101-3-四技二專-電機電子群資電類專一試題
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(2) 101-3 電機與電子群. 9. 如圖(六)所示電路，則流經電阻 4 Ω 的電流 I 為何？ (A) 8 A (B) 4 A (C) 3 A (D) 2 A. 專業科目（一）. 圖(六). 10. 如圖(七)所示電路，試求 a、b 兩端之間的諾頓等效電流 I 為何？ (A) 3 A (B) 4 A (C) 6 A (D) 10 A. 圖(七). 11. 如圖(八)所示電路，試求電路中電阻 R 可獲得的最大功率為何？ (A) 120 W (B) 96 W (C) 64 W (D) 32 W 12. 有關電容與靜電之敘述，下列何者錯誤？ (A) 電容器標示 223 J，是表示此電容量為 0.022μF ± 5%. 圖(八). (B) 在金屬帶電球體中，內部電場為零 (C) 平行板電容器，電通密度為 D 庫倫/平方公尺，板間相對介質常數為 ε r ，則此電場每單位體積所儲 存之能量為. 1 D2 2 ε 0ε r. (D) 兩電荷間所受之力，稱為電場強度 13. 有電容器 C1 、 C 2 兩個，已知電容器規格 C1 = 3 μF 、耐壓 500 V； C 2 = 6 μF 、耐壓 200 V。若將 C1 和 C 2 以串聯方式連接，則其耐壓變為多少伏特？ (A) 200 V (B) 400 V. (C) 600 V. (D) 300 V. 14. 下列敘述何者正確？ (A) 在你面前有一自左向右的磁場，磁場中一導線其電流向你而來，則此導線受磁場的作用，使其運動 的方向為向下 (B) 佛來銘電動機原理中的三要素所指的方向是：導線的移動方向、磁場方向和導線端電壓的方向 (C) 高斯/平方公分是磁通密度的單位 (D) 根據法拉第定律，若通過一線圈的磁通量不變時，則此線圈的兩個端點所量到的電壓值為零且不變 15. 如圖(九)所示電路，則 a、b 兩端的總電感量為何？ (A) 26 H (B) 10 H (C) 6.4 H (D) 2.5 H 16. 如圖(十)所示電路，開關 SW 打開且電路已達穩態，若 t = 0 時， 將開關 SW 閉合，且閉合瞬間電容電壓為 v C (0) 、瞬間電感電 流為 i L (0) ，則下列選項何者正確？ (A) v C (0) = 10 V (B) i L (0) = 0 A (C) i L (0) = 10 mA (D) v C (0) = 0 V. 圖(九). 圖(十). 第 2 頁. 共7頁.
(3) 101-3 電機與電子群. 專業科目（一）. 17. 如圖(十一)所示電路，則下列選項敘述何者錯誤？ (A) 若開關在 t = 0 時轉至 1，則電容器充電儲能過程中， 其電流 i c 為 (1 − e −1000 t ) A. (B) 若開關在 t = 0 時轉至 1，則電容器充電儲能過程中， 其電壓 Vc 為 50(1 − e −1000 t ) V (C) 若開關在電路呈穩定狀態後，由 1 轉至 2，則此時電 容器之電流 i c 為 − 1 A (D) 若開關在 t = 10 ms 時，由 1 轉至 2，則在 t = 11 ms 時 之電容器上電壓為 18.4 V. 圖(十一). 18. 有一電流信號 i( t ) = 5 + 3 2 sin(ωt + 30°) + 2 sin(3ωt − 60°) A ，則其電流有效值為何？ (A) 2 A (C) 6 A. (B) 18 A (D) 10 2 A. 19. 有兩個交流信號分別為 v( t ) = 60 sin(100 t + 30°) 和 i( t ) = 40 cos(100 t − 30°) ，則有關兩個交流信號之相位關 係，下列敘述何者正確？ (A) v 超前 i 30° (C) v 超前 i 60°. (B) v 滯後 i 30° (D) v 滯後 i 60°. 20. 如圖(十二)所示電路，則下列敘述何者錯誤？ (A) 電流 I = 40 A (B) 電路總阻抗 Z = 5 Ω (C) 電阻之壓降為 120 V (D) 電壓落後電流 53.1°. 圖(十二). 21. 如圖(十三)所示電路，試求電感值 L 約為多少？ (A) 20 mH (B) 40 mH (C) 80 mH (D) 160 mH. 圖(十三). 22. 如圖(十四)所示電路，試求電流 I 為多少？ (A) 10∠37°A (B) 12∠45°A (C) 16∠ − 37°A (D) 20∠37°A. 圖(十四). 23. 某 RL 並聯電路中，當電源頻率為 60 Hz 時，此並聯電路之總阻抗為 30 + j60 Ω ，若電源頻率變為 120 Hz 時，則此時並聯電路之總阻抗為何？ (A) 150 + j150 (C) 75 + j150. (B) 150 + j75 (D) 75 + j75. 24. 如圖(十五)所示電路，試求電感器 L 所消耗的虛功率為何？ (A) 125 VAR (B) 216 VAR (C) 354 VAR (D) 433 VAR. 共7頁. 第 3 頁. 圖(十五).
(4) 101-3 電機與電子群. 25. 如圖(十六)所示電路，試求此電路之功率因數為何？ (A) 0.6 超前 (B) 0.8 超前 (C) 0.6 落後 (D) 0.8 落後. 專業科目（一）. 圖(十六). 第二部份：電子學 26. 下列敘述何者錯誤？ (A) CMOS 四個英文縮寫字母的涵意中，M 是指「記憶體」之意 (B) MSI 是指晶片內部元件在 102 個至 103 個之間 (C) 方波是由基本波與奇次諧波所組合而成 (D) 電子伏特是能量的單位 27. 下列敘述何者正確？ (A) 當二極體於逆向偏壓時，空乏區會變寬，障壁電位會減少 (B) 發光二極體 LED 是屬於冷性發光，主要由摻雜材料來決定發光的顏色 (C) 在溫度 27°C 時，鍺半導體的能隙約為 1.12 eV (D) 紫外線的波長比紫色光長 28. 如圖(十七)所示電路，假設稽納二極體之 Vz = 15 V ， rz = 0 Ω ， I ZK = 7.5 mA ， 則稽納二極體能適當工作在崩潰區的最小負載電阻 R L 為何？ (A) (B) (C) (D). 240 Ω 200 Ω 120 Ω 500 Ω. 圖(十七). 29. 假設輸入信號 Vs 為 10 sin 377 t V ，且 D1 、 D 2 為理想二極體，下列何種電路可得到 − 20 V 之電壓輸出？ (A). (B). (C). (D). 30. 如圖(十八)所示電路，假設 Vi ( t ) = 4 + 10 sin 3770t V ，且 D 為理想二極體， 則輸出電壓 Vo 為何？ (A) − 6 + 10 sin 3770t V (B) 5 + 10 sin 3770t V 圖(十八) (C) 11+ 10 sin 3770 t V (D) 15 + 10 sin 3770t V 31. 如圖(十九)所示電路，假設 Vi ( t ) = 110 sin 377 t V ， L1 與 L 2 的匝數 相同， D1 、 D 2 為理想二極體，試求 Vo 之平均電壓約為多少？ (A) (B) (C) (D). 55 V 35 V 17 V 8V. 圖(十九). 第 4 頁. 共7頁.
(5) 101-3 電機與電子群. 專業科目（一）. 32. 有關雙極性接面電晶體 BJT 特性之敘述，下列何者錯誤？ (A) 雙極性接面電晶體是一種電流控制元件 (B) PNP 型電晶體工作於飽和區時，其基射極電壓 VBE < 0 ，基集極電壓 VBC < 0 (C) NPN 電晶體工作在主動區模式下，E、B、C 三端點之電壓大小關係為 VC > VB > VE (D) 電晶體在共基極組態工作時，射極當輸入端，基極當輸出端. 33. 雙極性電晶體 BJT 之基極電流 I B 由 15 μA 增至 115 μA 時，集極電流 IC 由 1 mA 增至 7 mA，試求此電晶 體之 β = ？ (A) 30. (B) 40. (C) 50. (D) 60. 34. 如圖(二十)所示電路，假設電晶體工作於主動區， β = 99 ，且 VEB = 0.7 V ，試求集極電流 I C 約為何？ (A) (B) (C) (D). 0.5 mA 1.3 mA 1.7 mA 2.7 mA. 圖(二十). 35. 如圖(二十一)所示電路，假設電晶體 β = 5 ， VBE = 0.5 V ， VC = 5 V ， 試求電阻 R = ？ (A) 5.4 kΩ (B) 3.6 kΩ (C) 2.4 kΩ (D) 1.8 kΩ 圖(二十一). 36. 如圖(二十二)所示電路，假設電晶體之 β = 120 ，射極交流電阻 V re = 10 Ω ，則電壓增益 o 約為何？ Vi (A) (B) (C) (D). 1 120 198 240. 圖(二十二). 37. 如圖(二十三)所示電路，假設電晶體 β = 100 ，熱當電壓 VT 為 26 mV， VBE = 0.7 V ，則輸入阻抗 R i 約為何？ (A) (B) (C) (D). 4 kΩ 828 Ω 754 Ω 686 Ω 圖(二十三). 共7頁. 第 5 頁.
(6) 101-3 電機與電子群. 專業科目（一）. 38. 如圖(二十四)所示電路，假設電晶體 β = 199 ， VBE = 0.7 V ， 熱當電壓 VT 為 26 mV，則將電晶體用小信號模型代入後之交流 V 電壓增益 o 約為何？ Vi (A) (B) (C) (D). 0.61 0.72 0.83 0.94. 圖(二十四). 39. 有關放大器特性之敘述，下列何者正確？ (A) 變壓器耦合放大器效率高，且容易以積體電路實現，但頻率響應不佳 (B) 積體電路內之串級方式是採用直接耦合 (C) 射極隨耦器是屬於共基極放大電路組態，電壓增益略低於 1 (D) 達靈頓電路的特性是低輸入阻抗和高輸出阻抗 40. 如圖(二十五)所示為變壓器耦合串級放大電路， 則此電路之總電壓增益為何？ (A) 80 dB (B) 100 dB (C) 120 dB 圖(二十五) (D) 160 dB 41. 五個完全相同規格的喇叭同時發出聲響時，其音量會比單獨一個喇叭發出聲響時，高出約多少分貝 dB？(計算時可參考底下的對數表) log2 log3 log4 log5 log6 log8 log9 log10 0.301 0.477 0.602 0.699 0.778 0.903 0.954 1 (A) 5 dB (B) 6 dB (C) 7 dB (D) 8 dB 42. 有關場效電晶體 FET 特性之敘述，下列何者正確？ (A) 當 (VGS − Vth ) < 0 ，且 VDS > (VGS − Vth ) 時，P 通道增強型 MOSFET 工作於定電流區 (B) 當 VGS = 0 時，N 通道空乏型 MOSFET 的 I D 電流最大 (C) 當 (VGS − VP ) < 0 ，且 VDS > (VGS − VP ) 時，N 通道 JFET 工作於定電流區 (D) 當 VGS < VP ，且 VDS > (VGS − VP ) 時，P 通道 JFET 工作於歐姆區 43. 如圖(二十六)所示電路，假設 MOSFET 之 K = 0.25m A/V2， 臨限電壓 Vth 為 1 V，試求汲極電壓 VD = ？ (A) (B) (C) (D). 6.4 V 7.4 V 8.4 V 9.4 V. 圖(二十六). 44. 金氧半場效電晶體 MOSFET 是以何種效應控制汲、源極間的電流？ (A) 磁場效應 (B) 電場效應 (C) 電流效應 (D) 光電效應 第 6 頁. 共7頁.
(7) 101-3 電機與電子群. 專業科目（一）. 45. 如圖(二十七)所示電路，假設 JFET 之 I DSS = 2.4 mA ， Vp = −6 V ， 且電流 I D = 0.6 mA ，試求電壓增益. (A) (B) (C) (D). Vo 約為何？ Vi. 0.6 1 .2 1 .6 2.4. 圖(二十七). 46. 如圖(二十八)所示電路，假設 MOSFET 之順向互導為 g m ，若沒加 b 與有加源極旁路電容 CS 時之電壓增益分別為 a、b，試求 = ？ a (A) g m × R D (B) 1 + g m × R S (C) 1 + g m × R D 1 (D) gm × RS. 圖(二十八). 47. 如圖(二十九)所示電路，假設 MOSFET 臨限電壓 Vth = 1 V ，電流 V I D = 0.6 mA ， rd 忽略不計，試求交流電壓增益 o 約為何？ Vi (A) (B) (C) (D). −4 − 3.6 − 2.4 − 1.2. 圖(二十九). 48. 如圖(三十)所示電路，假設 OPA 為理想運算放大器， V 試求電壓增益 o = ？ Vi (A) 2 (C) 4. (B) 3 (D) 6. 49. 如圖(三十一)所示電路，假設 OPA 為理想運算放大 器，若想要在不改變開關狀態之下，使輸出電壓變 為 − 9 V ，則只需將哪兩個電阻交換即可？ (A) (B) (C) (D). R、2R 4R、8R R、4R 2R、8R. 圖(三十一). 50. 如圖(三十二)所示電路，假設 OPA 為理想運算放大器， 輸出 Vo 為工作週期 10%的脈波，則 Vn 電壓應調整為何？ (A) (B) (C) (D). 0.8 V 0.7 V 0.6 V 0.9 V 圖(三十二). 共7頁. 第 7 頁. 圖(三十).
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