• 沒有找到結果。

複晶矽薄膜電晶體之晶粒結構與光漏電之分析

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "複晶矽薄膜電晶體之晶粒結構與光漏電之分析"

Copied!
2
0
0

加載中.... (立即查看全文)

全文

(1)

國 立 交 通 大 學

光電工程學系 顯示科技研究所

碩 士 論 文

複晶矽薄膜電晶體之晶粒結構與光漏電

之分析

Grain Size Effect and the Photo Leakage

Current of Poly-Si TFTs

研 究 生 : 魏 全 生

指導教授:冉曉雯 博士

(2)

複晶矽薄膜電晶體之晶粒結構與光漏電之分析

Grain Size Effect and the Photo Leakage Current of Poly-Si

TFTs

研究生:魏全生 Student: Chung-Sheng Wei

指導教授:冉曉雯 博士 Advisor: Dr. Hsiao-Wen Zan

國 立 交 通 大 學

光電工程學系 顯示科技研究所

碩 士 論 文

A Thesis

Submitted to Department of Photonics Institute of Display

College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University

in partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of

Master in

Electro-Optical Engrineering June 2006

Hsinchu, Tawian, Republic of China

參考文獻

相關文件

• 後段工程是從由矽晶圓切割成一個一個的晶片 入手,進行裝片、固定、接合連接、注模成 形、引出接腳、按印檢查等工序,完成作為元

• 接續之前的例子,若原為 0.288 pF 的液晶 電容 C LC ,再並聯一個亦為 0.288 pF 的電 容C st ,則電位保持的變化值為.

在1980年代,非晶矽是唯一商業化的薄膜型太 陽能電池材料。非晶矽的優點在於對於可見光

雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor, BJT) 場效電晶體(field effect transistor, FET).

IEEE 1394 Controller IC、無線週邊控制晶片 Wireless Peripheral Controller IC、滑鼠控制晶片 Mouse Controller IC、鍵盤控制晶片 Keyboard Controller IC、掃描器控制晶片

• 雙極性電晶體 (bipolar junction transistor , BJ T) 依結構區分,有 npn 型及 pnp 型兩種. Base

的課程內容整理,作品入選102學年度全國高中 學校本位特色選修課程教學計畫及實施(普通

• 雙極性電晶體 (bipolar junction transistor , BJ T) 依結構區分,有 npn 型及 pnp 型兩種. Base