國立交通大學
電子物理系碩士班
碩士論文
高分子安定藍相液晶性質之研究
Study on Polymer-Stabilized Blue Phase Liquid Crystal
研究生:李家圻
指導教授:趙如蘋 教授
高分子安定藍相液晶性質之研究
Study on Polymer-Stabilized Blue Phase Liquid Crystal
研 究 生:李家圻 Student: Chia-Chi Lee
指導教授:趙如頻 博士 Advisor: Dr. Ru-Pin Pan
國立交通大學
電子物理系碩士班
碩士論文
A Thesis
Submitted to Department of Electrophysics
College of Science
National Chiao Tung University
in Partial Fulfillment of the Requirements
for the Degree of Master of Science in
Electrophysics July 2010
Hsinchu, Taiwan, Republic of China
高分子安定藍相液晶性質之研究
學生:李家圻 指導教授:趙如蘋 博士
國立交通大學電子物理系碩士班
摘要
液晶的藍相介於各向同性及膽固醇相之間,溫度範圍約 1-2℃,因 此應用上較為困難。藉由加入高分子單體並進行光聚合作用後,可以 藉由高分子聚合物穩定液晶的藍相結構,大幅的增加藍相的溫度範 圍,稱為高分子安定藍相液晶。 本實驗中成功的配置並觀察到藍相液晶,並利用加入高分子單 體,及使用氙燈或410nm 波段之 LED 燈進行光聚合作用後,成功的增 加了所配置的藍相液晶的溫度範圍。反應時間的測量上也成功的看到 次毫秒的反應時間,並且發現以LED 進行光聚合的樣品總反應時間會 小於使用氙燈進行光聚合的樣品。在偏光顯微鏡下進行外加電壓實驗 時,發現樣品在外加大電壓時有發生結構受到改變的狀況。Study on Polymer-Stabilized Blue Phase
Liquid Crystal
Student: Chia-Chi Lee Advisor: Dr. Ru-Pin Pan
Department of Electrophysics
National Chiao Tung University
ABSTRACT
The Blue phase of liquid crystal is often observed in a very narrow temperature range (1~2℃) between cholesteric and isotropic phase. The temperature range can be expanded by polymerizing a mixture of monomer that could localized the at the disclination lines. This liquid crystal is called “polymer stabilized blue phase liquid crystal”.
In this work, the blue phase of liquid crystal has been mixed and observed. After the monomer is polymerized by Xenon arc lamp and 410nm LED, the temperature range of blue phase is successfully expanded. The response time of cell with blue phase liquid crystal is around sub-millisecond. The response time of polymer-stabilized blue phase liquid crystal which is polymerized by 410nm LED is shorter than by Xenon arc lamp. However, the structure of the blue phase observed by the cross polarizing microscope is changed when the strong voltage is applied.
致謝
兩年的碩士生活一轉眼就過去了,感謝趙如蘋老師對我在實驗方 面的諸多指導,對於實驗實事求是以及謹慎樂觀的態度,讓我受益良 多。 謝謝家任學長在實驗方法上給我的指導,並且對我多方照顧。謝 謝宗達學長給我實驗上的各種建議以及分析實驗的各種方法。謝謝孟 秋學姊及天昱學長及助理惟媜,和我分享了許多經驗。 謝謝韋達、正彬、呈暐學長,你們總是讓實驗室充滿了活力以及 歡樂的氣息,並且對我多方的照顧及幫忙;和韋達聊電腦相關問題和 相聲非常愉快;正彬人很好(遞出),很幽默!謝謝小白熊常常帶給我好 笑的肥皂劇。 謝謝中平、志昌、啟元,討論每天中餐要吃什麼真是辛苦了!和 你們在討論實驗及程式軟體的使用方面都讓我受益良多! 謝謝實驗室的學弟們,謝謝阿假(融 臻)幫忙我做了許多的實驗, 並在討論實驗方面讓我學到許多;耀德則是讓我見識到周邊視野的強 大,且凡事要自己來;國豪總是閃到讓大家眼睛都張不開來。 謝謝父母、親戚、爺爺,總是關心我並且給我許多人生上的建議 及經驗,讓我在家及嘉義時總是很輕鬆、愉快。目錄
摘要...I ABSTRACT ... II 致謝...III 目錄...IV 圖目錄...V 表目錄... VII 第一章 緒論...1 1-1 前言 ...11-2 藍相液晶(Blue Phase Liquid Crystal)簡介 ...2
1-2-1 何謂藍相8,9...2
1-2-2 單螺旋及雙螺旋圓柱(Simple twist & Double twist Cylinder) ...3
1-2-3 藍相液晶結構...4 第二章 實驗原理及量測系統...5 2-1 高分子安定藍相液晶及克爾效應(Kerr effect) ...5 2-1-1 高分子安定藍相液晶的原理...5 2-1-2 高分子安定藍相液晶之克爾效應(Kerr effect)6,10...5 2-2 穿透光強度量測 ...6 2-2-1 量測原理 ...6 2-2-2 量測系統 ...9 2-3 反應時間量測系統及方法 ...9 2-4 偏光顯微鏡觀察及溫控系統 ...10 2-4-1 偏光顯微鏡觀察 ...10 2-4-2 偏光顯微鏡外加電壓測量穿透光強度之方法 ...11 2-4-3 溫控系統 ...11 第三章 實驗方法及量測系統...13 3-1 樣品製作及介紹 ...13 3-1-1 IPS(in-plane switching)樣品空盒介紹 ...13 3-1-2 IPS 樣品外加電場之克爾效應介紹 ...13 3-1-3 AP(anti-parallel)樣品空盒製作 ...14 3-1-4 混合液晶配製 ...16 3-1-5 製作液晶樣品 ...17 3-2 藍相液晶樣品製作結果 ...18 3-2-1 尋找藍相液晶 ...18 3-2-2 發現藍相(Blue Phase)液晶...20 3-3 照光系統及方法 ...21 3-3-1 氙燈照光系統 ...21
3-3-2 LED 燈照光系統 ...21 3-4 高分子安定藍相液晶樣品製作結果 ...22 3-4-1 加入單一高分子單體(RM-257)之樣品製作結果...22 3-4-2 加入高分子單體(RM-257+EHA)之樣品製作結果 ...23 3-4-3 高分子安定藍相液晶樣品之穿透光譜 ...24 第四章 實驗結果與分析...26 4-1 RM-257 作為 monomer 樣品之光電特性量測 ...26 4-1-1 氙燈照光樣品之光電特性量測結果 ...26 4-1-2 LED 照光樣品之光電特性量測結果 ...30 4-2 以 RM-257+EHA 作為 monomer 之樣品光電特性量測...31 4-2-1 氙燈照光樣品之光電特性量測結果 ...31 4-2-2 LED 燈照光樣品之光電特性量測結果 ...31 4-3 PSBP 樣品反應時間之綜合討論...32 第五章 結論與未來展望...35 參考資料...37
圖目錄
圖1-2-1 液晶之單螺旋排列(simple twist)示意圖 ...39 圖1-2-2 向列型液晶排列(Nematic)之示意圖 ...39 圖1-2-3 液晶之雙螺旋排列(Double twist)示意圖 ...39 圖1-2-4 雙螺旋圓柱示意圖 ...40圖1-2-5 BPI&BPII 之結構(圓柱為雙螺旋圓柱,Double twist cylinder)與 ....40
向錯線(disclination line,細橢圓柱部分)...40 圖2-1-1 Blue Phase 在外加大電場後產生之誘發雙折射示意圖 ...41 圖2-2-1 座標系定義參考圖 ...41 圖2-2-2 外加電壓測量穿透光強度之裝置示意圖 ...41 圖2-3-1 反應時間量測系統示意圖 ...42 圖2-3-2 反應時間量測結果示意圖 ...42 圖2-4-1 偏光顯微鏡量測裝置示意圖,樣品沿 z 軸方向旋轉 ...43 圖2-4-2 Filter1 之穿透率光譜...43 圖2-4-3 Filter2 之穿透率光譜...44 圖2-4-4 PI 膜(聚醯亞胺薄膜,Polyimide Film)之穿透率光譜 ...44 圖2-4-5 溫控系統示意圖 ...45 圖3-1-1 IPS 樣品示意圖(無表面配向)...45 圖3-1-2 IPS 樣品內部之 PSBP-LC 外加電場後之光學橢球示意圖...46 圖3-1-3 IPS23 樣品外加電壓之偏光顯微鏡圖。...46 圖3-2-1 R-811 重量百分濃度與 Pitch 之關係 ...47
圖3-2-2 7CB 外加 R-811 之灌入 AP 樣品之降溫過程相變圖...49 圖3-2-3 7CB 外加 R-811 之灌入 AP 樣品之降溫過程相變圖 (局部放大) 50 圖3-2-4 7CB 外加 R-811 之灌入 AP 樣品之降溫過程相變圖 (局部放大) 51 圖3-2-5 IPS2 樣品降溫偏光顯微鏡圖...52 圖3-2-6 IPS3 樣品降溫偏光顯微鏡圖...53 圖3-2-7 IPS4 樣品降溫偏光顯微鏡圖...53 圖3-2-8 IPS6 樣品降溫偏光顯微鏡圖...54 圖3-2-9 IPS7 樣品降溫偏光顯微鏡圖...54 圖3-3-1 氙燈光譜圖 ...55 圖3-3-2 氙燈照光系統示意圖 ...55 圖3-3-4 樣品照光之溫度變化之測量方法 ...56 圖3-3-5 感測器 UVX-36 之光譜靈敏度 ...57 圖3-3-6 LED 照光系統示意圖...57 圖3-3-7 410nm LED 之光譜圖...58 圖3-4-1 IPS14 樣品降溫偏光顯微鏡圖...59 圖3-4-2 IPS15 樣品降溫偏光顯微鏡圖...59 圖3-4-3 IPS26 樣品降溫偏光顯微鏡圖...60 圖3-4-4 IPS25 樣品降溫偏光顯微鏡圖...60 圖3-4-5 IPS19 樣品降溫偏光顯微鏡圖...61 圖3-4-6 IPS23 樣品降溫偏光顯微鏡圖...61 圖3-4-7 液晶編號為 com11 之穿透光譜(無加入 EHA)...62 圖3-4-8 液晶編號為 com13 之穿透光譜(加入 EHA)...63 圖4-1-1 IPS15 樣品溫度在 23~24℃之 V-I 圖及偏光顯微鏡圖 ...64 圖4-1-2 IPS15 樣品溫度在 26~27℃之 V-I 圖及偏光顯微鏡圖 ...65 圖4-1-3 IPS15 樣品外加大電壓之偏光顯微鏡說明圖...66 圖4-1-4 IPS15 樣品之...67 (a) 控溫在 23.5℃下,1kHz 及 20kHz 之 V-I 圖 ...67 (b) (a)圖外加電壓時之樣品溫度變化曲線圖...67 (c) 控溫在 26.4℃下,1kHz 及 20kHz 之 V-I 圖 ...67 (d) (c)圖外加電壓時之樣品溫度變化曲線圖...67 (e) 控溫在 28℃下,1kHz 及 20kHz 之 V-I 圖 ...67 (f) (e)圖外加電壓時之樣品溫度變化曲線圖...67 圖4-1-5 控溫在 23.5℃,外加電壓頻率為 1kHz 方波時之 V-I 圖及偏光顯微 鏡圖...68 圖4-1-6 控溫在 23.5℃,外加電壓頻率為 20kHz 方波時之 V-I 圖及偏光顯 微鏡圖...69 圖4-1-7 控溫在 26.4℃,外加電壓頻率為 1kHz 方波時之 V-I 圖及偏光顯微 鏡圖...70
圖4-1-8 控溫在 26.4℃,外加電壓頻率為 20kHz 方波時之 V-I 圖及偏光顯 微鏡圖...71 圖4-1-9 控溫在 28℃,外加電壓頻率為 1kHz 方波時之 V-I 圖及偏光顯微鏡 圖...72 圖4-1-10 控溫在 28℃,外加電壓頻率為 20kHz 方波時之 V-I 圖及偏光顯微 鏡圖...73 圖4-1-11 IPS15 樣品外加電壓為 20kHz 之 V-T 圖...74 圖4-1-12 IPS15 樣品之反應時間測量...74 圖4-1-13 IPS26 樣品外加電壓為 20kHz 之 V-T 圖...75 圖4-1-14 IPS26 樣品之反應時間測量...75 圖4-2-1 IPS19 樣品外加電壓為 20kHz 之 V-T 圖...76 圖4-2-2 IPS19 樣品之反應時間測量...76 圖4-2-3 IPS23 樣品外加電壓為 20kHz 之 V-T 圖...77 圖4-3-1 IPS15、IPS26(RM-257),IPS19、IPS23(RM-257+EHA)樣品之 Rise time ...78 圖4-3-2 IPS15、IPS26(RM-257),IPS19、IPS23(RM-257+EHA)樣品之 Fall time ...78 圖4-3-3 IPS15、IPS26(RM-257),IPS19、IPS23(RM-257+EHA)樣品之總反 應時間...79
表目錄
表3-1-1 樣品名稱與購買公司 ...16 表3-2-2 Blue Phase 樣品之混合液晶比例(wt%) ...20 表3-2-3 IPS6、IPS7 樣品之降溫速率表...20 表3-4-1 PSBP 樣品之混合液晶比例(wt%) ...22 表3-4-2 PSBP 樣品照光條件 ...22 表3-4-3 PSBP 樣品之混合液晶比例(wt%) ...23 表3-4-4 PSBP 樣品照光條件 ...23 表4-1-1 IPS15 樣品之反應時間測量...29 表4-1-2 IPS26 樣品之反應時間測量...30 表4-2-1 IPS19 樣品之反應時間測量...31 表4-2-2 IPS26 樣品之反應時間測量...32表4-3-1 IPS15、IPS26、IPS19、IPS23 樣品之 Rise time ...33
表4-3-2 IPS15、IPS26、IPS19、IPS23 樣品之 Fall time...33
表4-3-3 IPS15、IPS26、IPS19、IPS23 樣品之總反應時間 ...33
第一章 緒論
1-1
前言
近年來液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)蓬勃發展,已經 漸漸的取代的傳統的陰極射線管(cathode ray tube,CRT)顯示器,成
為市場上的主流。目前TFT-LCD(thin film transistor-base liquid crystal
display,薄膜電晶體液晶顯示器)已經廣泛的用在大型電視、桌上型 顯示器、筆記型電腦以及手機上。一般液晶顯示器發展的方向有對 比度(contrast ratio)的改善;可視角(viewing angle)的改良,即廣視角
技術(wide-view technologies),如 in-plane switching (IPS)1、fringe-field
switching (FFS)2,3等等。最後為反應時間的縮短,目前的液晶顯示器
反應時間(Response time)約為毫秒(millisecond)等級,假如反應時間過 大則會產生影像殘留的問題。
高分子安定藍相液晶(polymer-stabilized blue phase liquid
crystal,PSBP-LC)在 2002 年由九州大學的菊池教授提出4,不同於
傳統的藍相(Blue Phase)液晶的極窄溫度範圍(約 1K),利用高分子聚
合物穩定藍相液晶,使得藍相液晶的範圍大於60K,因此讓藍相液
晶成為了大家注目的焦點。PSBP-LC 的特點為不需要表面配向
高分子安定藍相液晶雖然有著如此多的優點,不過到目前為止卻 面臨到一個主要的問題:驅動電壓過大。因此如何降低趨動電壓為目 前的主要研究方向6,7。 本論文第一章後半先簡單的介紹 Blue Phase,第二章介紹高分子安 定藍相液晶的製作原理,受外加電場後之克爾效應(Kerr effect),以及 實驗系統架設及實驗方法。第三章介紹樣品製作方法,以及藍相液晶 及高分子安定藍相液晶之製作結果。第四章為高分子安定藍相液晶之 V-I 曲線圖以及反應時間測量結果。第五章為結論以及未來發展。
1-2 藍相液晶(Blue Phase Liquid Crystal)簡介
1-2-1 何謂藍相
8,9液晶(Liquid Crystal)中的藍相(Blue Phase)存在於自旋螺距(Pitch) 小於 1μm 的膽固醇相(Cholesteric Phase)或手性向列相(Chiral Nematic Phase)與各向同性相(Isotropic Phase)之間,且一般來說藍相液晶具有 以下特性:
1. 溫度範圍較窄(約 1K)。
2. 光學上各向同性(Optical isotropic)。
3. 隨著溫度增加分別具有 BPI(Blue Phase I)、BPII(Blue Phase II)、 BPIII(Blue Phase III)三種相。
4. BPI 為體心立方(Body-center cubic)對稱結構,BPII 為簡單立方 (Simple cubic)對稱結構,BPIII 為各向同性(Isotropic)對稱結構。
5. BPI 及 BPII 之單位晶格約為 200-300nm,並在紫外光及可見光 波段有布拉格繞射。
1-2-2 單螺旋及雙螺旋圓柱(Simple twist & Double
twist Cylinder)
前面提到了藍相介於手性向列相及各方同性相之間,接下來介 紹手性向列相的結構。如圖1-2-1,手性向列相之液晶分子呈現單螺 旋結構,這是在自然界中常見的分子排列方式。一般來說具有螺旋 結構的液晶態可能是由手性分子(Chiral molecular)或是在向列型液 晶(圖 1-2-2)中加入手性添加物(Chiral dopant),使得棒狀的液晶分子 傾向延著單一長軸扭轉排列,而非向列型液晶的平行排列。這種情 形下,由單一長軸所構成的分子扭轉結構稱為單螺旋,棒狀的液晶 分子排列方向與螺旋軸垂直。 當膽固醇液晶之螺距小於 1μm 時,其螺旋特性在非常強的情形 下,液晶分子不只是沿著單一長軸旋轉,而是在兩個垂直方向的軸 都發生旋轉,此時之結構稱為雙螺旋,如圖1-2-3。 完整的雙螺旋結構只在結構的中心及其周圍存在,當分子遠離 中心時雙螺旋的效應會減弱。此結構在空間中能夠穩定存在的區域 即為雙螺旋圓柱(Double Twist Cylinder),如圖 1-2-4。雙螺旋結構無法在整個空間中無限延伸,如同前面所提,雙螺旋在遠離中心結構 時效應會減弱,因此雙螺旋圓柱有其邊界存在,分子超過其邊界時 則並非穩定排列。而這種雙螺旋圓柱即為藍相液晶構成的基本要件。
1-2-3 藍相液晶結構
如 1-2-1 小節所提到藍相分為 BPI、BPII、及 BPIII。BPI 及 BPII
的結構如圖1-2-5 所示,BPI 及 BPII 單位晶格的結構分別為體心立方
對稱及簡單立方對稱結構,由雙螺旋圓柱互相推疊而成,在空間中 的缺陷(disclination)是由液晶分子排列不完全而產生。藍相液晶的光 學上各向同性的性質就是因為這種立方對稱的結構在空間中週期性 排列而產生的。
第二章 實驗原理及量測系統
2-1 高分子安定藍相液晶及克爾效應(Kerr effect)
2-1-1 高分子安定藍相液晶的原理
高分子安定藍相液晶(Polymer-Stabilized Blue Phase Liquid
Crystal,簡稱為 PSBP-LC)是一種增加藍相液晶溫度範圍的方式,於 2002 年由九州大學的菊池(Kikuchi)教授提出,並且成功的用這種方 式將藍相的溫度範圍由傳統的1K 增加到 60K。 Kikuchi 教授等人將微量的高分子單體加入液晶中,在液晶態為 藍相時照光讓高分子單體進行光聚合作用鍵結成為高分子聚合物, 他們認為照光後的高分子聚合物會延著藍相液晶內的缺陷 (disclination)進行鍵結,而達成固定藍相液晶結構之效果4。不過目 前尚未有實驗能證明這一點,且在SEM 下也無法明顯看出高分子聚 合物只在缺陷處進行鍵結11。
2-1-2 高分子安定藍相液晶之克爾效應(Kerr effect)
6,10 沒有外加電場時,高分子安定藍相液晶的體心對稱結構造成光 學上各向同性,但是當外加一個很強的電場時,會出現誘發雙折射 (induced birefringence)的特性而造成各向異性(anisotropic)。這種誘發 雙折性的物理機制被認為是外加電場造成雙螺旋圓柱內的液晶分子重新改變排列方向的結果,但是詳細的物理機制目前尚為完全了解。 藍相液晶這種由各向同性轉變成為各向異性的特性可用克爾效 應(Kerr effect)來描述。當電場為零時,藍相液晶呈現光學上各向同 性;當施加一個很強的外加電場時,將會誘發雙折射的特性且折射 橢球(refractive ellipsoid)的光軸與電場向量 E 的方向一致,如圖 2-1-1。這種誘發雙折射(Δninduced)可以由以下公式來表示
(
)
2 s o induced 2 inducedE
E
n
KE
n
⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
Δ
=
=
Δ
λ
(2-1-1)其中λ為波長,K 為克爾常數(Kerr constant),(Δninduced)o為最大之誘
發雙折射,當外加電場時,Δninduced之值會飽和到 (Δninduced)o。 為了避免高分子網狀聚合物(polymer network)被破壞,高分子安 定藍相液晶之外加電壓E 須小於(E<Es)。
2-2 穿透光強度量測
2-2-1 量測原理
下面會用到瓊斯矩陣(Jones matrix)表示光電場穿過液晶樣品時 的相位延遲。 先定義起偏器(Polarizer)的偏振方向為圖 2-2-1 中 x-y 座標系的 x 軸方向,液晶分子之光軸與起偏器夾了θ 角,所以我們在液晶光軸 的方向定義新的座標系x’-y’。穿過起偏器的光電場偏振方向以瓊斯向量(Jones vector)表示為 xy y x p
E
E
E
E
⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
=
⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
=
0
1
0 (2-2-1) 接著將電場之偏振方向由x-y 座標轉換到 x’-y’座標,並加入轉移矩 陣R:⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
−
=
θ
θ
θ
θ
cos
sin
sin
cos
R
(2-2-2)⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
−
=
=
0
1
cos
sin
sin
cos
0 'θ
θ
θ
θ
E
RE
E
P p (2-2-3) y' x' 0 ' p -sin cos E E ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ = ⇒θ
θ
(2-2-4) 電場分量通過液晶分子後的相位延遲為:(
n
//=
n
、
en
⊥=
n
0)
⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
−
⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
=
⇒
⊥θ
θ
sin
cos
0
0
// 0 ' kd in kd in LCe
e
E
E
(2-2-5)⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
−
=
⊥θ
θ
sin
cos
// 0 in kd kd ine
e
E
(2-2-6) 再將E
LC' 由 x’-y’座標系轉換回 x-y 座標系⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
−
⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
−
=
=
⊥ −θ
θ
θ
θ
θ
θ
sin
cos
cos
sin
sin
cos
// ' 1 kd in kd in LC LCe
e
E
E
R
E
(2-2-7) xy kd in kd in 2 kd in 2 kd in 0 cos sin e -cos sin e sin e cos e E // // ⎟⎟ ⎠ ⎞ ⎜⎜ ⎝ ⎛ + = ⊥ ⊥θ
θ
θ
θ
θ
θ
(2-2-8) 接著通過檢偏器(analyzer,偏振方向與起偏器垂直)後的電場分量為 ⎟⎟ ⎞ ⎜⎜ ⎛ + ⎟⎟ ⎞ ⎜⎜ ⎛ = ⊥θ
θ
θ
θ
θ
θ
e sin cos e 0 0 E E 2 kd in 2 kd in 0 A // (2-2-9)xy kd
in kd
in
0 e sin cos -e sin cos
0 E // ⎟⎟ ⎠ ⎞ ⎜⎜ ⎝ ⎛ = ⊥
θ
θ
θ
θ
(2-2-10) 最後只剩Y 方向偏振的電場到達光檢器(Photo Detector):(
e sin cos -e sin cos)
yˆE E in kd in kd 0 A //
θ
θ
⊥θ
θ
= K (2-2-11) yˆ e -e cos sin e E 2kd n i -kd 2 n i kd n i 0 ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ =θ
θ
Δ Δ (2-2-11) yˆ 2 nkd 2isin cos sin e E inkd 0 ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ Δ =θ
θ
(2-2-12) yˆ 2 nkd isin sin2 e E inkd 0 ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ Δ × × =θ
(2-2-13) 2 n n n = // + ⊥ ⊥=
Δ
n
n
//-
n
因此光檢器所接收到的光強度為( )
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛ Γ
=
=
2
sin
2
sin
I
E
I
2 2 0 2 Aθ
K(2-2-14)
Γ(向位延遲)nkd
n
2
d
λ
π
Δ
=
Δ
=
由於我們實驗中所使用的PSBP
樣品,外加電壓後因為克爾效應所產生的Δ
n
為電場誘發雙折射(electric-field induced birefringence)
,表示為
Δ
n
induced=
λ
KE
2,故光強度改為⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛ Δ
=
λ
π
θ
2 induced 2 0n
d
)sin
(2
sin
I
I
(2-2-15)
若將液晶光軸方向與起偏器之夾角為45
°,sin(2θ)=1
,則可將(2-2-15)
改為
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛ Δ
=
λ
π
induced 2 0n
d
sin
I
I
(2-2-16)
2-2-2 量測系統
量測穿透光強度的系統架設如圖
2-2-2
,兩片偏振片分別與水平 夾+45
°以及-45
°,將樣品外加電場的方向與水平面垂直,則PSBP
樣品夾在垂直偏振片之間且Δn
induced與偏振片夾45
°角,則穿透光強 度即符合公式(2-2-16)
。2-3 反應時間量測系統及方法
我們量測反映時間的系統如圖
2-3-1
,基本架設如同加電壓測量 穿透光強度之系統,但在這個實驗中將光偵測器的訊號傳到示波器(Oscilloscope)
,並同時將訊號產生器(Function Generator)
的訊號也傳送到示波器,之後將訊號由
GPIB
擷取至電腦。實驗中所使用的波形為方波
(Square)
將數據分析後所得到的結果如圖
2-3-2
,將樣品外加電壓後穿透光強度由
10%
上升至90%
的時間定義為Rise time
,關閉外加電壓後樣品穿透光強度由
90%
下降至10%
的時間定義為Fall time
。總反應2-4 偏光顯微鏡觀察及溫控系統
2-4-1 偏光顯微鏡觀察
1.
裝置示意圖如圖2-4-1
。將製作完成的樣品放置於偏光顯微鏡下, 令偏光顯微鏡上下兩片偏振片互相垂直(Cross polarizer)
,下方裝 濾光片(Filter)
,此處使用Filter1
,此濾波片之穿透率光譜如圖2-4-2
;在量側偏光顯微鏡外加電壓穿透光強度時所使用的濾光片 為Filter2
,其穿透光譜如圖2-4-3
,。若是拍攝未照光樣品之偏 光顯微鏡照片時,會在Filter1
上額外加一層隔絕UV
光之PI
膜(
聚 醯亞胺薄膜,Polyimide Film)
,以避免樣品因顯微鏡光源進行光 聚合反應,PI
膜之穿透率光譜如圖2-4-4
。2.
樣品沿著z
軸方向旋轉,θ
為IPS
樣品之外加電場方向與下方偏 振片偏振方向之夾角。3.
利用CCD
及影像擷取卡記錄下影像。4.
偏光顯微鏡中可更動的參數中最主要的為CCD
之曝光時間,由於
Blue Phase
為光學上各向同性(optically isotropic)
,在上下偏振片互相垂直的形況下,較
Chiral nematic & Nematic & Sematic
態難以觀察
(
曝光時間1
秒)
,因此觀測Blue Phase
時需要加長曝光時間
(
曝光時間6
秒)
。2-4-2 偏光顯微鏡外加電壓測量穿透光強度之方法
1.
實驗裝置基本上同圖2-4-1
,但是將下方的Filter
改為使用Filter2
,Filter2
之透率光譜如圖2-4-3
。令θ=45°
,此時外加電壓 後樣品的穿透光強度即符合(2-2-16)
式。2.
將樣品外加電壓後的照片以CCD
紀錄下來。3.
將照片轉為灰階。4.
記算照片之平均亮度後紀錄,即可得到I
。5.
畫出V-I
曲線圖。 本實驗可以在外加電壓測量穿透光強度的同時紀錄溫度,並可以得 到樣品在偏光顯微鏡之照片。2-4-3 溫控系統
我們在拍攝偏光顯微鏡照片時所使用的溫控系統如圖
2-4-5
,由MK1(Instec, Temperature control, MK1 Version 2.52)
控制加熱平台(Hot Plate)
內之目標溫度;MK1
會自動測量溫度,假如目前的溫度小於目標溫度,則將加熱平台加熱,但是
MK1
只有升溫的功能,因此我們外加了
TEC
冷卻水循環系統,讓溫控系統增加降溫的功能。TEC
冷卻水循環系統由幫浦(Pump)
和3
組的TE cooler(TEC)
組水循環系統內灌入去離子水
(Deionized Water, DI water)
,並由幫 浦讓系統內之去離子水得以循環。TEC
外加電壓之後會形成冷端以 及熱端,將冷端那一面與水冷頭(Water Blocks)
相接,如此一來循環 水通過水冷頭時即可降溫;而熱端那一面貼上外加散熱片(Heatsink)
並且外加風扇(Fan)
將TEC
熱端產生的熱帶走,以免熱端的熱傳到冷 端而減低降溫效果。我們在實驗中記錄溫度時,由熱敏電阻貼在樣品上來記錄樣品 表面之電阻,並由電腦換算成溫度。這是由於
MK1
所記錄的溫度為 並非樣品上之實際溫度,因此使用熱敏電阻來記錄樣品表面的正確 溫度。第三章 實驗方法及量測系統
3-1 樣品製作及介紹
3-1-1 IPS(in-plane switching)樣品空盒介紹
IPS
樣品空盒為Instec
公司的IPS
樣品,如圖3-1-1
。基板為玻璃,沒有做表面處理;
ITO pattern
只鍍在下基版,電極區域為0.9×1.3cm
2;IPS
之電極間距為10μm
,電極寬度10μm
,樣品厚度(cell
gap)
為7.5μm
。3-1-2 IPS 樣品外加電場之克爾效應介紹
高分子安定藍相液晶在IPS
樣品內部外加電場之克爾效應如圖3-1-2
,在電極與電極間的電場最大,並由Δ
n
induced=
λ
KE
2 可知電場誘發雙折射的數值與電場平方成正比,因此在電極與電極 中之Δninduced值最大,當方向與垂直偏振片(Cross polarizer)
夾4
5°時為亮態;而電極上方之電場相對較低,因此Δninduced也相對較低,而
接近原本
PSBP-LC
之性質:光學上各向同性,在垂直偏振片下為暗態。偏光顯微鏡下之觀察結果可參考圖
3-1-3
。而無外加電場時則樣品內部之
PSBP-LC
全部為光學上各向同視角的優點,不會有暗態不暗的情形。因此可以利用此種方法來對
PSBP-LC
來做光學性質測量。3-1-3 AP(anti-parallel)樣品空盒製作
A. 清洗玻璃
1.
本實驗使用勝華科技提供的ITO
玻璃,厚度為1.1mm
,並將 所要使用的玻璃切割為20×25mm
。2.
將玻璃放入燒杯內,加入中性玻璃清潔劑,在加水蓋過玻璃, 將燒杯放入超音波震盪器中用超音波清洗5
分鐘。3.
用自來水將清潔劑沖洗乾淨。4.
將樣品放入另一空燒杯並加入丙酮(Acetone)
,將燒杯放入超音 波震盪器中用超音波震盪5
分鐘,之後將丙酮回收避免污染。5.
將樣品放入另一空燒杯並加入甲醇(Methanol)
,將燒杯放入超 音波震盪器中用超音波震盪5
分鐘,之後將甲醇回收避免污 染。6.
將樣品放入另一空燒杯並加入去離子水(DI Water)
,將燒杯放 入超音波震盪器中用超音波震盪5
分鐘 。7.
將樣品以去離子水沖洗,用氮氣吹乾後將樣品放到烤箱中將水 氣烤乾,冷卻備用 (清洗完成的玻璃必須在同一天內鍍上配向 劑,以免玻璃被污染,使配向劑無法附著) 。B. 磨刷配向基板之製作
1.
本實驗中使用之磨刷配向劑為Nisson -130B
。2.
將Nisson-130B
由冰箱取出,待其回到室溫再行使用。3.
將ITO
玻璃放在旋轉塗佈機(spin-coater)
上,用微量滴管取Nisson-130B
滴在ITO
玻璃的ITO
面上,旋轉分為兩步驟,條件為第一步驟
2000rpm(15 sec)
,第二步驟4000rpm(25 sec)
。4.
將玻璃取下平放於加熱平台上軟烤5
分鐘。5.
將軟烤後的玻璃放入170
℃的烤箱硬烤60
分鐘。6.
硬烤完成後,將玻璃取出後放入培養皿中冷卻備用。7.
將冷卻後之玻璃基板,放上磨刷機器(Rubbing Machine)
進行磨 刷,磨刷過程中平台的移動速度固定為210
,磨刷布旋轉速度 固定為900rpm
。8.
磨刷完成後紀錄磨刷方向備用C. AP 樣品空盒組裝
1.
將磨刷完成的基板以上下基板相互平行的方式夾合,中間以Mylar
作為間隔,本實驗所用之Mylar
厚度為6μm
。2.
將夾有Mylar
之區域以AB
膠封合,並留下兩個缺口以便灌入 液晶。3.
待AB
膠硬化後,將樣品空盒放置備用3-1-4 混合液晶配製
本篇論文中所使用的液晶、手性添加物(Chiral dopant)
、高分子 單體(monomer
,照光過後鍵結變成polymer
:高分子聚合物)
、光起 始劑(photoinitiator)
如表3-1-1
: 種類 名稱 常溫下(300k)
購買公司Liquid Crystal 5CB
液晶態Merck
Liquid Crystal 7CB
液晶態BDH
Liquid Crystal E7
液晶態Merck
Liquid Crystal MDA-00-3461
液晶態Merck
Chiral dopant
R-811(ZLI-3786)
粉末Merck
Chiral dopant
S-811(ZLI-811)
粉末Merck
Monomer RM-257
粉末Merck
Monomer EHA
液態Aldrich
photoinitiator DMPA
粉末Aldrich
表3-1-1 樣品名稱與購買公司
(EHA: 2-ethylhexyl acrylate, DMPA: 2,2-dimethoxy-2-phenyl
acetophenone)
調配混合液晶之順序如下1.
將濾紙放至電子天秤,歸零後將粉末放至濾紙上直到目標重量, 並記錄重量2.
將濾紙上的粉末放入棕色瓶3.
重複1
、2
步驟4.
將裝有粉末之棕色瓶放至電子天秤上後歸零,灌入液晶或液體後記錄重量
5.
重複步驟4
6.
若混合液晶內有加入monomer
或photoinitiator
,則在棕色瓶外額 外包覆一層鋁箔紙,以避免液晶受到光線影響7.
將調配好的混合液晶放到試管震盪混合器上,震盪直到粉末與液 晶完全混合8.
將混合液晶放到超音波震盪器上,調整至De-gas
模式將震盪完 後產生的氣泡消除9.
放入防潮箱備用3-1-5 製作液晶樣品
1.
將調配好之混合液晶加熱至各向同性(isotropic)
態,並同時將樣 品空盒加熱2.
將混合液晶灌入樣品空盒3.
用AB
膠將樣品缺口封起4.
若所灌之液晶有加入monomer
或photoinitiator
,則將樣品放入包 覆鋁箔紙之培養皿內;反之則放入普通培養皿5.
放入防潮箱備用3-2 藍相液晶樣品製作結果
本實驗中樣品編號開頭為
AP
的樣品代表此樣品使用實驗室自 製的水平配向樣品;樣品編號為IPS
開頭的樣品代表使用向Instec
公司所購買的IPS
樣品。實驗中的AP
樣品只有在尋找藍相液晶的實 驗中使用,後面的藍相液晶以及PSBP
樣品皆為使用無表面配向的IPS
樣品。3-2-1 尋找藍相液晶
圖
3-2-1
中列出當R-811
重量百分濃度對於自旋螺距(Pitch)
的關係,由
HTP(Helical Twist Power)=100/(P*C)
,以及R-811
之Typical
HTP range
為+8.1~+14.5(
右旋)
計算得出。C
為R-811
之重量百分濃度,
P
為自旋螺距(Pitch)
,表示Chiral Nematic
液晶旋轉360
度的距離。
由於
Blue Phase
會出現在Pitch
約為0.5μm
的Chiral Nematic
Phase
與Isotropic Phase
間14,因此我們以此作為參考將向列型液晶7CB
加入chiral dopant R-811
,液晶之混合比例參考表3-2-1
。首先我們將向列型液晶
7CB
加入不同重量百分比的R-811
(Chiral dopant)
,灌入AP
樣品,在偏光顯微鏡下觀察的結果如圖圖
3-2-2
之橫軸為混合液晶中R-811
之重量百分濃度(wt%)
,縱軸為溫度,可以大致看出
Isotropic
的溫度會隨著R-811
的濃度上升而下降。
圖
3-2-3
中可以看出在R-811
為24wt%
時,在降溫過程中可以明顯的發現
Chiral Nematic
的紋理(texture)
13;在圖3-2-4
中可以看出在R-811
為28.5%
時,可再降溫過程中發現Chiral Nematic
的紋理。於是我們將
24wt%R-811+7CB & 28.5%R-811+7CB
的混合液晶分別灌入無表面處裡的
IPS2
、IPS3
樣品中,觀察樣品降溫過程的偏光顯微鏡圖,結果如圖
3-2-5
、圖3-2-6
。圖
3-2-5
中發現IPS2
樣品從Isotropic
態降溫後直接出現SmecticA
之紋理。圖3-2-6
中發現IPS3
樣品在Isotropic
與Chiral
Nematic
中出現了一個不確定的態,其溫度範圍約2.6
℃,我們認為其紋理有些類似
Blue Phase
;在溫度低於Chiral Nematic
時則發現SmecticA*
的紋理。我們以相近比例的
S-811+7CB
灌入IPS4
樣品,所得到的降溫顯微鏡為圖
3-2-7
,與圖3-2-6
相類似,也約在2
℃的範圍內發現類似Blue Phase
的紋理;並且可以發現降溫速率越慢其類似Blue Phase
的3-2-2 發現藍相(Blue Phase)液晶
樣品編 號 混合液晶編 號 R-811 S-811 5CB MDA-00-3461 IPS6 Com5 O O O IPS7 Com6 O O O 表3-2-2 Blue Phase 樣品之混合液晶比例(wt%) 溫度區間 降溫速率(℃/min) 溫度區間 降溫速率(℃/min) 31.5~29℃ 0.02 31.5~30℃ 0.01 IPS6 29~17℃ 0.12 IPS7 30~19.5℃ 0.16 表3-2-3 IPS6、IPS7 樣品之降溫速率表
我們之後把
7CB
換成5CB
及MDA-00-3461
,並將所調配的混 合液晶灌入IPS
樣品,成功的在偏光顯微鏡底下看到藍相液晶漂亮 的小板紋理(platelet texture)
,如圖3-2-8
、圖3-2-9
。較為漂亮的小板 紋理溫度範圍為1
℃,並且也可以由表3-2-3
、圖3-2-8
及圖3-2-9
發 現降溫速率越慢,小板紋理的範圍也會越大。持續降溫後小板紋理 出現了一些變化,但是依然維持類似Blue Phase
的小板紋理超過 8℃以上,之後才出現
Chiral Nematic(N*) Phase
。由表
3-2-2
、圖3-2-8
及圖3-2-9
中也同樣可以發現不管Chiral
dopant
是使用右旋的R-811
或左旋的S-811
,只要濃度接近及所加入之液晶重量百分濃度接近,即可得到類似的結果,因此我們在高分
子安定藍相液晶
(PSBP-LC)
的實驗中將使用右旋的R-811
來做為主要3-3 照光系統及方法
在製作
PSBP
樣品時需要對樣品所加入的高分子單體進行光聚合,使其鍵結成為高分子聚合物後穩定 BP 的結構,這部份將介紹我們樣品的照 光系統及方法。
3-3-1 氙燈照光系統
第一部分使用的紫外光源為氙燈
(Newport xenon arc lamp, model
6269)
,其光譜為圖3-3-1
。照光系統如圖
3-3-2
,將樣品放在Sample
處用氙燈進行光聚合。圖中的
Liquid Filter
的用處為吸收紅外波段的光,Long wavelength
filter
及ITO
玻璃的用處為吸收低於300nm
的紫外光並降低照光強 度。空樣品照光之後的溫度變化如圖3-3-3
,測量溫度的方法如圖3-3-4
,以熱敏電阻的電阻值換算成溫度來記錄樣品表面的溫度變化。測量照光強度時使用
UVX Radiometer(UVP)
並接上感測器(UVX-36)
,將圖3-3-2
之樣品換成感測器。感測器之光譜靈敏度如圖3-3-5
,用以測量氙燈之紫外光光強度。3-3-2 LED 燈照光系統
第二部分使用的照光系統為
LED
燈照光系統,實驗裝置示意圖 如圖3-3-6
,用410nm
之LED
對樣品進行光聚合,LED
之光譜圖請3-3-7
時進行照光,也就是可以將樣品之溫度控制在
Blue Phase
時進行光聚合。照光時所使用的
Filter1
之穿透率光譜如圖3-3-2
,PI
膜之穿透率光譜如圖
3-3-4
。3-4 高分子安定藍相液晶樣品製作結果
3-4-1 加入單一高分子單體(RM-257)之樣品製作結果
樣品編號 混合液晶編號 R-811 5CB MDA-00-3461 RM257 EHA DMPA
IPS14 IPS15 IPS26 Com11 O O O O X O 表3-4-1 PSBP 樣品之混合液晶比例(wt%) 樣品編號 照光裝置 照光強度(mW/cm2,in 365nm) 照光時間 IPS14 無 無 無 IPS15 氙燈 10.9 20mins
IPS26 LED 燈 0.03 360mins
表3-4-2 PSBP 樣品照光條件
此節之高分子安定藍相液晶使用
RM-257
當作高分子單體、DMPA
為光起始劑,詳細之比例如表3-4-1
。表3-4-2
列出沒有照光的
IPS14
樣品,以氙燈進行光聚合的IPS15
、在Blue Phase
下以LED
燈進行光聚合的
IPS26
樣品的照光條件;圖3-4-1~
圖3-4-3
分別為IPS14
、IPS15
、IPS26
樣品的降溫偏光顯微鏡圖。圖
3-4-1
可以發現未照光前的樣品降溫時之Blue Phase
的範圍為Nematic Phase
共存的情形。由圖3-4-2
、圖3-4-3
中可以發現以氙燈或在
Blue Phase
下以LED
燈進行光聚合,其Blue Phase
的範圍皆超過了
10
℃,成功的增加了此混合液晶之Blue Phase
的範圍,且可以發現光聚合後之樣品其
Blue Phase
範圍皆涵蓋室溫,因此我們可以在室溫下進行
IPS15(
氙燈照光)
及IPS26(LED
燈照光)
樣品之光電性質測量。
3-4-2 加入高分子單體(RM-257+EHA)之樣品製作結果
樣品編號 混合液晶編號 R-811 E7 MDA-00-3461 RM257 EHA DMPA
IPS25 IPS19 IPS23 Com13 O O O O O O 表3-4-3 PSBP 樣品之混合液晶比例(wt%) 樣品編號 照光裝置 照光強度(mW/cm2,in 365nm) 照光時間 IPS25 無 無 無 IPS19 氙燈 12.80 20mins
IPS23 LED 燈 0.03 360mins
表3-4-4 PSBP 樣品照光條件
此部分使用了兩種不同的高分子單體:
RM-257 & EHA
,並將5CB
換成E7
,詳細之混合液晶比例如表3-4-3
。表3-4-4
列出沒有照光之
IPS25
樣品、以氙燈進行光聚合之IPS19
以及LED
燈進行光聚合之
IPS23
號樣品;圖3-4-4~
圖3-4-6
分別為IPS25
、IPS19
以及IPS23
圖
3-4-4
可以發現降溫過程中出現與圖3-2-5
、圖3-2-6
相同之類似
Blue Phase
紋理,且涵蓋的範圍達到17
℃以上,溫度低於18.3
℃時出現
Chiral Nematic Phase
。圖
3-4-5
為使用氙燈進行光聚合之樣品,可以發現偏光顯微鏡下所觀察到的結果與
Blue Phase
不太相同,有些類似Chiral Nematic
,其降溫時涵蓋之溫度範圍達
19
℃,且包含室溫。 圖3-4-6
為使用LED
燈照光之樣品,降溫時可以發現有兩種不 同的相態,較高溫時猜測為光聚合後之Blue Phase
,溫度範圍也達15
℃以上且包含室溫;溫度低於22.7
℃時則出現類次Chiral Nematic
的結果。3-4-3 高分子安定藍相液晶樣品之穿透光譜
圖
3-4-7
、圖3-4-8
為在本實驗中之PSBP
以及空的IPS
樣品之穿透光譜,
Reference
為空氣。在沒有灌入液晶的IPS Cell
中可以看到樣品有出現干涉條紋的狀況:灌入液晶後,可以發現樣品之干涉條 紋消失,應該是受到藍相液晶影響造成。
圖
3-4-7
中,IPS14
樣品之穿透光譜為將樣品升溫後降溫為Blue
Phase
後再進行測量,IPS15
、IPS26
號樣品則在室溫下進行測量。可以發現當樣品的穿透率在光波長為
450nm
以上時,與沒有灌入液晶穿透率除了沒有干涉條紋外,差異較小。
圖
3-4-8
中,IPS25
樣品之穿透光譜為將樣品升溫後降溫為Blue
Phase
後再進行測量,IPS19
、IPS23
號樣品則在室溫下進行測量。未照光的
IPS25
號樣品之穿透率也與空Cell
類似,而IPS19
及IPS26
樣品之穿透光譜有穿透率較低的情形,這兩個樣品在偏光顯微鏡下
的照片也與傳統的
Blue Phase texture
有所不同,其中又以IPS19
樣第四章 實驗結果與分析
4-1 RM-257 作為 monomer 樣品之光電特性量測
4-1-1 氙燈照光樣品之光電特性量測結果
第一部分將以使用單一高分子單體
RM257
的混合液晶(Com11)
,以氙燈進行光聚合之IPS15
樣品來進行實驗(
樣品製備條件 請參考表3-3-1
、表3-3-2)
。IPS15
樣品在溫度為23~24
℃時外加電壓 測量光強度所得到之V-I
圖及在偏光顯微鏡下所拍之照片如圖4-1-1
,外加1kHz
之方波。圖
4-1-1
中可以看出樣品外加電壓後樣品之穿透光強度無法恢 復成原本的暗態(
穿透光強度≒0)
;由偏光顯微鏡底下觀察可以發現PSBP-LC
的結構受到外加電壓影響而改變,變成類似Chiral Nematic
Phase
;因此雖然關閉外加電壓,但是改變後的結構會讓光線通過, 因此無法與原本光學上各向等性的BP
結構一樣,在垂直偏振片下為 暗態。此處值得一提的是遭到外加電壓改變後的結構加熱至isotropic
phase
並回溫之後,可以恢復成原本的PSBP-LC
結構。IPS15
樣品在室溫為26~27
℃時測量之V-I
圖及偏光顯微鏡之照 片如圖4-1-2
,外加1kHz
之方波。圖4-1-2
可以發現IPS15
樣品在此 溫度範圍時之V-I
曲線出現了外加電壓結束後,樣品可以恢復成暗 態;由偏光顯微鏡的照片可以看出在外加電壓時BP
的結構一樣產生變化,但是在降低外加電壓的同時,受外加電壓影響而被改變的部
分也漸漸的恢復成為
BP
的結構,我們推測是樣品在溫度較接近Isotropic Phase
時,排列結構較易維持Blue Phase
的原因所至。圖4-1-3
說明
PSBP-LC
之電極方向與Polarizer
平行時,外加電壓時,因克爾 效應產生之Δn
與電場平行,也與Analyzer
平行,因此在電極間距的 部分為暗態;而電極上之BP
結構遭受外加電壓影響而改變,因此呈 現亮態,。且IPS15
樣品受到外加電壓後被改變的排列結構可以將 樣品加溫至Isotropic
後回溫或者將樣品放在室溫下過幾天之後,樣 品也會恢復成遠本的排列狀態。第二部分直接將
IPS15
樣品放置在偏光顯微鏡下外加電壓,並 分別將樣品控溫在三種不同的溫度下進行實驗,外加頻率分別為1kHz
及20kHz
的方波,實驗結果如圖4-1-4-~
圖4-1-10
。圖
4-1-4
之(a)
、(c)
、(e)
分別為IPS15
號樣品控溫在23.5
℃、26.4
℃及
28
℃之V-I
曲線圖,橫軸為外加電壓(Vrms)
、縱軸為光強度大小; 而(b)
、(d)
、(f)
分別為外加電壓為(a)
、(c)
、(e)
時樣品表面之溫度之變 化圖,橫軸為時間(分鐘),縱軸為溫度(攝氏)。並且每種控溫條件 下都分別外加1kHz
及20kHz
的方波,並比較其中之差異。首先比較圖
4-1-4
之(b)
、(d)
、(f)
,可以發現在三種不同的控溫 情形之下皆可發現以下結果:(1)
當IPS15
樣品外加電壓頻率為1kHz
時,樣品表面的溫度隨外加電壓變化而上升,上升範圍
0.2
℃以內。(2)
當外加電壓之頻率為20kHz
時,樣品表面溫度卻會有顯著的上 昇,約為0.8
℃。(3)樣品表面溫度隨著外加電壓增大而上升,並隨 著外加電壓減小時而下降。 接著將三種不同溫度下的V-I
圖及時間-溫度曲線圖進行比較:(1)
樣品控溫在23.5
℃,比較圖4-1-4
之(a)
、(b)
圖,可以發現雖然外 加電壓頻率為20kHz
時樣品表面有明顯的溫度上升的情形,但是V-I
曲線圖的結果與1kHz
時沒有太大的差異,樣品IPS15
原本的Blue Phase
之結構都會在外加電壓後改變,無法恢復至原本之Blue Phase
,外加電壓過程之偏光顯微鏡照片請參照圖4-1-5
及圖4-1-6
。(2)
樣品控溫在26.4
℃,比較圖4-1-4
之(c)
、(d)
圖,可以發現在外加1kHz
之方波時,其結果與23.5
℃時相同;外加電壓為20kHz
時, 溫度表面溫度一樣出現上升的趨勢,但在穿透率變化部分與1kHz
時有顯著的不同,在外加電壓時穿透率在高電壓時出現震盪,且 當關閉外加電壓時樣品可以回到暗態,我們認為是IPS15
樣品在溫度接近
Isotropic
時,Blue Phase
的之雙螺旋結構較為穩定所造成。外加電壓過程之偏光顯微鏡照片請參照圖
4-1-7
及圖4-1-8
。之穿透光強度變化曲線來回較為重疊,且外加電壓後回復到無外 加電壓狀態時,樣品依然可以保持暗態,各外加電壓下之偏光顯
微鏡之照片如圖
4-1-9
;20kHz
時,樣品在外加電壓時溫度持續升高,穿透率的最大值出現在
55V
,之後穿透率則持續下降,外加電壓至
100V
後關閉外加電壓為止樣品皆呈現暗態,我們認為是樣品脫離
Blue Phase
即將相變至Isotropic
的結果;而當外加電壓下降時,隨著樣品溫度的下降,穿透光強度在外加電壓低於
60V
時有出現微小的上昇,如圖4-1-10
。第三部分在室溫為
26
℃下測量IPS15
樣品之V-T
圖及反應時 間,實驗中將He-Ne
雷射通過兩片平行偏振片的光強度定為穿透率100%
,外加20kHz
之方波,實驗結果分別為圖4-1-11
及圖4-1-12
。圖
4-1-11
之結果可由圖4-1-8
來解釋,樣品外加電壓後造成溫度 上升,使得樣品穿透光強度出現不穩定的狀況,且樣品升溫後較接近
Isotropic
,因此樣品較易維持Blue Phase
之結構,因此可以得到關閉外加電壓後穿透光強度接近
0
的結果,臨界電壓(threshold voltage)
為25V
。 反應時間(μs) 1st 2nd 3rd 平均 標準差 Rise time 639.7 600.2 559.9 599.9 39.9 Fall time 470.3 470.2 479.3 473.3 5.2 Total response time 1110.0 1070.4 1039.2 1073.2 35.5 表4-1-1 IPS15 樣品之反應時間測量,外加電壓100Vrms,20kHz 方波,室溫 26℃
表
4-1-1
中列出IPS15
之反應時間,可以發現樣品之Rise time
及
Fall time
皆為次毫秒等級,且Rise time
大於Fall time
,實驗測量結果圖如圖
4-1-12
。4-1-2 LED 照光樣品之光電特性量測結果
圖
4-1-13
中可以發現以LED
燈照光之IPS26
樣品第一次與第二 次測量之V-T
曲線有明顯不同:第一次測量時有臨界電壓存在,而 第二次測量時則無臨界電壓的存在;第一次進行測量時最大穿透光 強度較高,第二次測量時最大穿透光強度下降;第一次進行測量降 電壓曲線與第二次測量結果相同,猜測是第一次測量時外加電壓超 過藍相液晶結構所能承受的最大電壓而造成樣品結構破壞,之後趨 於穩定。 反應時間(μs) 1st 2nd 3rd 平均 標準差 Rise time 189.8 179.8 179.7 183.1 5.8 Fall time 620.0 629.7 650.0 633.2 15.3 Total response time 809.8 809.5 829.7 819.3 11.6 表4-1-2 IPS26 樣品之反應時間測量, 外加電壓80Vrms,20kHz 方波,室溫 26℃IPS26
樣品之反應時間如表4-1-2
所式,可以發現此樣品之總反 應時間為次毫秒,優於使用氙燈進行光聚合之IPS15
樣品,且可以4-1-14
。4-2 以 RM-257+EHA 作為 monomer 之樣品光電特
性量測
4-2-1 氙燈照光樣品之光電特性量測結果
圖4-2-1
中可以看出IPS19
樣品在第一次測量V-T
曲線時就已經 沒有臨界電壓的存在,且外加電壓後樣品無法恢復成原本的暗態, 我們推測是樣品的結構受到外加電壓的破壞。 反應時間(μs) 1st 2nd 3rd 平均 標準差 Rise time 149.2 149.9 159.5 152.9 5.8 Fall time 1249.5 1090.4 1149.8 1163.2 80.4 Total response time 1398.7 1240.3 1309.3 1316.1 79.4 表4-2-1 IPS19 樣品之反應時間測量, 外加電壓100Vrms,20kHz 方波,室溫 26℃表
4-2-1
為IPS19
樣品之反應時間測量結果,可以發現Rise time
為次毫秒等級,但是
Fall time
超過了1
毫秒,實驗測量結果圖如圖4-2-2
。4-2-2 LED 燈照光樣品之光電特性量測結果
本小節之
IPS26
樣品使用兩種高分子單體且在Blue Phase
下進行光聚合,所測量之
V-T
圖如圖4-2-3
。圖4-2-3
中可以發現剛開始光強度開始上升,
100V
為最大光強度,之後降低外加電壓時曲線與 增加外加電壓時幾乎完全相同,且重複性佳,第一次及第二次測量 結果幾乎完全相同,猜測是結構沒有受到外加電壓破壞。圖中也可 以發現此樣品並沒有達到最大光強度,想得到最大光強度可能增加 外加電壓之最大值。 反應時間(μs) 1st 2nd 3rd 平均 標準差 Rise time 340.3 589.8 480.4 470.2 125.1 Fall time 59.8 60.0 60.1 60.0 0.2 Total response time 400.1 649.8 540.5 530.1 125.2 表4-2-2 IPS26 樣品之反應時間測量, 外加電壓100Vrms,20kHz 方波,室溫 26℃ 表4-2-2
列出IPS26
樣品之反應時間測量結果,此樣品之總反應 時間為次毫秒等級,且可以注意到此樣品之Fall time
非常的低,為60
微秒附近,在圖4-2-4
中可以清楚發現這樣的情形。如此短的反 應時間在文獻上有出現過8 。4-3 PSBP 樣品反應時間之綜合討論
表
4-3-1~
表4-3-3
分別為4
個PSBP
樣品之Rise time
、Fall Time
以及總反應時間,使用
20kHz
之方波,室溫為26
℃。圖4-3-1~
圖4-3-3
以圖片分別表示表
4-3-1~
表4-3-3
之Rise time
、Fall Time
以及總反應(microsecond)
。 樣品編 號 混合液晶 照光方 式 Rise time(μs) 平均 標準差 IPS15 氙燈 639.7 600.2 559.9 599.9 39.9 IPS26 Com11 LED 燈 189.8 179.8 179.7 183.1 5.8 IPS19 氙燈 149.2 149.9 159.5 152.9 5.8 IPS23 Com13 LED 燈 340.3 589.8 480.4 470.2 125.1表4-3-1 IPS15、IPS26、IPS19、IPS23 樣品之 Rise time。
樣品編 號 混合液晶 照光方 式 Fall time(μs) 平均 標準差 IPS15 氙燈 470.3 470.2 479.3 473.3 5.2 IPS26 Com11 LED 燈 620.0 629.7 650.0 633.2 15.3 IPS19 氙燈 1249.5 1090.4 1149.8 1163.2 80.4 IPS23 Com13 LED 燈 59.8 60.0 60.1 60.0 0.2
表4-3-2 IPS15、IPS26、IPS19、IPS23 樣品之 Fall time。
樣品編 號
混合液晶 照光方
式
Total response time(μs) 平均 標準差
IPS15 氙燈 1110.0 1070.4 1039.2 1073.2 35.5 IPS26 Com11 LED 燈 809.8 809.5 829.7 816.3 11.6 IPS19 氙燈 1398.7 1240.3 1309.3 1316.1 79.4 IPS23 Com13 LED 燈 400.1 649.8 540.5 530.1 125.2 表4-3-3 IPS15、IPS26、IPS19、IPS23 樣品之總反應時間。 圖
4-3-1
及表4-3-1
中可以清楚的看到這四種樣品在Rise time
方 面的測量結果皆為次毫秒等級,IPS26
及IPS19
樣品則是小於200
微 秒,由於IPS26
樣品在外加電壓後,臨界電壓會消失(
圖4-1-13)
;IPS19
樣品並不存在臨界電壓
(
圖4-2-1)
,因此克爾效應可以在感受到電場 的同時立即產生,進而降低的Rise time
的時間。圖
4-3-2
及表4-3-2
中可以發現,除了IPS19
在測量過程中出現 超過1
毫秒的反應時間外,樣品的平均Fall time
也皆為次毫秒的水 準,而IPS23
樣品則小於100
微秒,平均為60
微秒。 圖4-3-3
及表4-3-3
中可以很清楚的看出不管混合液晶編號為Com11(
只使用RM-257
當monomer)
或Com13(
使用RM-257
及EHA
作為
monomer)
,使用氙燈照光的樣品(IPS15
、IPS19)
之總反應時間皆會超過
1
毫秒(1000
微秒)
,而在藍相下以LED
燈進行光聚合的樣品
(IPS26
、IPS23)
總反應時間皆為次毫秒等級,因此往後要製作PSBP
樣品時,將樣品控溫在藍相下照光會是比較好的選擇。
第五章 結論與未來展望
本實驗中成功的找出液晶中的藍相,並且在加入高分子單體進行 光聚合成為高分子聚合物之後,成功的增加藍相的溫度範圍。並且成 功的觀察到PSBP
樣品之次毫秒的反應時間;且將樣品溫控在Blue
Phase
下進行光聚合的樣品,其反總應時間較使用氙燈進行光聚合的樣 品短。在溫控下測量樣品穿透率的部份則發現樣品在外加電壓頻率不 同時有出現溫度上升的情形,這部分在未來會對其他種類的液晶進行 測試,確定是否在任何情形下都會發生。本實驗將樣品控溫在
Blue Phase
下使用410nm LED
燈進行光聚合,未來可以考慮將
LED
燈換成紫外光雷射或是其他較強的紫外光光源,在不劇烈影響樣品溫度的情形下,當樣品為
Blue Phase
時以較強的功率對樣品進行光聚合,以縮短樣品的光聚合時間。
本實驗中的樣品分析都只以偏光顯微鏡下的圖樣來判斷,未來可
以測量樣品的反射式光譜,或是穿透式電子顯微鏡的照片12,增加判
斷樣品相態的基準,如較難判斷的
Blue Phase III
。本實驗中並未對
PSBP
樣品的外加電壓-
穿透率部份做理論分析,這部分當製作出的
PSBP
樣品可以測量出較完整的V-T
圖、外加電壓本實驗中所製作的
PSBP
樣品有著外加電壓時重複性低(IPS15
、IPS19
、IPS26)
或是所需之外加電壓過大而無法測量到V-T
圖之峰值(IPS23)
,未來期望以調整樣品配方以及照光方式來找出所需外加電壓參考資料
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圖1-2-1 液晶之單螺旋排列(simple twist)示意圖
圖1-2-2 向列型液晶排列(Nematic)之示意圖
圖1-2-4 雙螺旋圓柱示意圖
Double Twist Cylinders
Structure Disclination Line Blue Phase I Body-center Cubic Unit cell Blue Phase II Simple Cubic Unit cell
圖1-2-5 BPI&BPII 之結構(圓柱為雙螺旋圓柱,Double twist cylinder)與 向錯線(disclination line,細橢圓柱部分)
圖2-1-1 Blue Phase 在外加大電場後產生之誘發雙折射示意圖 圖2-2-1 座標系定義參考圖 圖2-2-2 外加電壓測量穿透光強度之裝置示意圖
x
x’
y
y’
θ Single slit He-Ne Laser Polarizer Analyzer Iris Detector Function GeneratorPC
Sample Multimeter Voltage AmplifierE
圖2-3-1 反應時間量測系統示意圖 圖2-3-2 反應時間量測結果示意圖 Single slit He-Ne Laser Polarizer Analyzer Iris Detector Function Generator Sample Oscilloscope Voltage Amplifier
PC
圖2-4-1 偏光顯微鏡量測裝置示意圖,樣品沿 z 軸方向旋轉 300 400 500 600 700 800 0 20 40 60 80 100 T ransmit tan c e (%) Wavelength (nm) 圖2-4-2 Filter1 之穿透率光譜 Analyzer Polarizer E Sample
x
y
z
Eθ
Filter300 400 500 600 700 800 0 20 40 60 80 100 T ransmit tan c e (%) Wavelength (nm) 圖2-4-3 Filter2 之穿透率光譜 300 400 500 600 700 800 0 20 40 60 80 100 T ransmit ta nce (%) Wavelength (nm) 圖2-4-4 PI 膜(聚醯亞胺薄膜,Polyimide Film)之穿透率光譜
圖2-4-5 溫控系統示意圖 圖3-1-1 IPS 樣品示意圖(無表面配向) W1: 10μm W2: 10μm Cell Gap: 7.5μm Electrode Width(W1)
ITO pattern on bottom glass Gap
Width(W2)
Glue
ITO pattern area :0.9×1.3cm2
Instec, Temperature control, MK1 version 2.52 Holder Sample Thermistor (Side view) Glass Iron Box
Hot Plate
圖3-1-2 IPS 樣品內部之 PSBP-LC 外加電場後之光學橢球示意圖
圖3-1-3 IPS23 樣品外加電壓之偏光顯微鏡圖。
Electric Field
Substrate
Substrate
Common electrode
Pixel electrode
E
d
W
W
W
P A15 20 25 30 35 40 0.2 0.4 0.6 0.8
P
i
t
c
h︵
μ
m︶
w t % o f R - 8 1 1
Max Pitch Min Pitch 圖3-2-1 R-811 重量百分濃度與 Pitch 之關係混合液晶濃度比例(wt%)
Chiral dopant Liquid Crystal Monomer Initiator
混合 LC 編號 樣品編號 R-811 S-811 5CB MDA-00-3461 7CB E7 RM-257 EHA DMPA 光聚合 光強(mW/cm2,365nm) 照光時間
19.6%R-811 AP01 19.6 80.4 N N N AP03 N N N 24%R-811 IPS2 24 76 N N N AP02 N N N 28.5%R-811 IPS3 28.5 71.5 N N N 35.9%R-811 AP04 35.9 64.1 N N N com4 IPS4 o o N N N com5 IPS6 o o o N N N com6 IPS7 o o o N N N IPS14 N N N IPS15 氙燈 10.9 20mins
com11 IPS26 o o o o o LED 燈 0.03 360mins
IPS25 N N N
IPS19 氙燈 12.8 20mins
com13 IPS23 o o o o o o LED 燈 0.03 360mins
表3-2-1 樣品編號,所使用混合液晶比例及照光條件整理。
圖3-2-3 7CB 外加 R-811 之灌入 AP 樣品之降溫過程相變圖 (局部放大)。 左方為19.6%R-811、右方為 24.0%R-811 在不同溫度下之偏光顯微鏡圖。
圖3-2-8 IPS6 樣品降溫偏光顯微鏡圖 降溫速率:表4-1-2
300 400 500 600 700 800 0 100 200 300 400 In te n s it y (a .u .) Wavelength (nm) 圖3-3-1 氙燈光譜圖 圖3-3-2 氙燈照光系統示意圖 1000W Xenon Arc lamp Liquid filter Sample Long wavelength pass filter
Lens
Mirror
00:00 00:05 00:10 00:15 00:20 00:25 25 30 35 40 45 50 55 Te m pera tu re (Cent ig rade ) Time 圖3-3-3 空樣品照光後之溫度變化 圖3-3-4 樣品照光之溫度變化之測量方法 1000W Xenon Arc lamp Liquid filter Sample Long wavelength pass filter
Lens Mirror 0.7mm ITO glasses×10 Multimeter PC
Thermistor
圖3-3-5 感測器 UVX-36 之光譜靈敏度 圖3-3-6 LED 照光系統示意圖
Polarizing microscope
Analyzer Polarizer Sample Filter1 Anti-UV cellophane paper Holder Sample Thermistor Iron Box LED(410nm)Tempering control
system (Fig. 2-4-5)
Glass300 400 500 600 700 800 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 410nm LED In te n s it y (a .u .) wavelength (nm) 圖3-3-7 410nm LED 之光譜圖
圖3-4-3 IPS26 樣品降溫偏光顯微鏡圖 降溫速率:0.16℃/min
圖3-4-7 液晶編號為 com11 之穿透光譜(無加入 EHA),Reference 為空氣,
樣品編號後面的括號內為no 表示樣品未進行光聚合、
圖3-4-8 液晶編號為 com13 之穿透光譜(加入 EHA),Reference 為空氣,