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使用金氧半導體基板正偏壓設計的射頻高輸出功率放大器

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Academic year: 2021

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(1)國立交通大學 電機資訊學院 電子與光電學程 碩 士 論 文. 使用金氧半導體基板正偏壓設計的 射頻高輸出功率放大器 THE DESIGN OF HIGH-OUTPUT-POWER RF POWER AMPLIFIER USING MOS DEVICES WITH POSITIVE SUBSTRATE BIAS. 研 究 生:張秦豪 指導教授:吳重雨. 教授. 中 華 民 國 九 十 三 年 七 月.

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