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實驗五 簡易雙極電晶體模型及電路

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Academic year: 2022

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應用電子學實驗講義(I)

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實驗五 簡易雙極電晶體模型及電路

實驗目的

了解雙極電晶體(bipolar junction transistor, BJT)之簡易模型,並測試射極隨耦器(emitter follower)之特性。

實驗元件

電晶體 2N3904 一枚;電阻 4.7M、1M、470k、100k、47k、4.7k、3.3k、1k、270Ω 各一枚;

精密電阻 1k 一枚。

預習問題

1. 何謂 NPN 電晶體?何謂 PNP 電晶體?如何判定電晶體是何種型?

2. 參考補充資料(一)及電子元件資料,查出 2N3904 的接腳,並簡單敘述一下,如何用電 表辨別電晶體的三隻接腳及判定電晶體是否是好的?

3. 在實驗步驟<二>中,要利用「二極體的特性」實驗中步驟<三>動態二極體特性曲線測 試方法量測BE 接面的特性,請複習「二極體的特性」實驗,並畫出動態特性曲線的電 路配置圖。

4. 用 Pspice 模擬實驗步驟<四>的電路,看會得到甚麼結果?

實驗原理 相關知識

1. 雙極電晶體之簡易模型;

2. 電晶體之電流增盔(β);

3. 射極隨耦器。

實驗步驟

<一>認識雙極電晶體

雙極電晶體是一個三隻腳的元件,基本上是由兩個很接近且極性相反的pn 接面串接構成,

它的三隻腳分別接到電晶體的射極(emitter,簡寫 E)、基極(base,B)與集極(collector,C)。基 極的摻雜(doping)和其它兩極不同,由此可將 BJT 分為 npn 及 pnp(三個字母分別表示 E、B、

C 三極的摻雜種類)兩類。在這個實驗裡我們所要測試的是一個 npn 電晶體。

如何辨識電晶體的三隻腳?如何判定手邊的電晶體是死是活?

要辨識電晶體的三隻接腳,方法有二:(1)查 data book,你會發現 2N3904 的接腳如圖 5.1:

(2)假如你對上面的答案沒信心,可以自己用數位電表測,同時你也可以知道電晶體的死活。

在說明怎麼測前,讓我們先看一下BJT 的結構:它有點像兩個方向相反的二極體連在一起但 又不十分像(希望你做完這個實驗後,能夠知道他們有何不同),如圖 5.2:

圖5.1

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應用電子學實驗講義(I)

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我們可以利用這個不太像的 模型來測電晶體的極性及好 壞。

用DMM 的二極體

檔(即 ohm 檔中之 2k 檔),此 檔會輸出1mA 的電流給 待測元件,電表顯示的剛好

是待測元件兩端的電壓差(此數值也剛好是電阻以 kΩ為單位之讀值,你知道為什麼嗎?最好 是用別的電錶量測是否輸出為1mA)。用此檔測每對電晶體的腳(共有幾種可能?6 種),當正 極(紅色)接到 B 極而負極(黑色)接到 C 或 E 極時(for npn transistor only!),電表會顯示 1mA 通過一二極體的電壓降,約0.6~0.7V。其它接法均不導通。

如何分辨E 和 C 極呢?由於 E 和 C 極的構造並不對稱,由上法所量得的電壓降並不相同,

BC 接面的電壓降比 BE 的電壓降小一點點(只要你的電表有三位有效數字即可看出)。

記錄下你測得不同接面的電壓降?你能分辨出E 和 C 極嗎?和前面查 data book 所得相同嗎?

<二>BE 和 BC 接面二極體

這裡我們要看看BE 和 BC 各兩極間,是不是真的如同上面所說的,是兩個二極體。

1. 先將 C 極浮接(即 float,什麼都不接),利用「二極體的特性」實驗中動態二極體特性曲 線測試方法量測BE 接面的特性,畫出你所得的特性曲線?調整訊號產生器的 DCoffset,

看能不能找出反向崩潰電壓。

2. 將 E 極浮接,對 BC 二極重複上面步驟。BE 和 BC 兩個接面,那一個崩潰電壓較小?

<三>簡易電晶體模型及電流增益

當我們利用電晶體來做放大器時,電晶體三極的偏 壓通常是調在所謂的“操作模式"(active mode),也就是 BE 接面為順向偏壓但 BC 接面為逆向偏壓。這時我們可 以用一個簡單的模型來描述npn 電晶體的行為(如右 圖):

(a)VBE≅0.7V,VCE≥0.2V;

(b)IC=βIB。

β即為所謂的共射極電流增益(common emitter current gain),有時寫做 hfe

下面我們要直接測量電晶體在不同IC(集極電流)時的電流增益(β)。電路圖如下:IC=VC/1k,

R 用不同的值(4.7M、1M、470k、100k 及 47k)代替,記錄所對應之 IC、VBE和VCE值。IB可 由(5-VBE)/(R+4.7k)得到。由 IB和IC求出對應的β(≣IC/IB)。

圖5.2

圖5.3

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圖5.4

<四>射極耦隨器(emitter follower) 右圖為一十分簡單之射極隨耦器電路:

由上面所提到的電晶體簡單模型,我們可以得到當 電晶體在操作區時, Vout≈Vin-0.7。

1. Vin用一個1kHz、DC offset 為 0、振幅 1V 的弦波 輸入,Vout的波形如何?很差勁是不是?記錄下 來。

2. 慢慢將 DC offset 增加,觀察 Vout的變化。記錄下 當DC offset=1V 時之 Vout。

3. 將 DC offset 調回 0V,再將振幅慢慢加大,當大於 6V 時,低於 0V 之輸出波形會變得很 奇怪,畫下來。你可以用示波器的X-Y 模式觀察 Vin(X)和 Vout(Y),這樣比較容易找出奇 怪的原因。

4. 假如 VEE不接地而改接在-15V 之直流電源,重複步驟 3,Vout是不是好很多?

接著我們再來量射極耦隨器的輸入及輸出阻抗,看看有何特異之處。

將電路改成圖 5.6,我們用 10kΩ電阻模擬訊號源的輸出阻抗。

5. 測輸出阻抗 Zout:圖中虛線框框中之電路必須接上。Vin用 1kHz、DCoffset 為 0、振幅 0.5V 之弦波輸入。測量 Vout訊號之衰減,求出 follower 之 Zout

6. 測輸入阻抗 Zin:圖中虛線框框中的電容及 1k 電阻移去不用。Vin和上同,比較 a、b 兩 點訊號大小,求得 Zin

(假如 a、b 兩點訊號差不多大,可將 10k 電阻換成較大電阻試試。) 提示:步驟 1 及 2 之等效電路如圖 5.7:

圖5.5

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圖5.6 圖5.7

數據分析與思考問題

1. 由步驟<三>之結果,畫出β、VCE和VBE對IC圖,我們提出來的簡易模型好不好?β是不 是和IC有關?

2. 比較並解釋步驟<四>1 和 2 中所得之 Vout。 3. 解釋步驟<四>3 的結果。

4. 解釋步驟<四>4 的結果。

5. 有一個黑盒子,有三隻腳接出來。黑盒子中可能是一對背對背連接的二極體或是一個電晶 體,如圖5.8。現在只給你兩個三用電表,你能否決定黑盒子裡是什麼?怎麼做?

圖5.8

參考文獻

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