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氮化鋁與鈦金屬介面反應之微觀結構分析(I)

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Academic year: 2021

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(1)

行政院國家科學委員會補助專題研究計畫

□ 成 果 報 告 ■期中進度報告

氮化鋁與鈦金屬介面反應之微觀結構分析

計畫類別:■ 個別型計畫 □ 整合型計畫

計畫編號:NSC

92-2216-E-009-027

執行期間: 92 年 08 月 01 日 至 93 年 07 月 31 日

計畫主持人:林健正

共同主持人:

計畫參與人員: 邱家祥 周家政

成果報告類型(依經費核定清單規定繳交):■精簡報告 □完整報告

本成果報告包括以下應繳交之附件:

□赴國外出差或研習心得報告一份

□赴大陸地區出差或研習心得報告一份

□出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份

□國際合作研究計畫國外研究報告書一份

處理方式:除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、

列管計畫及下列情形者外,得立即公開查詢

□涉及專利或其他智慧財產權,□一年□二年後可公開查詢

執行單位:

中 華 民 國 年 月 日

(2)

中文摘要 本 實 驗 主 要 利 用 掃 描 式 電 子 顯 微 鏡 (SEM/EDS) 與 穿 透 式 電 子 顯 微 鏡 (TEM/EDS),觀察氮化鋁與鈦金屬在 1300~1500o C、0.5~36hrs 擴散反應之介 面微觀結構變化。結果顯示氮化鋁與鈦 金屬在 1300℃/6hours 擴散反應下,反 應 生 成 物 從 氮 化 鋁 側 依 序 為 TiN-Ti3AlN-Ti2AlN-Ti3Al- 兩 相 區

Ti3Al+Ti。在 1400℃/0.5 反應下,並未

發現 Ti3AlN。在 1500℃/0.5 反應下,

發現 TiAl 與板狀結構(TiAl+Ti3Al)。

Abstract

Solid state interactions between AlN and Ti under an argen atmosphere at temperatures ranging 1300 to 1500℃ in argon atmosphere for 0.5-36 hours have been investigated. The morphology, crystal structures, and chemical compositions of the reaction zones forms at AlN/Ti interfaces were characterized using scanning electron microscopy (SEM/EDS), and analytical transmission electron microscopy (TEM/EDS). Five reaction products including TiN (cubic, NaCl type), Ti2AlN (hcp, AlCCr2 type), Ti3AlN

(cubic, perovskite type), and Ti3Al

(hexagonal, Ni3Sn type), two-phases

region(Ti3Al+Ti) were observed in

sequence from the AlN -side to the Ti-side of the AlN/Ti diffusion couple after reaction at 1300℃/6hours. The Ti3AlN layer didn’t exit after the

reaction zone at 1400℃/0.5 hours, while TiAl and lamella layer(TiAl+Ti3Al)

were formed in the reaction zone after

reaction 1500℃/0.5 hours. 一.前言 氮化鋁擁有極高的熱傳導度(理 論熱傳導度為 320ω/ml)、低介電常 數 ( 約 為 8.8) 、 高 電 阻 (1012 ~1014Ω⋅cm),高溫不易與金屬 反應,且其熱膨漲係數與矽相近 1.2 。 因此在微電子與複合材料方面有很多 重要的應用 3-5 ,為了有效提高氮化鋁 的使用,氮化鋁與金屬的接合成為必 要的技術。一般在市面上微電子工業 最常用的陶瓷基板最常用的材料為氧 化鋁,而氮化鋁為共價鍵鍵結且為非 氧化物,其與金屬的鍵結程序比氧化 物更為困難,因此必須提高氮化鋁與 金屬鍵結的可靠度。很多研究報告指 出鈦金屬有極高的活性且容易與陶瓷 反應 6-8 ,所以鈦金屬常被用來當作接 著層。因此為了提高氮化鋁與鈦金屬 結合的可靠度,所以了解氮化鋁與鈦 金屬介面反應是非常重要。本研究將 探討氮化鋁與鈦金屬在 500~1500o C 不 同時間下進行界面反應,以掃瞄式電 子顯微鏡(SEM)、能量分散儀(EDS)、 X-ray 繞 射 儀 和 穿 透 式 電 子 顯 微 鏡 (TEM)等分析界面反應的微觀結構。 二.實驗步驟 1.界面反應實驗 氮化鋁與鈦金屬之界面反應,本 研 究 採 用 高 純 度 氮 化 鋁 (SH-15, Tokuyama Soda Corp., Japan)與商業級 鈦金屬切割成5×5×5mm大小,經過研 磨拋光,疊成中間鈦金屬上下為氮化 鋁,施加5MPa的壓力,在氬氣氣氛下 熱 處 理 , 熱 處 理 的 條 件 為

(3)

500~1500oC、0.5~36hr。再佐以儀器分 析觀察其界面微觀結構。

2.界面試片製備

以砂輪切割機及慢速切割機沿著 垂直於陶瓷/鈦金屬界面的方向切取試 片,並以 Acrylic powder 和 Acrylic liquid 冷鑲埋之,然後以備製金相試片 的標準程序加以研磨拋光。最後並以 Kroll reagent(成分為 10ml HF+30ml HNO3+60ml H2O)腐蝕金相試片。本 實驗所用的腐蝕時間為 10-35sec。 3.掃瞄式電子顯微鏡(SEM)&能量散射 分析儀(EDS) 利用掃瞄式電子顯微鏡(Hitach S-2500)之二次電子成像,觀察陶瓷/鈦 金屬的界面的微觀組織並以 EDS 鑑定 各個相的組成元素,以 line scan 或 mapping 模式進行成分半定性分析。 SEM 的操作電壓為 30KV。使用 Ion coater,在試片的表面鍍上一層 Pt,設 定的電流為 8mA,濺鍍時間為 60sec。 4.X-射線繞射分析 利 用 X- 射 線 繞 射 儀 (Siemens Modes 5000),對陶瓷試片表面作繞射 分析,以鑑定結晶相之相別。設定電 壓為 40KV、電流為 30mA,以 Cu 靶 Cu Kα( λ =1.5406A°) 產 生 之 射 線 經 Ni- filter 濾波後,在試片表面進行 10° 至 90°之掃瞄,掃瞄為速度每分鐘 2°, 每隔 2θ=0.02°自動記錄 X-ray 的強 度。掃瞄出來的圖形再與 JCPDS 卡相 互比對,以判定相別。 3.穿透式電子顯微鏡(SEM)&能量散射 分析儀(EDS) 利用穿透式電子顯微鏡(Model 2000Fx),觀察界面反應之微觀結構與 生成相的鑑定並以EDS鑑定各個相的 組成元素. 三.結果與討論 圖 一 為 氮 化 鋁 與 鈦 金 屬 經 過 1300oC/6hr 擴散反應之 SEM 微觀結構 圖,由圖中可發現有六層反應物,依 序以 A~F 代表。各層反應物厚度約為 1~2μm,從圖中可見 A 與 B 層其邊界 不規則,C~E 有規則的邊界,F 層與 Ti 形成交錯的兩相區。表一為氮化鋁與 鈦金屬介面反應各反應層之 EDS 分析 結果,由表中可知圖一最左側反應層 為固溶少量 Al 的 TiN,圖二(a)為氮化 鋁與鈦金屬經過 1300o C/6hr 之 TEM 明 視野相,根據圖二(b)的擇區繞射圖鑑 定 TiN 的結構為 cubic,計算其繞射圖 形其晶格常數為 a=0.426nm,與 JCPDS 的 TiN 晶格常數相符,處理溫度維持 1300o C 下反應時間由 0.5~36hr,可發 現 TiN 的厚度並不隨時間增加而增 加,TiN 的平均厚度為 1μm,由此可 發現 TiN 並不是由擴散機制所控制。 根據表一在 1300o C/6hr 反應層 B 與 C 為 Ti-Al-N 三元化合物,成分比例大 約為 Ti:Al:N = 2:1:1 與 Ti:Al:N = 3:1:1。Ti-Al-N 三元化合物 Ti3AlN 和 Ti3Al2N2最早被 Schuster 和 Baueryn 所發現,之後 Jeitschko 又發現另一 三元化合物 Ti2AlN。由圖二(c)與(d) 擇區繞射圖形鑑定反應層 B 與 C,晶體 結構應為 hcp-Ti2AlN 與 cubic-Ti3AlN。

圖三(a)與(b)為圖一反應層 D 與 E 之 明視野相,由圖中可發現圖(a)的晶粒 較為規則且均勻,而圖(b)之晶粒則成 某方向成長且不規則,由表一中的成 分分析可知 D、E 層中 Ti-Al 比例成份 相近約為 3:1,而氮在 E 層的含量約為

(4)

D 層的兩倍,所以應為氮含量不同導致 其型態的改變。更進一步利用擇區繞 射圖來分析,可知反應層 D 與 E 其晶 體結構皆為 hcp-Ti3Al,其 zone axis

分別為[ 0001 ]、[ 1001 ]。因此研判其 導致晶相不同的原因為晶粒成長的時 期不同。由 Ti-Al 的二元相圖中可發 現 Ti3Al 的穩定相的溫度 1180oC 以 下,因此在 1300o C 應該不會有 Ti3Al 的存在,所以 Ti3Al 應該在降溫過程中 所析出的。另一個原因應該是在升溫 時經由擴散反應所造成,比較在 1300o C 下不同時間下可發現 D 層的厚度隨時 間增加而增加,而 E 層並不隨時間增加 而增加,因此研判 D 層是經由降溫過 程而析出,而 E 層是經由升溫過程而 生成。圖四(a)為圖一中 F 層的明視野 相,由圖中明顯可知此層為兩相區, 經 EDS 成分分析可知連續相為金屬 鈦,不連續相為 Ti3Al。圖四(b)為此 區的擇區繞射圖,由圖中計算結果可 得α-Ti 的晶格常數為 a=0.3095nm、 c=0.441nm,α2-Ti3Al 的晶格常數為 a=0.605nm、c=0.487nm。由此可知α 2-Ti3Al 晶格常數 a 值約為α-Ti 晶格 常數 a 值的兩倍,從上述結果可知析 出 物 為 order 的 α2-Ti3Al 與 基 材 disorder 的α-Ti。從擇區繞射圖形 可知α2-Ti3Al 與α-Ti 滿足下述的方 位關析

[

]

Ti

[

]

Ti Al 3 0001 // 0001α 。反應生成 物 由 氮 化 鋁 側 至 鈦 側 依 序 為 TiN-Ti3AlN-Ti2AlN-Ti3Al- 兩 相 區

Ti3Al+Ti。 圖 五 為 氮 化 鋁 與 鈦 金 屬 在 1400o C/0.5hr 擴散反應之 SEM 微觀結 構圖,與圖四比較可清楚發現三元相 Ti3AlN 以 不 存 在 , 其 餘 結 果 與 1300oC/6hr 相似。反應生成物由氮化 鋁側至鈦側依序為 TiN -Ti2AlN-Ti3

Al-兩相區 Ti3Al+Ti。 圖 六 為 氮 化 鋁 與 鈦 金 屬 在 1500o C/0.5hr 擴散反應之 SEM 微觀結 構圖,與圖五比較可清楚發現在 Ti3AlN 與 Ti3Al 介面處生成層狀生成物與板 狀(lamella)結構化合物。圖七為層狀 生成物之明視野相,根據其擇區繞射 圖形鑑定,其為 tetragonal 結構的 TiAl 化合物。圖八為板狀結構之明視 野相,根據 EDS 成分分析灰色部分為 TiAl,白色部分為 Ti3Al 之兩相區。根 據 Ti-Al 二元相圖(圖八)在冷卻過程 中 L+α-Ti→α2-Ti3Al+γ-TiAl→γ

-TiAl,α-Ti 會轉變成板狀結構α

2-Ti3Al+γ-TiAl,接下來隨著固態反

應 α2-Ti3Al+ γ -TiAl 轉 變 成 為 γ

-TiAl,此時有些α2-Ti3Al+γ-TiAl 並

未完全轉變成γ-TiAl,所以在圖六中 可發現γ-TiAl 與板狀結構α2-Ti3Al+

γ-TiAl。反應生成物由氮化鋁側至鈦 側依序為 TiN -Ti2AlN-TiAl-板狀結構

TiAl + Ti3Al-Ti3Al-兩相區 Ti3Al+Ti。

四.結論 本 年 度 研 究 計 劃 之 實 驗 進 度 已 完 成 900~1500o C 之擴散實驗及部份試片分 析,並已獲得初步實驗結果。下年度 研究計劃之進度為: 1. 完成氮化鋁與鈦金屬在 900~1500o C 之擴散實驗分析,與反應機構的探 討。 2. 研究氮化鋁與鈦金屬在 900o C 以下 之擴散實驗分析,與反應機構的探

(5)

討。

References

1

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(1973).

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“Aluminum Nitride Substrates

Having High Thermal Conductivity,”

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J. Japan Inst. Metals, [59] 978

(1995).

8

W. J. Whatley and F. E. Wawner, J.

(6)

Table. 1 Results of the SEM/EDS and TEM analysis of Ti/AlN diffusion

couples at 1300~1500℃

SEM/EDS TEM ℃ alyer Composite (at. %) Crystal structure

Ti Al N 1300℃/3hr A 50.18 8.2 41.62 TiN, cubic B 48.36 22.9 28.73 Ti2AlN, hcp C 55.33 22.77 28.73 Ti3AlN, cubic D 66.9 25.07 8.03 Ti3Al, hcp E 62.21 23.42 14.37 Ti3Al, hcp F 71.08 26.11 2.82 Ti3Al+Ti, hcp

1400/0.5hr TiN 45.24 2.51 52.26 TiN, cubic Ti2AlN 46.76 25.50 27.74 Ti2AlN, hcp

Ti3Al 53.13 46.73 0.14 Ti3Al, hcp

Ti3Al* 54.75 42.90 2.35 Ti3Al, hcp

1500/0.5hr TiN 45.24 2.51 52.26 TiN, cubic Ti2AlN 46.76 25.50 27.74 Ti2AlN, hcp

TiAl 53.13 46.73 0.14 TiAl, tetragonal Ti3Al 67.79 30.44 1.77 Ti3Al, hcp

(7)

圖一 (a) SEM micrograph of the cross section between Aluminum

Nitride and Titanium after reaction at 1300°C for 6 hours.

AlN

Ti

(8)

圖二 (a) Bright-field image of AlN/Ti at 1300°C for 6 hours; (b) the

SADP of TiN, Z=[

001

]; (c) the SADP of Ti

2

AlN, Z=[

1120

]; and (d) the

SADP of Ti

3

AlN, Z=[

001

].

Ti

3

Al

Ti

3

AlN

Ti

2

AlN

TiN

AlN

(a)

(c)

(b)

(d)

(9)

圖三 (a) Bright-field image of Ti

3

Al (layer D in Fig. 1.); (b) Bright-field

image of Ti

3

Al* (layer E in Fig. 1.).

圖四 (a) Bright-field image of Ti

3

Al + Ti (layer F in Fig. 1.); (b)

Bright-field image of Ti

3

Al (layer E in Fig. 1.).

Ti

3

Al

Ti

(a)

(b)

(a)

(10)

圖五 (a) SEM micrograph of the cross section between Aluminum

Nitride and Titanium after reaction at 1400°C for 0.5 hours.

圖六 (a) SEM micrograph of the cross section between Aluminum

Nitride and Titanium after reaction at 1500°C for 0.5 hours.

AlN

TiN

Ti

2

AlN

Ti

3

Al

Ti

3

Al*

Ti

3

Al+Ti

Ti

AlN

TiN

Ti

2

AlN

TiAl

Ti

3

Al

Ti

Ti

3

Al*

Ti

3

Al+Ti

TiAl+Ti

3

Al

(11)

圖 七 (a) Bright-field image of TiAl; (b) Bright-field image of

TiAl+Ti

3

Al two-phase region after reaction at 1500°C/0.5hr.

圖八 Partial equilibrium Ti-Al diagram.

TiAl

Ti

2

AlN

(a)

(b)

TiAl

Ti

3

Al

數據

圖 七   (a) Bright-field image of TiAl; (b) Bright-field image of  TiAl+Ti 3 Al two-phase region after reaction at 1500°C/0.5hr.

參考文獻

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