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先進閘極介電層互補式金氧半電晶體中電壓溫度引致不穩定性之研究

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Academic year: 2021

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(1)國 立 交 通 大 學 電子工程學系電子研究所. 博 士 論 文. 先進閘極介電層互補式金氧半電晶體中 電壓溫度引致不穩定性之研究. Bias Temperature Instability in CMOSFETs with Advanced Gate Dielectrics. 研 究 生:詹前泰 指導教授:汪大暉 博士. 中華民國九十五年三月.

(2) 先進閘極介電層互補式金氧半電晶體中 電壓溫度引致不穩定性之研究 Bias Temperature Instability in CMOSFETs with Advanced Gate Dielectrics 研 究 生:詹前泰. Student:Chien-Tai Chan. 指導教授:汪大暉 博士. Advisor:Dr. Tahui Wang. 國 立 交 通 大 學 電 子 工 程 學 系 電 子 研 究 所 博 士 班 博 士 論 文 A Dissertation Submitted to Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics College of Electrical and Computer Engineering National Chiao Tung University in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Doctor of Philosophy in Electronics Engineering March 2006 Hsinchu, Taiwan, Republic of China. 中華民國九十五年三月.

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