第一章 緒論
2.1 理論模式
2.1.3 流體自由界面與壁面接觸線(contact line)處理
在雙層共押出高分子塑料模擬中,最大的難處之ㄧ是壁面接觸線 之邊界設定。接觸線定義為雙層流體界面與壁面之交叉線。一般在壁 面使用不滑動(no-slip)邊界,會造成在壁面形成無限大之剪切應力,
流體在壁面速度消失,使得運動學狀態(kinematic condition)也隨之消 失,無法正確預測出界面在壁面處之變形及彎曲情形,更影響三維界 面包覆現象之觀察。如圖2-2[55],界面與壁面接觸線(流體/流體/壁面 邊界)在不滑動(no-slip)邊界條件下將無法移動,造成流體界面在壁面 附近產生摺疊現象(bending)。
圖2-2 使用不滑動(no-slip)壁面之流體界面
摺疊現象
由於使用不滑動(no-slip)壁面之假設無法得知界面與壁面接觸位 置,因此在過去文獻之研究中,提出幾個方法以處理接觸線之問題,
包括外插法及滑動邊界。Dheur
[56]、Karagiannis
[57]、Gifford
[46]等人使
用外插法(extrapolation method)預測接觸線位置,此方法是預測界面 接觸線最簡單快速的方法,但卻忽略了壁面(wall effects)造成的界面 扭曲及其對接觸線附近流體流動情形之影響。如圖2-3
[57],A為真實接 觸點位置,A'為使用外插法得到之接觸點位置。
線性外插法如下:
( )( ) /( )
c A B A c A B A
z − z = z − z y − y y − y
(2-7)圖2-3 使用線性外插法處理壁面接觸線
[57]
由於線性外插法僅用B、C 兩點作外插求取流體界面在模壁面之接觸 到界面與壁面之接觸點位置,但Karagiannis[57]等指出若壁面附近網 格過密會影響到收斂性之問題,亦指出可用更多的點做外插,但所 parameter);當Fslip=0 時流體在模壁面產生完全滑動(full slip),亦即
無壁面摩擦力;當Fslip→ ∞時模壁面邊界趨近於不滑動(no slip)狀態,
亦即壁面摩擦力趨近無限大;εslip=1時,(2-9)式為線性式,0<εslip<1 時,(2-9)式為冪次模式(power law model);vt 為流體在壁面之切線速 度,其速度值假設為極小;
v
wall 為壁面切線速度(壁面速度vwall 設定為 零)。由於在過去文獻中並無有關滑動係數之量測值,因此在決定滑動 係數上本論文將做以下幾項假設來求取適當之滑動係數[55]:
(1) 假設模壁面摩擦力極大,造成極大之流體剪切應力,且流體在靠 近模壁面之速度約為平均速度〈v〉的1%~2%,以逼近真實流動 狀態。
(2) 由於(1)之假設,故只需求出流體在靠近模壁面之速度即可得到所 求之滑動係數,因此將流體界面固定以縮減計算量,並避免由於 自由界面迭代的影響造成發散。
由於不同的滑動係數會影響流體在壁面之摩差力大小,因此 流體在靠近壁面之速度也會有所差異,本論文取上述假設(流體在靠 近模壁面之速度為1%~2%之平均速度)所得到之多個滑動係數Fslip來 探討不同滑動係數值設定對於流體在壁面所產生之剪切應力對壁面 與界面接觸位置之影響,並且探討不同滑動係數對界面包覆現象 (encapsulation phenomena)之影響。