100-5-四技二專-電機電子群電子類專一試題

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(1)100-5 電機與電子群. 專業科目（一）. 第一部份：基本電學 1. 如圖(一)所示之電路，欲使 24 V 電池輸出電能，則 R 之值應為何？ (A) R < 3 Ω (B) R < 6 Ω (C) R < 2 Ω (D) R > 9 Ω 圖(一). 2. 承上題， R = 3 Ω ，則流經 R 的電流為向下若干？ (A) 6 A (C) 4 A. (B) 5 A (D) 3 A. 3. 如圖(二)所示之電路，求 Vb = ？. (A) (B) (C) (D). 20 V 30 V 40 V 50 V. 圖(二). 4. 承上題，求 Vc = ？ (A) (B) (C) (D). 20 V 30 V 40 V 50 V. 5. 如圖(三)所示之電路，在 a、b 間接 2 Ω 電阻時， I = 5 A ；改接次 6 Ω 電阻，則 I = 3 A ，則當 R ab = 8 Ω 時， I = ？ (A) (B) (C) (D). 2.75 A 2.5 A 2.25 A 2A. 圖(三). 6. 承上題，若欲獲得最大功率輸出，則 R ab 之值應為何？ (A) 2 Ω (C) 4 Ω. (B) 3 Ω (D) 5 Ω. 7. 若電阻器之電阻值標示為 10 GΩ，若將之換算成 mΩ，則應為多少？ (A) 1013 mΩ (B) 1012 mΩ (C) 106 mΩ (D) 105 mΩ 8. 如圖(四)所示之電路，求 I1 = ？ (A) (B) (C) (D). 4A 6A 8A 12 A 圖(四). 共7頁. 第 1 頁.

(2) 100-5 電機與電子群. 9. 如圖(五)所示之電路，求電壓源的輸出功率為何？ (A) 20 W (B) 15 W (C) 10 W (D) − 10 W. 專業科目（一）. 圖(五). 10. 鋁線在 20°C 時，電阻為 R1 ，電阻溫度係數為 α1 ；若將溫度降低為零下 10°C，電阻為 R 2 ，電阻溫度係數為 α 2 ，則下列何者正確？ (A) R1 > R 2 且 α 2 < 0 (B) R1 > R 2 且 α1 > α 2 (C) R1 > R 2 且 α1 < α 2 (D) R1 < R 2 且 α1 > α 2 11. 如圖(六)所示，求總電感量 Lab = ？ (A) (B) (C) (D). 6H 8H 10 H 12 H. 圖(六). 12. 如圖(七)所示之電路，當電流已升達其終值時，電感器之儲能為何？ (A) 0.02 焦耳 (B) 0.03 焦耳 (C) 0.01 焦耳圖(七) (D) 0.04 焦耳 13. 相同電容值之電容器 n 個串聯，其總電容量為並聯時總電容量之幾倍？ (B) n 2 倍 (A) n 倍 1 1 (D) 倍 (C) 2 倍 n n 14. 通過一封閉曲面之電力線數等於此曲面內所含之淨電荷量，此為何種定律？ (A) 安培定律 (B) 高斯定律 (C) 法拉第定律 (D) 楞次定律 15. 如圖(八)所示之電路，S 打開，在電路達穩定狀態後，將 S 閉合，則閉合瞬間之 I L = ？ (A) (B) (C) (D). 0A 1A 2A −2A 圖(八). 16. 承上題，S 閉合瞬間之 VL = ？ (A) (B) (C) (D). 0V 80 V − 80 V − 100 V 第 2 頁. 共7頁.

(3) 100-5 電機與電子群. 專業科目（一）. 17. 已知 V = 50 2 sin(377 t + 30°)V ，用三用電表 DCV 檔測量之，則指示應為何？ (A) 0 V (B) 50 V (C) 50 2 V (D) 45 V 18. i1 = 10 sin 377 t ， i 2 = 5 cos 377 t ，若 i = i1 + i 2 ，則 i 的頻率為何？ (A) (B) (C) (D). 30 Hz 60 Hz 120 Hz 377 Hz. 19. 如圖(九)所示之電路，求 Vcd 的有效值為何？ (A) (B) (C) (D). 50 V 98.2 V 125.3 V 170 V. 圖(九). 20. 如圖(十)所示之電路， V( t ) = 3 cos 2 t ，則等效阻抗 Z = ？ 1 1 +j 2 2 1 −j (B) 2 1 +j (C) 2 1 1 (D) −j 2 2. (A). 圖(十). 21. 如圖(十一)所示之電路，若將 C 調大，則下列敘述何者正確？ (A) X C 變大 (B) I 變小 (C) PF 提高 (D) I 領先， V 的角度變大. 圖(十一). 22. i = 10 cos(600 t − 30°) 通過 Z = 3 − j4 Ω ，則其最大瞬間功率 Pmax 為何？ (A) (B) (C) (D). 800 W 700 W 500 W 400 W. 23. 如圖(十二)所示之電路，求負載的功率因數為何？ (A) 0.9 (B) 0.8 (C) 0.6 (D) 0.53. 共7頁. 第 3 頁. 圖(十二).

(4) 100-5 電機與電子群. 專業科目（一）. 24. 如圖(十三)所示之電路，每一電阻器所消耗之電功率為何？ (A) 1500 3 W (B) 1500 W (C) 3000 W (D) 4500 W 圖(十三). 25. 三相發電機相序為 a-b-c，Y 型連接，已知 A 相電壓 Vao = 100∠0° V ，則線電壓 VAB = ？ (A) 100∠0° V (B) 100 3∠30° V (C) 100 3∠ − 30° V 100 ∠30° V (D) 3. 第二部份：電子學 26. 一般 PN 二極體在施以斷路時，會在接合面附近出現空乏區，此空乏區變寬後的目的為何？ (A) 增加擴散電流，以達熱平衡 (B) 制止擴散電流，以達熱平衡 (C) 制止漂移電流，以達熱平衡 (D) 增加漂移電流，以達熱平衡 27. 稽納電壓為 6.8 V 的稽納二極體，在 I Z 變化為 2 mA 時，會有 100 mV 的 VZ 變化；則當流過 8 mA 時，跨於二極體兩端的電壓為何？ (A) 7.0 V (C) 7.2 V. (B) 7.1 V (D) 7.4 V. 28. 如圖(十四)所示之電路， D1 、 D 2 為理想二極體，為使輸出電壓 Vo 的值隨輸入電壓 Vi 的值增大而變大，則需選擇 Vi 的下限為何？ (A) (B) (C) (D). 3V 2V 4V 5V. 圖(十四). 29. 如圖(十五)所示之電路， D1 、 D 2 為理想二極體，則下列選項何者錯誤？ (A) I = 5 mA (B) D1 截止 (C) D 2 導通 (D) Vo = 3 V. 圖(十五). 30. 稽納二極體的主要功用是用來當穩壓，但崩潰電壓仍稍微會變動，其主要原因為何？ (A) 因為稽納有內阻 (B) 摻雜濃度較高 (C) 順向切入電壓太小 (D) 崩潰電壓太小. 第 4 頁. 共7頁.

(5) 100-5 電機與電子群. 專業科目（一）. 31. 如圖(十六)所示之半波整流電路，求其二極體的額定電流值應為多少，才不致燒燬？ (A) 3 A (B) 5.6 A (C) 6 A (D) 8 A. 圖(十六). 32. 如圖(十七)所示之電路，已知 D1 為理想二極體，則此電路之穩態最大輸出電壓範圍為何？ (A) − 2 V ~ +12 V (B) − 3 V ~ +7 V (C) − 8 V ~ +2 V (D) − 5 V ~ +5 V. 圖(十七). 33. 某濾波電容 80 μF、負載電流為 40 mA 的全波整流器，其峰值濾波電壓是 50 伏特，若電源頻率為 60 Hz，試求該濾波器的直流電壓約為何？ (A) 50 V (B) 49 V (C) 48 V (D) 46 V 34. 對一般雙極性接面電晶體而言，若欲明顯提高其共射極電流增益 β，則下列哪一項措施效果最佳？ (A) 基極重摻雜 (B) 基極寬度變窄 (C) 射極輕摻雜 (D) 集極重摻雜 35. 在共射極組態偏壓電路中，若只提高 VCC ，且其它元件數值不變，則直流負載線的斜率會產生何種變化？ (A) (B) (C) (D). 不變增大減少先增大再減少. 36. 若以三用電表測量 NPN 電晶體電路各點電壓如下： VC = 2 V 、 VE = 1.8 V 、 VB = 2.6 V ，試問該電晶體工作於何種模式？ (A) 主動區 (C) 崩潰區. (B) 截止區 (D) 飽和區. 37. 若電晶體已在飽和狀態，且 IC (sat ) = 10 mA ， β = 100 ， I B = 0.2 mA ，求 I E = ？ (A) (B) (C) (D). 10.1 mA 10.2 mA 10 mA 電晶體會燒燬. 38. N 通道 JFET 在工作情況下， I D ≠ I DSS ，則 VGS 為何？ (A) (B) (C) (D). 共7頁. 負值正值 0V 正負皆可. 第 5 頁.

(6) 100-5 電機與電子群. 專業科目（一）. 39. 某 N 通道空乏型 MOSFET 的 VGS = −1.5 V 時，I D = 9 mA；又 VGS = −4.5 V 時，I D = 1 mA，求該 MOSFET 的 (VP , I DSS ) 之值為多少？ (A) (−4,12 mA) (B) (−6,12 mA) (C) (−4,16 mA) (D) (−6,16 mA) 40. 如圖(十八)所示電路，二極體均為理想，下列敘述何者錯誤？ (A) 每一個二極體的 PIV 值皆為 25 2 (B) 此電路為濾波電路 (C) Vo 的頻率為 120 Hz 圖(十八). (D) 若 D 4 燒燬，則 Vo = 25 2. 41. 如圖(十九)所示，為一共射極電晶體放大器，若 β = 100 ， h ie = 1 kΩ ， VBE = 0.7 V ，當 Vs = 1.3 + 0.35 sin 377 t V 的信號時，求輸出 Vo 的電壓變化為何？ (A) (B) (C) (D). 3 V~5 V 2 V~6 V 3 V~7 V 4 V~8 V. 圖(十九). 42. 如圖(二十)所示，其最有可能為哪一種交連電路的頻率響曲線圖？(註： A V ( mid ) = 中頻增益) (A) (B) (C) (D). 直接交連變壓器交連電感交連 RC 交連. 圖(二十). 43. 如圖(二十一)所示，為電晶體小信號放大電路，在決定其集極電流 IC 時，下列哪一個參數值因溫度的變動對 IC 影響最小？ (A) ICBO (B) VCE (C) VBE (D) β 圖(二十一) 44. 下列何者為 P 通道 JFET 的轉換特性曲線圖？ (A) (B). (C). 第 6 頁. (D). 共7頁.

(7) 100-5 電機與電子群. 專業科目（一）. +. 45. 如圖(二十二)所示之電路，求上臨界電壓 VH 為何？ (A) 2 V (B) − 2 V (C) 6 V (D) − 6 V. 圖(二十二). 46. 承上題， Vi = 3 sin( 2 π × 103 t ) V ，則 Vo = ？ (A) 方波 (C) + 12 V. (B) − 12 V (D) 正弦波. 47. 「巴克豪森準則」適用於下列何種電路？ (A) 雙穩態多諧振盪器 (B) 無穩態多諧振盪器 (C) 單穩態多諧振盪器 (D) 石英晶體振盪器 48. 下列敘述何者不正確？ (A) 矽的原子序為 14，鍺的原子序為 32 (B) 矽的障壁電壓約為 0.7 V (C) 將磷加入本質半導體會形成 N 型半導體 (D) 在摻有銻的半導體中，銻扮演的角色是施體 49. 如圖(二十三)所示之電路，電路增益. Vo 為多少分貝？ Vi. (A) 0 dB (B) − 10 dB (C) 20 dB (D) − 20 dB. 圖(二十三). 50. 如圖(二十四)所示之運算放大器，為一理想元件，求 Vo 之值為何？ (A) (B) (C) (D). 11 V 7V 5V 4V 圖(二十四). 共7頁. 第 7 頁.

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