• 沒有找到結果。

二、共射極放大器(Common-Emitter Amplifier)

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2022

Share "二、共射極放大器(Common-Emitter Amplifier)"

Copied!
5
0
0

加載中.... (立即查看全文)

全文

(1)

實驗三 簡易電晶體放大器

目的

瞭解不同放大器的特性。

相關知識

1. 共射極放大器 2. 共源極放大器 3. 射極與源極隨耦器 4. 推挽式放大器

一、雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor,BJT)回顧

好久沒碰 BJT了,複習一下BJT的特性。一個npn BJT偏壓調在順向活性區(forward active)時,VBE差不多維持在 0.7V 左右,變化不大,而且這時的 IC是 IB的β倍。

我們還要注意,VCE必須大於 0.2V。BJT 在順向活性區的簡單電路模型總結如下 圖:

二、共射極放大器(Common-Emitter Amplifier)

下面我們利用這個簡單的 BJT 模型瞭解右圖電路的操作:

1. 靜態偏壓分析

R1和 R2將電晶體 Q1偏壓在順向活化區,基 極的靜態偏壓 VB=VCC[R2/(R1+R2)],這裡假設 IB很小,不影響 VB之偏壓值。射極的偏壓 VE

約為 VB-0.7V,射極的靜態電流 IE=VE/RE,集 極電流 IC=IE[β/(β+1)]≈IE(通常β>>1)。C1

為阻隔電容(blocking capacitor),使 Q1基級

(2)

隨耦器(emitter follower),類似的電路在上學期已經測量過。

假如輸出是由集極接出呢?這裡我們看一下∆VC多大。

∆I

C

≈∆I

E=∆VE/RE =∆V/RE, 又 VC=VCC-ICRC,∆VC=-RC

∆I

C,故

∆V

C=∆V×(-RC/RE)。 (式 3-1)

因此這個電路可視做一個放大器(稱做共射極放大器,common-emitter amplifier),

放大率 AV=-RC/RE,負號代表輸出訊號的相位和輸入差了 180°。

三、射極接地放大器(Grounded-Emitter Amplifier)

假如上面放大器電路中 RE=0,AV=-∞?不太可能吧?

問題出在推導式 3-1 時,我們假設電晶體在 forward active時 VBE固定在 0.7V,不受 IC(或 IE)影響,即 有∆IC但無∆VBE。事實上,由 Ebers-Moll 模型可知

IC

=

I eS VBE/ 25mV(在 forward active 時),

∆I

C/∆VBE=(1/25mV) I eS VBE/ 25mV

=(1/25mV)IC, 我們再定義 re

≡∆V

BE/∆IC,那麼

( )

r 25 I in mA

e C

= Ω

。 (式 3-2)

現在來處理 RE=0 的情形。由上電路圖可知∆VBE=∆VB=∆V,∆IC=∆VBE/re,∆VC=- RC

∆I

C=-RC

∆V

BE/re=∆V(-RC/re),放大率 AV=∆VC/∆V=-RC/re。注意 re是 IC的函數,

這樣會使得 AV和輸出訊號大小有關,導致非線性失真(nonlinear distortion)。

假如把 re的效應考慮進去,前面共射極放大器的放大率 AV=-RC/(RE+re),RE可使 re

所造成的非線性失真減小,但同時|AV|也減小。同理射極隨耦器的 AV不再是 1,

而是 RE/(RE+re)。

四、推挽式放大器(push-pull amplifier)

把一個 npn 和一個 pnp 電晶體串接如右圖,當 Vin>0.7V時,Q1 ON,Q2 OFF,Vout=Vin-0.7V;

當 Vin<-0.7V 時 , Q1 OFF , Q2 ON , Vout=Vin+0.7V;當 |Vin|<0.7V, Q1和 Q2均 是 OFF,此時 Vout=0。在 Vin 很小時,兩個電晶 體都不導通,由此所造成的非線性失真稱為交 越失真(cross-over distortion)。

五、共源極放大器(Common-Source Amplifier)

交越 失真

(3)

共源極放大器的原理可參閱實驗一的補充教材,這 裡僅簡單介紹一下。電路如右圖,FET 的靜態偏壓 應設計在飽和(或恆流)區,其傳輸特性為

ID=IDSS=k(VGS-Vt)2/2。 (式 3-3)

互導 gm定義為∆ID/∆VGS,故

gm=k(VGS-Vt) (式 3-4)

為 VGS的函數。此放大器的放大率 AV=-gmRD,由 RD控制。

六、源極隨耦器(Source Follower)

源極隨耦器在實驗一中已經量測過,電路如右圖,

輸 出 訊 號 由 源 極 接 出 。

∆I

D=∆IS=gm

∆V

GS=gm(∆VG-

∆V

S),又∆IS=∆VS/RS,兩式合併可得

A V

V

g R g R R

R g

V

S G

m S m S S

S m

= =

+

= +

1

1/

(式 3-5)

預習問題

1. 計算程序 1 電路中 BJT 的靜態操作點,並利用 PSpice 模擬程序 1 之電路,Vin

分別用頻率為 10kHz 之三角波及正弦波輸入,看看輸出波形為何?

2. 請參考程序 2 的提示,設計出一套方法量測放大器的輸入輸出阻抗,並推導 出計算公式。

3. 何謂交越失真?推挽式放大器為何會有交越失真?

程序

<1>射極接地放大器(Grounded-Emitter Amplifier)

(4)

這時的輸出波形式不是有些像“穀倉頂”或“拱窗”,如下圖。請把你所得到的圖記 錄下來。

注意!Vin的振幅可能會需要很小,假如你訊號產生器上的 AMPL 鈕轉到 MIN 還不夠小到讓 Vout不產生削截的話,記得“PULL”此鈕,輸出會衰減 20dB。

3. 現在將電路中的 C2(22µF)移去,將 Vin之振幅增大(這時|AV|小很多),觀 察 Vout 之波形,失真是不是小很多?記錄 Vin和 Vout振幅,計算增益大小(注意 相位)。

4. 將 C2接回去,將 Vin之振幅調到最小(記得 PULL-20dB),由 Vout和 Vin之振 幅比求得 AV,和你預測的值(-RC/re)一樣嗎?

<2>共射極放大器的輸入及輸出阻抗

程序 1 的電路若沒有 C2就是我們所稱的共射極放大器,請你設計出一套方法測 出此放大器的輸入(Zin)及輸出阻抗(Zout)。

提示:

圖(a)為放大器的等效電路。圖(b)顯示在輸入端先串接一個大小適當的 RS,觀察 RS所造成 Vout的衰

減(V A V Z Z R

out

V S in

in S

= +

)即可得出 Zin。圖(c)顯示在輸出接一適當之電阻 RL(中間必須串接一阻

隔電容以免影響放大器之偏壓),觀察 RL所造成 Vout的衰減(V A V R Z R

out

V S L

out L

= +

)即可得出 Zout time

Vout Vcc

PULL

MIN MAX AMPL -20dB

(5)

<3>共源極放大器(Common-Source Amplifier)

1. 電路圖如右,RD=4.7kΩ。先將輸入接地(即 Vin=0),測量 FET 的靜態偏壓點,包括 VG、 VS和 VD,ID可由 VS/RS求得。

2. Vin用 1kHz 的正弦波輸入,振幅調得不使 Vout波形失真。記錄 Vin和 Vout的振幅及相位,

計算 AV。

注意!請一定要用探針的 x10 檔。

3. RD分別用 10kΩ和 15kΩ代替,重複步驟 1 和 2。

4. 利用和程序 2 相同的方法測量此放大器的輸入及輸出阻抗。

<4>推挽式放大器(Push-Pull Amplifier)

1. 電路如右圖,Vin用 1kHz,振幅為 3V 的弦 波輸入,DC offset 調為 0,觀察 Vout之波形,

請 注 意 所 謂 的 “ 交 越 失 真 ” ( cross-over distortion),記錄下來。

2. 改變 Vin之 DC offset(即直流成分),Vout

有何變化?當 DC offset 為 2V 及 4V 時,記錄 下來 Vout的波形。

問題與討論

1. (a)由你在預習問題 1 中,計算的 BJT 靜態操作點,和你的實驗值比較。

(b)解釋在步驟 2 所得之輸出波形。

(c)為什麼將 C2移去會使得失真減小?

(d)計算有 C2及沒有 C2時之 AV,和實驗值比較。

2. 在程序 2 中,你所測量輸入輸出阻抗的結果,請比較所有放大器的阻抗。

3. 由程序 3 的實驗結果求 FET 的 gm。 4. 解釋程序 4 中步驟 2 之 Vout波形。

END OF EXP. 3

參考文獻

相關文件

另外要注意的是在 Theorem 5.3.5 中我們強調一個 linear transformation 的 adjoint 是 唯一的, 這是在給定一個 inner product 的條件之下.. 在不同的 inner product 之下, 一個 linear

滿足這個性質的次數最小的 monic polynomial 對於我 們了解 C v 有很大的用處, 所以有以下之定義..

它的三隻腳分別接到電晶體的射極(emitter,簡寫 E)、基極(base,B)與集極(collector,C)。基 極的摻雜(doping)和其它兩極不同,由此可將 BJT 分為 npn 及 pnp(三個字母分別表示 E、B、.

將V in 改用三角波輸入,在不同V GS 下觀察其V out 失真之情形。... 程序4之電路可簡化如右圖,在線性區的

在不同V GS 下觀察其V out 失真之情形。.. 程序4之電路可簡化如右圖,在線性區的

右圖為一不好的整流器,怎麼不好呢?試 試看就知道。用一個100Hz、振幅2V、DC Offset=0之弦波輸入,記錄V out 。輸入為負 時,V out 發生什麼事?為什麼?用1000Hz試

X Axis/Data Range/User Defined 設為0 to 5V Y Axis/Data Range/User Defined 設為0 to 2A 之後如圖3所示. 圖3

這裡我們要測試 npn 電晶體在順向活性區的 Ebers-Moll 模型:當 V BE ≧V γ (~0.5V) (Forward-biased)且 V BC &lt;V γ