4.2 電腦模擬計算
4.7.7 BpSAB-Ph 元件
圖 4-23、BpSAB-Ph 與 α-MADN 的分子結構及其元件能階圖
SAB 系列的最後一個材料為 BpSAB-Ph，BpSAB-Ph 的 HOMO/LUMO 值與 BpSAB 相同，在此仍舊是以元件結構 ITO/EHI608(60 nm)/NPB (20 nm)/EML (30 nm)/Alq3 (10 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm)製作 OLED 元件，圖 4-23 為此元件之能階圖與發光層所使用材料之分子結構。
表4-13 列出 BpSAB-Ph@α-MADN 元件之性質；此元件的操作電壓亦會 隨著摻雜濃度的增加而下降，且光色亦是隨著摻雜濃度的增加而紅位移(圖 4-24(a))，且和氮上同是 4-biphenyl 取代的 BpSAB-Me 和 BpSAB-Me 元件一 樣，BpSAB-Ph@α-MADN 元件的濃度淬熄現象較輕微。
N
表4-13、BpSAB-Ph 摻雜於 α-MADN 的元件性質 BpSAB-Ph@α-MADN (20 mA/cm2)
Conc.
400 450 500 550 600
0.0
Normalized intensity (arb. units)
Wavelength (nm)
Current density (mA/cm2) Yield Pow. Eff.
EQE
(a) (b)
圖4-25 為電流密度變化對光色的影響；從色度座標和 EL 圖譜皆可看 重疊積分和元件外部量子效率(表 4-14)；X-SAB-Me 系列化合物有相同的 HOMO 值(5.1 eV)和能隙(2.8 eV)，且其 LUMO 值也都在 2.3 eV；比較表 4-14 內的數據可看出，雖然BpSAB-Me 的相對量子效率較 BpSAB 差，但是因為 BpSAB-Me 和 α-MADN 有較好的光譜重疊積分，這表示 BpSAB-Me 和 α-MADN 之間的能量轉移較 BpSAB 和 α-MADN 好，而此也反映在元件上，
Current density (mA/cm2)
CIEx
400 450 500 550 600
0.0
Normalized intensity (arb. units)
Wavelength (nm)
20 mA/cm2 450 mA/cm2
(a) (b)
BpSAB-Me@α-MADN 元件的外部量子效率較 BpSAB@α-MADN 的高；此 系列材料中，外部量子效率最高的為
p-TSAB-Me，從表 4-14 可知，
p-TSAB-Me 無論是相對量子效率或是相對重疊積分，皆比 BpSAB 高；但
是從表4-14 中，只可判斷出 X-SAB-Me 系列化合物的元件外部量子效率可 能比BpSAB 高，至於高出多少，卻沒辦法判斷。表4-14、X-SAB-Me 系列和 BpSAB 之相對量子效率、相對重疊積分和元件 外部量子效率比較
Dopant Relative quantum yield
Relative
overlap integral EQE (%)
BpSAB 1 1 4.1
BpSAB-Me 0.92 1.17 4.7
o-TSAB-Me 1.27 0.70 4.7
m-TSAB-Me 1.10 0.95 5.6
p-TSAB-Me 1.12 1.17 6.2
(2) BpSAB-Y 系列化合物
同樣地，我們將 BpSAB-Y 系列化合物和 BpSAB 之相對量子效率、相
對重疊積分和元件外部量子效率的數據整理於表 4-15；此表中顯示，這四
個氮上以4-biphenyl 為取代的化合物，其相對量子效率以 stilbene 的 2 號位 置接甲基的 BpSAB-Me 為最低，而接苯基和接甲氧基的 BpSAB-Ph 和 BpSAB-OMe 則與 BpSAB 相當；由於此 BpSAB-Y 系列和 BpSAB 的相對量
子效率值接近，所以元件的外部量子效率的大小就取決於摻雜物和主發光 體間的能量轉移，表 4-15 中，相對重疊積分的大小順序為 BpSAB-OMe >
BpSAB-Ph > BpSAB-Me > BpSAB，和元件的外部量子效率大小順序相同。
表 4-15、BpSAB-Y 系列和 BpSAB 之相對量子效率、相對重疊積分和元件 外部量子效率比較
Dopant Relative quantum yield
Relative
overlap integral EQE (%)
BpSAB 1 1 4.1
BpSAB-Me 0.92 1.17 4.7
BpSAB-OMe 0.99 1.43 5.8
BpSAB-Ph 1.03 1.33 4.9
4.9 參考文獻
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