99-2 電機電子群電機類 專業科目（二） 共2 頁 第 1 頁
九十九學年四技二專第二次聯合模擬考試
電機電子群電機類 專業科目（二） 詳解
99-2-03-5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 C B A D A C D C C D A B D A B C A C D D 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 A B D A B B C B D D A D A D B D B D D A第一部份：電工機械
1. 切割磁場有效長度為 2 公尺 V 2 5 2 2 . 0 Blv e= = × × = 2. 通過線圈導體有效磁通量為： 磁通密度× = ×0.2 π=0.1π 08 . 0 2 . 0 2 線圈面積 π = × π × = Δ φ Δ = 12 4 1 30 1 1 . 0 1 t N e 伏特 3. A 導體流過電流與磁場垂直(a)、(b)均同 I B F= ×l× ，受力相同 A 導體於(a)、(b)兩圖中受力方向均向上(佛萊銘左手 定則)，(a)圖無轉矩產生，(b)圖有轉矩產生 4. 360 180 P m e = θ × θ ， 360 5 180 12 e = ° × θ ，θe=30° 5. 為過換向 6. 每秒有 20轉 60 1200 = ，每轉 20 1 秒， 50 組線圈→50片 換向片， 0.001秒 50 1 20 1 × = 7. 分流器與串激場並聯，分流器電阻調至最大時，串 激場流過電流為最大，所提供的磁通為最大 8. 直流機磁滯損指旋轉中的電樞鐵芯受主磁極感應， 在電樞鐵芯產生N、S 交互變換的磁通所造成的損失 轉速∝f ，Ph =KhfBn，W/kg n：史坦麥茲常數，故 180 P 1000 1200= h ，P 216W h = 9. 輸 出 與 內 阻 ( 電 樞 電 阻 + 串 激 場 電 阻 ) 成 反 比 ， A B 1 . 0 2 . 0 05 . 0 1 . 0 = + + ， A B 2 1 = ，A=120kW、B=60kW 負載超過180 kW 時，A 發電機會超過 120 kW 10. 100% 1.75% 200 14 . 0 200 5000 % 100 V R I p 2 2 2 × = × × = = % 2 % 100 200 16 . 0 200 5000 % 100 V X I q 2 2 2 × = × × = = % 6 . 2 6 . 0 % 2 8 . 0 % 75 . 1 sin q cos p θ+ θ= × + × = = ε 11. 增加同容量之變壓器一具，改為 Δ-Δ 接線時： kVA 4 . 63 kVA 2 3 ) 50 50 ( kVA 50 3× − + × = 12. (A) 0.7 70% 1000 490 P P m 1 sc oc = = = = (B) ) 250W 2 1 ( 1000× 2= (C) 無載功率因數： 098 . 0 10 500 490 I V P cos oc oc oc = × = × = θ 13. 固有容量 5kVA 240 kVA 30 ) 200 240 ( − × = =直接傳導容量=30kVA−5kVA=25kVA
14. 減極性V3=V1−V2，加極性V3=V1+V2
第二部份：電子學實習
16. Vdc=0.318Vm，Vrms=0.5Vm ∴ 0.636 V 5 . 0 V 318 . 0 V V m m rms dc = = 17. 溫度越高ÆVT越小 溫度越高ÆIO越大 18. (1) 箝位電路： A V 電壓範圍−4V~20V (2) 並聯截波電路： 3 V 以上截掉 所以Vo之範圍−4V~3V 19. (1) 並聯截波： V 5 − 以下截去 A V 電壓範圍10V~−5V (2) 串聯截波： 波形變為12V~−3V 且0 V 以上截去 所以示波器波形為0~−3V，因此VP-P =3V 20. (1) IB和VBE為共射極輸入特性曲線 (2) VCE電壓增加使IB減少 所以VCE1<VCE2 <VCE3 21. 0.086mA k 50 7 . 0 5 R V V I B BE BB B = − = − = ) sat ( C B C I 100 0.086 8.6mA I I =β = × = > mA 9 . 4 k 2 2 . 0 10 R V V I C ) sat ( CE CC ) sat ( C = − = − =99-2 電機電子群電機類 專業科目（二） 共2 頁 第 2 頁 所以IC=ICC(sat) =4.9mA(飽和狀態) 22. 100 k 2 k 2 100 h R h V V A ie C fe i o v= =− =− =− 5 . 37 ) 2 . 1 2 2 . 1 ( 100 V V V V A s i i o vs = ⋅ =− × + =− 23. (1) 直流部份 mA 1 . 0 k 6 7 . 0 3 . 1 R V E I BE B = − = − = mA 10 m 1 . 0 100 I IC=β B= × = V 6 2 . 0 m 10 8 R I V Vo= CC− C C= − × = (2) 交流部份 s o C V RR r 100 60.21 207 VV A =− = + × − = + β − = π ∴ 2 7 20 7 . 0 ) 7 20 ( V Vo= s× − = ×− =− (負代表相位) 因為沒電容隔離直流，且在[DC]模式下所測到是交 直流波形，∴V 之範圍為o 4V~8V 24. ( ) Z ) R // R ( ) R // R ( ) 1 )( 1 ( I I A i B B B B 2 1 i o I 2 1 2 1 × 電流分配 + β + β + = = k 3 k 12 k 3 M 12 ) M 6 // M 12 ( ) M 6 // M 12 ( ) 49 1 )( 99 1 ( + × + + + = 250 15 3 16 4 50 100× × × = = 25. (A) NPN 電晶體 (B) N 通道 JFET (C) P 通道空乏型 MOSFET (D) N 通道增強型 MOSFET 因為2 SK 30 A：N 通道 JFET，所以選(B) 26. (B) 輸出接腳接至 D 端後 3 5 . 2 5 . 7 1 5 . 1 1 5 5 . 1 R g 1 R g A 1 m D m v + × =− =− × − = + − = (負號表輸出入反相) 27. ) 2m 4 2 1 ( 4 8 2 ) V V 1 ( V I 2 g P GS P DSS m − = − − − × − = − − = 6 ) // 3 ( 2 ) r // R ( g V V A m D d i o v = =− =− ∞ =−
