元件縮小化一直是元件設計所想要達到的目標，在不改變現有架 構形狀的原則下，縮小層與層的距離是唯一可行的辦法。之前設計中 元件的厚度有1.508mm，幾乎等於元件的寬度 1.6mm，在如此接近的 長度範圍下，對現今機械化的表面黏著技術(Surface Mounting
Technology, SMT)而言是很難去判斷元件正確的方位的，而且使用較
薄的厚度可減少介質材料的使用量，並可增加整體系統的密度量，減 低生產的成本，因此將元件厚度變薄是勢在必行的。
兩線圈間距離縮小，耦合量增加，耦合係數 k 變大，縮小了差模 阻抗和增大了共模等效電感的值，這些都是之前所討論過的結果，因 此在減少厚度的同時，必定會改變這兩種參數的值。而差模阻抗也可
由傳輸線對上的電容電感來決定，其表示式如下 的共振頻率點也略為變小為0.46GHz，不過這可以利用改變側面電極 的寬度來調整螺旋電感上寄生電容的大小而對共振頻率點進行微調 的動作。將兩訊號層的距離縮小後，整體元件的厚度變為 1.008mm，
減少了約33%的體積使用量，達到了小型化的目的，但還是需要針對
整為75µm，雖有改良了設計頻率 Sdd11的大小，但似乎還稍嫌不足，
因此縮小線寬到50µm 使其小於 -16dB，而為了不影響整體繞線的長 度，間距S 也隨線寬縮小而變大為 100µm。在圖 3.15 中比較了沒有 平移、平移75µm 和平移後變動線寬的 Sdd11和Sdd21，可以看出插入損 耗和反射損耗因阻抗的匹配而有所改善，但輻射現象卻因平移而變得 更為嚴重，不過在圖3.16 及圖 3.17 中可以看到除了輻射現象變得較 明顯外，平移量T=75µm 且 W=50µm 結構在共振頻率 0.47GHz 的共 模衰減量和模態轉換的大小跟層厚度為140µm 的結構並無太大的差 別，而且Sdd21平均約只增加了 0.25dB 的損耗，因此平移結構造成最 大的問題即是輻射的現象，這可用天線輻射的概念來作簡單說明，因 本多層的結構有些類似於螺旋天線，所以當兩線圈平移後，向外輻射 的電場因兩線圈相對位置的改變而無法完全的抵銷，因而產生了比沒 有平移時強的輻射現象，另外也可從兩垂直的差模訊號線因位置的平 移而無法達到如圖2.5 的效果，造成較多輻射電場殘留的觀念來作解 釋。線寬縮小是可得到較佳Sdd11的值，不過要注意的是，當線寬縮 小到差模阻抗超過90Ω 時，Sdd11又會因為阻抗的不匹配而開始變差，
而平移結構最大的好處即是可以減少線寬縮小的量，之前提及的光刻 和微機控制技術都可以做到50µm 的線寬，但如果不將結構平移，可 能就需要更改佈線的技術，不過這似乎不是一項好的選擇。
0 0.5 1 1.5 2
Frequency (GHz)
-50 -40 -30 -20 -10 0
dB
90um
Sdd21 Sdd11 Scc21
圖
3.13
將介質層厚度變薄為D=H=90µm
的模擬結果圖
3.14
平移結構之平移量T
與第一組傳輸對的俯視圖圖3.15 三種不同構造 Sdd11與Sdd21的比較圖
0 0.5 1 1.5 2
Frequency (GHz)
-50
90um offset W=50um Sdd21 Sdd11 Scc21
圖 3.16 D=90µm、T=75µm 及 W=50µm 平移結構的模擬結果
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
Frequency (GHz)
-28
90um Sdd11 nooffset offset
offset W=50um
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
Frequency (GHz)
-3 -2 -1 0
dB
90um Sdd21 nooffset offset
offset W=50um
0 0.5 1 1.5 2
Frequency (GHz)
-60 -50 -40 -30 -20 -10
dB
90um offset W=50um mode-conversion
Scd21 Sdc21
圖