使用規定

乾蝕刻機台STS Etcher

使用規定

1.訓練儀器或認證儀器前請先告知機台工程師並完成NDL規定之標準程序(乙表)。

2.一律依標準步驟操作及遵守目前開放製程(依電腦螢幕右上角指示)。

3.操作中盡量不要離開無塵室，如暫時離開請留下說明字條(含聯絡電話)。

4.使用中發生任何問題，請立即與工程師聯絡，請勿擅自處理。

5.確實填寫使用記錄簿。

6.如有違反上述規定，將視情況至少停權三週以上。

乾蝕刻機台STS Etcher使用檢查步驟(1)

1.檢查狀況指示牌是為運轉中。

2.檢查記錄簿看上一位使用者之使用狀況是否正常。

乾蝕刻機台STS Etcher使用檢查步驟(2)

3.刷卡並填寫使用記錄簿。

4.機械手臂位在Load Lock前方。

Load Lock

機械手臂

乾蝕刻機台STS Etcher使用檢查步驟(3)

5.ICP turbo pump運轉中綠燈亮起。

滿格 ~830Hz 綠燈

（表示全速運轉）

6.確認Rotary pump運轉中。

ICP rotary pump RIE rotary pump

乾蝕刻機台STS Etcher使用檢查步驟(4)

7.Turbo pump冷卻水壓力為4 kgw/cm2。

8.RIE 冷卻系統啟動中(確定電源顯示燈及Cooling顯示燈皆亮)。

電源顯示燈

Cooling Temp.~”16.0”

乾蝕刻機台STS Etcher使用檢查步驟(5)

9.總電源下方RIE turbo pump運轉中綠燈亮起。

綠燈

10.RF power綠燈亮起。

Check

“RF on” &

“Remote”

11.電腦電源下方綠燈亮(表示控制系統及手臂狀況正常)。

乾蝕刻機台STS Etcher使用檢查步驟(6)

控制系統 手臂狀況指示

12.電腦螢幕顯示畫面正常。

乾蝕刻機台STS Etcher操作簡介(1)

監控系統畫面

（如：chamber 壓力，手臂位 置）

RIE製程參數選單 數字選單畫面

ICP製程參數選單 System Monitor鍵盤

標準待機畫面

乾蝕刻機台STS Etcher操作簡介(2)

ICP用鍵盤

RIE用鍵盤

乾蝕刻機台STS Etcher操作簡介(3)

製程電腦（RIE）

氣體流量值

RF power指示

製程設定時間 系統訊息及 製程剩餘時間 氣體壓力值及

氣體穩定時間

RF bias voltage

目前開放製程

乾蝕刻機台STS Etcher使用步驟(1)—狀況確認

使用規定：使用前後請確實填寫機台狀況，使用時如有任何問題請立即與機台負責人聯 絡，分機6623 林育德。(6621陳永祥or總機6601)

[1]請確認機台狀況指示牌為運轉中及完成所有檢查步驟並確認機台正常。

[2]確認Control System螢幕顯示S.T.S Dealer Control System V1.4數字選單畫面(1~5)。

數字選單畫面

乾蝕刻機台STS Etcher使用步驟(2)—破真空

[3]進行破真空按下Control System鍵盤數字鍵2(Vent Load Lock)，待再回到如數 字選單畫面，即完成破真空。

附註

常後，取出載片再放入欲製程晶片即可。(請注意如果小於6”wafer請將您的晶 片放置於6”載片上)

破真空中

平邊

乾蝕刻機台STS Etcher使用步驟(3)-傳送晶片

[4]放入晶片(或載片僅第一次RIE製程用)按下Control System電腦鍵盤上數字鍵5(Load Wafer To Chamber)，會出現確認將晶片傳送至1.ICP或2.RIE選單畫面後，如您要 傳送至ICP Chamber請再按數字鍵1即可，如果為RIE Chamber請按數字鍵2，待電腦畫 面回到數字選單畫面即傳送完成。

晶片傳送中 選擇1.ICP

或2.RIE後 傳送完成

乾蝕刻機台STS Etcher使用步驟(4)-RIE clean

[5]選定RIE製程電腦後，先進行clean，利用方向鍵選擇製程檔案如：NDL\rieclean.set）

鍵入Enter確認後，會回到機台系統圖示畫面（或可按F8進入製程數據畫面)，待畫面右下 角訊息指示為Process loaded OK後，按下F1 (Etch)即製程開始。請注意製程中請勿任意 觸碰任何電腦按鍵。待畫面右下角訊息指示再次出現**ended OK時，即clean製程結束。

按F1後即開始製程 選\NDL\rieclean.set

Recipe

loading 按F8切換畫面

按下F2，會出現此畫面

乾蝕刻機台STS Etcher使用步驟(5)-RIE測試

[6] RIE進行完cleanrie.set後，按下F2 (New process)，利用方向鍵選擇欲製程檔案進行測 試（如：NDL\nitride1.set）鍵入Enter確認後，會回到機台系統圖示畫面（或可按F8 進入製程數據畫面)，待畫面右下角訊息指示為Process loaded OK後，按下F1 (Etch) 即製程開始。請注意製程中RF reflected power要小於10。約1分鐘後即可按F1(Abort)

將製程停止，待訊息區出現 ***** was aborted時，即製程結束，RIE系統測試完成。

選\NDL\nitride*.set 按F1後即開始製程

RF power

Recipe

loading 按F8切換畫面

按下F2，會出現此畫面

乾蝕刻機台STS Etcher使用步驟(6)-ICP製程

[7]選定ICP製程電腦後，按下F2 (New process)，利用方向鍵選擇製程檔如：

NDL\PR strip\az1.set）鍵入Enter確認後，會回到機台系統圖示畫面（或可按F8進入 製程數據畫面)，待畫面右下角訊息指示為Process loaded OK後，按下F1 (Etch)即製 程開始。請注意製程中請勿任意觸碰任何電腦按鍵。待畫面右下角訊息指示再次出現

**ended OK時，即製程結束。

Recipe loading

按下F2，會出現此畫面

按F1後即開始製程

按F8切換畫面

[8]按下Control System電腦鍵盤上數字鍵4 (Unload Wafer From Chamber)，會出現確認從 1.ICP或2.RIE將晶片取出選單畫面後，如您剛才進行ICP製程，請再鍵入數字鍵1即可取 出，如為RIE 製程請鍵入數字鍵2，並確認畫面回到如[2]數字選單即完成取出。

晶片取出中 選擇從1.ICP 取出完成

或2.RIE取出後

按數字4後

乾蝕刻機台STS Etcher使用步驟(7)-取出晶片

[9]按下Control System電腦鍵盤上數字鍵2(Vent Load Lock)， 確認電腦畫面回到數 字選單後，即可取出晶片，若要再蝕刻晶片的話，再重複使用步驟(3)。

確定離開時，請確實填寫使用記錄表後按數字鍵3 (Pump Load Lock)，待抽真 空完成後，跳回選單畫面才可離開。

乾蝕刻機台STS Etcher使用步驟(8)-登出系統

按完數字2後，

會出現Venting

破真空完成 破真空中

抽真空中 Pumping

跳回選單畫面