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100-2-四技二專-電機電子群電子類專一試題

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Academic year: 2021

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(1)100-2 電機與電子群. 專業科目(一). 第一部份:基本電學 1. 有關單位的敘述,下列何者錯誤? (A) 電壓單位為伏特(V) (B) Ω.F(歐姆.法拉)是時間單位 (C) 電子伏特(ev)是電壓單位 (D) BTU 為熱量單位 2. 測量導線電阻得到電阻值為 0.002 Ω,下列何種標示法正確? (A) 0.2 kΩ (B) 2 × 10−5 kΩ (C) 2 mΩ (D) 200 μΩ. 3. 有關 1300 mAH 規格之 3 號二次電池,其儲存的電荷量應為何? (A) 1.3 C (B) 3.9 C (C) 4.68 C (D) 4680 C 4. 使用數個 100 W/220 V 電燈泡組合後加到 110 V 電壓源,若要產生 300 W 總功率,試問應採下列哪種組 合方式? (A) 8 個並聯 (B) 12 個並聯 (C) 2 個並聯與 3 個並聯後串聯 (D) 3 個並聯與 4 個並聯後串聯 5. 某配電系統使用 3.0 mm 線徑之導線,在工作電流 6 A 的情況下,有 0.5 W 的線路損失,試問若將工作 電流提高至 12 A 時,線路損失不變,應改用下列何種線徑之導線? (A) 1.0 mm (B) 2.0 mm (C) 4.5 mm (D) 6.0 mm 6. 某工廠生產電阻時,測得出廠電阻最大值為 1050 Ω,最小值為 950 Ω,則其電阻色碼值應標示為下列何 者最為適當? (A) 棕黑紅金 (B) 棕黑紅銀 (C) 棕黑橙金 (D) 棕黑橙銀 7. 導線電阻在 25°C 時為 0.4 Ω,在 75°C 時為 0.45 Ω,求此導線 25°C 時之溫度係數為多少? (A) 0.0045 (B) 0.004 (C) 0.003 (D) 0.0025 8. 兩電阻值各為 R 與 2 R 之電阻,並聯加到電壓源時總功率為 900 W,試求串聯後加到相同電壓源總功率 之值? (A) 200 W (B) 600 W (C) 1800 W (D) 2100 W 9. 如圖(一)所示電路,試求 ab 兩端總電阻值? (A) 45 Ω (B) 60 Ω (C) 70 Ω (D) 95 Ω. 共7頁. 圖(一). 第 1 頁.

(2) 100-2 電機與電子群. 10. 如圖(二)所示電路,試求 R 之值為若干? (A) 4 Ω (B) 8 Ω (C) 12 Ω (D) 16 Ω. 專業科目(一). 圖(二). 11. 如圖(三)所示電路,試求由 12 Ω 電阻所消耗之電功率? (A) 3 W (B) 8 W (C) 16 W (D) 18 W. 圖(三). 12. 如圖(四)所示電路,試求流過 30 Ω 電阻之電流? (A) 0.24 A (B) 0.48 A (C) 1.2 A (D) 3 A 圖(四). 13. 試求圖(五)所示電路中,電阻 R 兩端之戴維寧等效 電壓 E TH 及等效電阻 R TH 各為何? (A) E TH = 36 V,R TH = 30 Ω (B) E TH = 56 V,R TH = 30 Ω (C) E TH = 72 V,R TH = 30 Ω (D) E TH = 36 V,R TH = 54 Ω. 圖(五). 14. 如圖(六)所示電路,試求當電阻 R 有最大功率轉移時之功率值? (A) 1 W (B) 2 W (C) 3.2 W (D) 6 W. 圖(六). 15. 如圖(七)所示電路,試求節點電壓 V 之值? (A) 7 V (B) 9 V (C) 10 V (D) 15 V 圖(七). 16. 80 μF、60 μF 與 30 μF 三個電容器串聯後接到 75 V 電源, 試問下列敘述何者正確? (A) 總電容值為 170 μF (B) 總電荷量 1200 μC (C) 80 μF 電容電壓 25 V (D) 30 μF 電容電量 2250 μC. 第 2 頁. 共7頁.

(3) 100-2 電機與電子群. 專業科目(一). 17. 三個電容其電容量及耐壓值分別為:30 μF/100 V、45 μF/50 V、90 μF/25 V,試求三者串聯後等效電容 及耐壓值? (A) 165 μF/175 V (B) 165 μF/100 V (C) 15 μF/150 V (D) 15 μF/175 V 18. 有關電感器的特性,下列敘述何者正確? (A) 電感產生的磁通量與其電流大小對時間變化量成正比 (B) 電感端電壓值大小為電流的微分函數 1 (C) 電感儲能量為 L2 ⋅ I 2 (D) 電流頻率愈高,電感抗愈小 19. 如圖(八)所示,空間中兩電荷 Q1 = 3.2 × 10 −6 C 、 Q 2 = 1.28 × 10 −5 C 相距 12 m,連線上有一點 P;若 P 點電 場強度為 0,試求 P 點至 Q1 距離 r = ?. (A) (B) (C) (D). 6m 4.5 m 4m 3m. 圖(八). 20. 如圖(九)所示電路,試問下列敘述何者正確? (A) 電容暫態電壓方程式為 VC ( t ) = 60 × (1 − e. (B) 電容暫態結束時間為 250 ms (C) 電容可充最大電壓為 50 V (D) 電路時間常數為 4.5 ms. −. t 50 m. ). 圖(九). 21. 如圖(十)所示電路,若 t = 0 時,開關 SW ON,試求 t = 2 sec 時, 流過電感電流值為多少? (A) 1.5 A (B) 0.7 A (C) 0.6 A (D) 0 A 圖(十). 22. 若電流方程式為 i = 5 + 3 sin 377 t + 4 sin 754t (A) ,試求其平均值? (A) 5 A (C) 10 A. (B) 5 2 A (D) 25 A. 23. v1 ( t ) = 30 sin 1000t , v 2 ( t ) = 40 sin(1000t + 90°) ,試求 v1 + v 2 之有效值? (A) 30 V (C) 50 V. (B) 40 V (D) 25 2 V. 24. 如圖(十一)所示電路,電源電壓 V( t ) = 100 sin(ωt + 15°) ,試求電容端電壓? (A) VC ( t ) = 80(ωt − 21.9°) (B) VC ( t ) = 60(ωt − 68.1°) (C) VC ( t ) = 75(ωt − 30°) (D) VC ( t ) = 45(ωt + 36.9°) 圖(十一) 共7頁. 第 3 頁.

(4) 100-2 電機與電子群. 專業科目(一). 25. 如圖(十二)所示交流電路,安培計 A 讀數值為 10 2 (A) , 若已知電阻電流有效值為 10 A,試求電容電流有效值? (A) 10 A (B) 10 2 A (C) 5 A (D) 0 A 圖(十二). 第二部份:電子學 26. 某原子價電數為 2,假設其價電子全數脫離軌道,試求其離子電量? (B) 3.2 × 10−19 C (A) 1.6 × 10−19 C (D) 6.4 × 10 −19 C (C) 4.8 × 10−19 C 27. 有關半導體與二極體的概念,下列選項何者正確? (A) 摻入 3 價雜質的半導體,稱為本質半導體 (B) PN 結合空乏區內沒有導電載子 (C) 雜質半導體的導電度較本質半導體低 (D) PN 二極體逆向偏壓增加時,空乏區寬度會減少 28. 如圖(十三)所示電路,設二極體導通電壓 VD = 0.6 V , 若 V1 = V2 = 5 V ,試求輸出電壓 Vo = ? (A) (B) (C) (D). 0V 2.2 V 3.1 V 4.4 V. 圖(十三). 29. 如圖(十四)所示電路中,LED 工作時順向壓降為 1.2 V,電流範圍 為 5~50 mA,試求限流電阻 R S 之最小值為何? (A) (B) (C) (D). 76 Ω 120 Ω 850 Ω 1.2 kΩ. 圖(十四). 30. 如圖(十五)所示電路為稽納二極體,稽納電壓 VZ = 5 V ,若負載 電阻的範圍為 100 Ω ≤ R L ≤ 500 Ω,試求電路正常穩壓動作時, 稽納二極體的最大功率值? (A) 0.7 W (B) 0.75 W (C) 1.2 W (D) 2 W. 圖(十五). 31. 如圖(十六)橋式整流電路,輸入交流電源 V( t ) = 200 sin(377 t ) , 變壓器 N1 : N 2 = 5 :1,若不考慮二極體順向壓降,試求輸出 平均值 VDC = ? (A) (B) (C) (D). 9.1 V 12.7 V 25.4 V 40 V. 圖(十六). 第 4 頁. 共7頁.

(5) 100-2 電機與電子群. 專業科目(一). 32. 如圖(十七)所示電路,試問下列敘述何者錯誤? (A) 整流二極體峰值電流與電容量成正比 (B) 負載電流愈大,則漣波因數隨之增大 (C) 無負載時,二極體耐壓等於峰值電壓 (D) 濾波電容及負載電阻愈大,則濾波效果愈好. 圖(十七). 33. 如圖(十八)所示電路,D 為理想二極體,若 Vi 為 + 5 V ~ −5 V 振幅的方波,試求輸出電壓振幅範圍? (A) + 13 V ~ +3 V (B) + 8 V ~ −2 V (C) + 8 V ~ −8 V (D) + 8 V ~ −5 V. 圖(十八). 34. 有關電晶體共基極(CB)、共射極(CE)、共集極(CC)三種放大器組態的敘述,下列何者正確? (A) CC 式放大器電流增益略小於 1 (B) CB 式放大器輸出信號與輸入信號同相位 (C) CE 式放大器功率增益最小 (D) CB 式放大器電流增益最大 35. 工程師使用電晶體設計電子電路驅動較大電流負載,但同時需要高輸入阻抗及低輸出阻抗,試問應使用 下列何種電晶體電路形態? (B) 共基極電路 (A) 共射極電路 (D) 自給偏壓之共射極電路 (C) 共集極電路 36. 設電路中某 NPN 電晶體 β = 100,當 I C = 800 mA 時,測得 I B = 12 mA,試問此電晶體處於何種工作狀態? (A) 截止區 (C) 飽和區. (B) 主動區(放大區) (D) 反轉區. 37. 某電晶體工作時,測得 I C = 19.6 mA , I E = 20 mA ,試求電晶體 β = ? (A) 100 (C) 89. (B) 99 (D) 49. 38. 如圖(十九)電路及其特性曲線所示, 若要使工作點由 A 向 B 移動,應採 取下列何種方法? (A) 增大 R B (B) 減少 R B (C) 增大 R C 圖(十九) (D) 減少 R C 39. 如圖(二十)所示之電路,假設電晶體 β = 49 , VBE = 1 V , 若 R E = R C = 3 kΩ ,試求 VCE 之值約為? (A) (B) (C) (D). 15.4 V 13.7 V 12.2 V 9.8 V 圖(二十). 共7頁. 第 5 頁.

(6) 100-2 電機與電子群. 專業科目(一). 40. 如圖(二十一)所示電路,電晶體 β = 100 , VBE = 0.7 V , 試問下列何者正確? (A) I B = 48.2 μA (B) VB = 0.7 V (C) VCE = 8.4 V (D) VE = 1.7 V. 圖(二十一). 41. 如圖(二十二)電路,電晶體 β = 100 , VBE = 0.7 V ,若設計 VCE = 5 V ,試 求 R B 值約為? (A) (B) (C) (D). 89 kΩ 102 kΩ 133 kΩ 174 kΩ 圖(二十二). 42. 如圖(二十三)電路為電晶體 CE 式放大器, 下列敘述何者錯誤? (A) CE 的主要作用在於提高負回授量 (B) R E 的主要作用在於穩定工作點 (C) CE 會影響放大器的低頻增益 (D) 若電晶體在動作區內工作,則 R C 與電壓增益成正比 圖(二十三). 43. 如圖(二十四)所示電路,若 VCC = 15 V , R1 = 600 kΩ , R 2 = 300 kΩ , R C = 2 kΩ , R E = 1 kΩ , β = 250 , VBE = 0.7 ,試求電壓增益值約為? (A) (B) (C) (D). − 150 − 42 − 20 −2 圖(二十四). 44. 如圖(二十五)所示電路, β1 = β 2 = 99 ,假設 rπ 忽略不計, 試求輸入阻抗 R I 之值約為? (A) (B) (C) (D). 5 MΩ 500 kΩ 2.5 MΩ 125 kΩ. 圖(二十五) 第 6 頁. 共7頁.

(7) 100-2 電機與電子群. 專業科目(一). 45. 有關場效電晶體(FET)的敘述,下列何者錯誤? (A) 為電壓控制元件 (B) N 通道 FET 的主要載子為電洞 (C) 為單載子元件 (D) 輸入阻抗較電晶體高 46. 有關 MOSFET 之敘述,下列何者正確? (A) 增強型 MOSFET 中本身已有通道結構 (B) 空乏型 N 通道 MOSFET,閘-源極電壓( VGS )不得為負電壓 (C) N 通道增強型 MOSFET, VGS > VT 才能使汲極源極導通 (D) 空乏型 P 通道 MOSFET 之 VGS 值為正時, I DS > I DSS 47. 如圖(二十六)所示電路,FET 之 I DSS = 5 mA , VP = −4 V ,試求 Vo = ? (A) (B) (C) (D). 12.5 V 10 V 7.5 V 5V 圖(二十六). 48. N 通道增強型 MOSFET, VT = 2 V , K = 0.5 (mA/V2), 試求 VGS = 4 V 時, I D = ? (A) (B) (C) (D). 2 mA 1 mA 0.5 mA 0.25 mA. 49. 如圖(二十七)FET 偏壓電路與特性曲線,若設定 工作點為 Q 點,試求 R S = ? (A) (B) (C) (D). 500 Ω 750 Ω 1 kΩ 1.5 kΩ. 圖(二十七). 50. 如圖(二十八)所示電路,若 FET 之 gm = 2 mA/V, rd = 20 kΩ , 當輸入電壓 Vi = 10 mV 時,試求其輸出電壓 Vo = ? (A) 0.1 V (B) − 0.2 V (C) 1 V (D) − 1.25 V. 圖(二十八). 共7頁. 第 7 頁.

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