其中 (A)為 ITO；(B)為 ITO|TB；

(C)為 ITO|TB|FT；(D)為(C)再注射一次 FT。掃描速率：1 Hz，偏壓︰

0.5 V (探針接地)。

(B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

(A)

圖6-8 導電模式 AFM 影像分析，其中 (A)為 ITO；(B)為 ITO|TB；

(C)為 ITO|TB|DNA；(D)為(C)再注射一次 DNA。掃描速率：1 Hz，

偏壓︰0.5 V (探針接地)。

(A)

(C)

(B)

(D)

(B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

(A)

圖6-9 導電模式 AFM 影像分析，其中(A)為 ITO；(B)為 ITO|MB；

(C)為 ITO|MB|GOx；(D)為(C)再注射一次 GOx。掃描速率：1 Hz，

偏壓︰0.5 V (探針接地)。

(B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

(A)

圖6-10 導電模式 AFM 影像分析，其中(A)為 ITO；(B)為 ITO|MB；

(C)為 ITO|MB|FT；(D)為(C)再注射一次 FT。掃描速率：1 Hz，偏壓︰

0.5 V (探針接地)。

(B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

(A)

圖6-11 導電模式 AFM 影像分析，其中 (A)為 ITO；(B)為 ITO|MB；

(C)為 ITO|MB|DNA；(D)為(C)再注射一次 DNA。掃描速率：1 Hz，

偏壓︰0.5 V (探針接地)。

400 500 600 700 800 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Absorbance

Wavelength (nm)

(A)

0 2 4 6 8 10 12 14 16

0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

[NAD+ ] (mM)

Absorbance

(B)

圖6-12 (A) TC (10^-5M) 於水溶液中逐量添加 NAD⁺ 所測得之紫外光-可見光吸收光譜圖，其中NAD⁺濃度為 (a) 0；(b) 0.63；(c)1.26；(d) 2.52；(e) 3.15；(f) 3.84；(g) 4.45；(h) 6.25；(i) 11.76；(j) 14.285 mM。

(B)為吸收度 ( λabs ：590 nm) 與 NAD⁺濃度的關係。

600 620 640 660 680 700

Intensity (a.u.)

Wavelength (nm)

(A)

Intensity (a.u.)

(B)

圖6-13 (A) TC (10^-5M) 在水溶液中逐量添加 NAD⁺測得之螢光光光譜圖，其中NAD⁺濃度為 (a) 0；(b) 0.63；(c)1.26；(d) 2.52；(e) 3.15；

(f) 3.84；(g) 4.45；(h) 6.25；(i) 11.76；(j) 14.285 mM。(B)為螢光強度與 NAD⁺濃度間的關係；其中λex：570 nm；λem：621 nm。

400 500 600 700 800 0.0

0.2 0.4 0.6

Absorbanc e

Wavelength (nm)

(A)

0 2 4 6 8 10 12 14 16

0.48 0.49 0.50 0.51 0.52 0.53 0.54

[NAD+ ] (mM)

Intensity (a.u.)

(B)

圖6-14 (A) TC 薄膜(氧化聚合 10 圈)逐量添加 NAD⁺ 測得之紫外光-可見光吸收光譜圖，其中Ascorbic acid 濃度為 (a) 0；(b) 0.63；(c)1.26；

(d) 2.52；(e) 3.15；(f) 3.84；(g) 4.45；(h) 6.25；(i) 11.76；(j) 14.285 mM。

(B) 為吸收度與 NAD⁺濃度間的關係；其中λex：570 nm；λem：621 nm。

580 600 620 640 660 680 700 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

Intensi ty (a.u.)

Wavelength (nm)

(A)

0 2 4 6 8 10 12 14 16

1.10 1.15 1.20 1.25 1.30 1.35 1.40

[NAD+ ] (mM)

Intensi ty (a. u .)

^(B)

圖6-15 (A) TC 薄膜 (氧化聚合 10 圈) 逐量添加 NAD⁺測得之漫射式螢光光譜圖，其中 NAD⁺濃度為(a) 0；(b) 0.63；(c)1.26；(d) 2.52；(e) 3.15；(f) 3.84；(g) 4.45；(h) 6.25；(i) 11.76；(j) 14.285 mM。(B)為螢光強度與NAD⁺濃度間的關係；其中λex：570 nm；λem：621 nm。

400 500 600 700 800 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8

Abso rban ce

Wavelength (nm)

(A)

0 20 40 60 80 100 120 140 0.70

0.75 0.80 0.85 0.90

[Na

₂

S

₂

O

₈

] (mM)

Ab so rb ance

(B)

圖6-16 (A) TC (10^-5M) 於水溶液中逐量添加 Na2S2O8所測得之紫外光-可見光吸收光譜圖，其中 Na2S2O8濃度為 (a) 0；(b) 16.66；(c) 31.5；

(d) 47.61；(e) 62.5；(f) 76.92；(g) 90.9；(h) 104.47；(i) 117.647 mM (j) 130.43 mM。(B)為吸收度 ( λabs ：590 nm) 與 Na₂S₂O₈濃度的關係。

600 620 640 660 680 700 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6

Intensi ty (a.u. )

Wavelength (nm)

(A)

0 20 40 60 80 100 120 140 1.20

1.25 1.30 1.35 1.40 1.45 (B)

[Na

₂

S

₂

O

₈

] (mM)

Intensity (a.u.)

圖6-17 (A) TC (10^-5M) 於水溶液中逐量添加 Na2S2O8所測得之螢光光譜圖，其中Na2S2O8濃度為 (a) 0；(b) 16.66；(c) 31.5；(d) 47.61；

(e) 62.5；(f) 76.92；(g) 90.9；(h) 104.47；(i) 117.647；(j) 130.43 mM。

(B)為螢光強度與 Na₂S₂O₈濃度的關係，其中 λex：570 nm；λem：621

400 500 600 700 800 0.0

0.1 0.2 0.3 0.4 (A)

Absorbance

Wavelength (nm)

0 20 40 60 80 100 120 140 0.2

0.3 0.4 0.5 (B)

[Na

₂

S

₂

O

₈

] (mM)

A bsorbance

圖6-18 (A) TC 薄膜(氧化聚合 10 圈) 逐量添加 Na2S2O8所測得之紫外光-可見光吸收光譜圖，其中 Na2S2O8濃度為 (a) 0；(b) 16.66；(c) 31.5；

(d) 47.61；(e) 62.5；(f) 76.92；(g) 90.9；(h) 104.47；(i) 117.647 mM (j) 130.43 mM。 (B)為吸收度 ( λabs：590 nm) 與 Na₂S₂O₈濃度的關係。

600 620 640 660 680 700

Intensity (a.u.)

Wavelength (nm)

0 20 40 60 80 100 120 140

Intensity (a.u.)

(B)

圖6-19 (A) TC 薄膜(氧化聚合 10 圈) 逐量添加 Na2S2O8所測得之漫射式螢光光譜圖，其中Na2S2O8濃度為 (a) 0；(b) 16.66；(c) 31.5；(d) 47.61；(e) 62.5；(f) 76.92；(g) 90.9；(h) 104.47；(i) 117.647 mM (j) 130.43 mM。 (B)為螢光強度與 Na₂S₂O₈濃度的關係，其中 λex：570

400 500 600 700 800

Wavelength (nm)

(A) 2.52；(e) 3.15；(f) 6.25；(g) 7.69；(h) 10.447；(i) 11.76 mM。(B)為吸收度 (λabs ：590 nm) 與 NADH 濃度的關係。

600 620 640 660 680 700 0.0

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5

In te ns ity (a.u.)

Wavelength (nm)

0 2 4 6 8 10 12

2.06 2.08 2.10 2.12 2.14 2.16

[NADH] (mM)

Intensity (a.u.)

圖6-21 (A) TC (10^-5M) 在水溶液中逐量添加 NADH 測得之螢光光光譜圖，其中NADH 濃度為 (a) 0；(b) 0.63；(c)1.26；(d) 2.52；(e) 3.15；

(f) 6.25；(g) 7.69；(h) 10.447；(i) 11.76 mM。(B)為螢光強度與 NADH 濃度間的關係；其中λex：570 nm；λem：621 nm。

400 500 600 700 800 0.0

0.1 0.2 0.3

Abso rba n ce

Wavelength (nm)

0 2 4 6 8 10 12

0.28 0.29 0.30 0.31 0.32 0.33 0.34

Absorbance

[NADH] (mM)

(B)

圖6-22 (A) TC 薄膜(氧化聚合 10 圈)逐量添加 NADH 測得之紫外光-可見光吸收光譜圖，其中 NADH 濃度為 (a) 0；(b) 0.63；(c)1.26；(d) 2.52；(e) 3.15；(f) 6.25；(g) 7.69；(h) 10.447；(i) 11.76 mM。(B) 為吸收度 (λabs ：590 nm)與 NADH 濃度間的關係。

580 600 620 640 660 680 700

Intensity (a.u.)

Wavelength (nm)

(A)

[NADH] (mM)

Intensity (a. u .)

^(B)

圖6-23 (A) TC 薄膜(氧化聚合 10 圈)逐量添加 NADH 測得之漫射式螢光光譜圖，其中 NADH 濃度為 (a) 0；(b) 0.63；(c)1.26；(d) 2.52；

(e) 3.15；(f) 6.25；(g) 7.69；(h) 10.447；(i) 11.76 mM。(B)為螢光強度與NADH 濃度間的關係﹔其中 λex：570 nm；λem：621 nm。

400 500 600 700 800

Wavelength (nm)

(A)

[Na2S2O3 ] (mM)

Abs orbance

580 600 620 640 660 680 700

Int ensit y (a .u.)

Wavelength (nm)

(A)

Intensity (a .u.)

(B)

圖6-25 (A) TC (10^-5M) 在水溶液中逐量添加 Na2S2O3測得之螢光光光譜圖，其中Ascorbic acid 濃度為 (a) 0；(b) 16.66；(c) 31.5；(d) 47.61；

(e) 62.5；(f) 76.92；(g) 90.9；(h) 104.47；(i) 117.647；(j) 130.43 mM。

(B)為螢光強度與 Na₂S₂O₃濃度間的關係；其中λex：570 nm；λem：621

400 500 600 700 800 0.0

0.2 0.4

Ab sorb ance

Wavelength (nm)

(A)

0 10 20 30 40 50 60

0.24 0.26 0.28 0.30 0.32

[Na2S2O3] (mM)

A b so rba n ce

(B)

圖6-26 (A) TC 薄膜(氧化聚合 10 圈)逐量添加 Na2S2O3 測得之紫外光-可見光吸收光譜圖，其中Na2S2O3濃度為 (a) 0；(b) 16.66；(c) 31.5；

(d) 47.61；(e) 62.5；(f) 76.92；(g) 90.9；(h) 104.47；(i) 117.647 mM (j) 130.43 mM。(B) 為吸收度 (λabs：590 nm) 與 Na₂S₂O₃濃度間的關係。

580 600 620 640 660 680 700 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Intensity (a.u.)

Wavelength (nm)

(A)

0 20 40 60 80 100 120 140 0.92

0.94 0.96 0.98 1.00

[Na

₂

S

₂

O

₃

] (mM)

In te nsi ty (a. u .)

^(B)

圖6-27 (A) TC 薄膜(氧化聚合 10 圈)逐量添加 Na2S2O3 測得之漫射式螢光光譜圖，其中Na2S2O3濃度為 (a) 0；(b) 16.66；(c) 31.5；(d) 47.61；

(e) 62.5；(f) 76.92；(g) 90.9；(h) 104.47；(i) 117.647 mM (j) 130.43 mM。(B)為螢光強度與 Na₂S₂O₃濃度間的關係﹔其中 λex：570 nm；

λem：621 nm。

在文檔中類核黃素修飾電極分析與應用:漫射式螢光光譜分析 (頁 95-124)

參考文獻

第六章 附錄

(A

(A

(A)

(B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

(A)

(B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

(A)

(B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

(A)

(B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

(A)

(B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

(A)

(B)

(C) (D)

(A) (B)

(C) (D)

(A)

Absorbance

Wavelength (nm)

[NAD+ ] (mM)

Absorbance

Intensity (a.u.)

Wavelength (nm)

Intensity (a.u.)

Absorbanc e

Wavelength (nm)

[NAD+ ] (mM)

Intensity (a.u.)

Intensi ty (a.u.)

Wavelength (nm)

[NAD+ ] (mM)

Intensi ty (a. u .)

Abso rban ce

Wavelength (nm)

[Na

S

O

] (mM)

Ab so rb ance

Intensi ty (a.u. )

Wavelength (nm)

[Na

S

O

] (mM)

Intensity (a.u.)

Absorbance

Wavelength (nm)

[Na

S

O

] (mM)

A bsorbance

Intensity (a.u.)

Wavelength (nm)

Intensity (a.u.)

Wavelength (nm)

In te ns ity (a.u.)

Wavelength (nm)

[NADH] (mM)

Intensity (a.u.)

Abso rba n ce

第六章附錄